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结合使用选择和差别生长模式制造单晶发射区。步骤包括提供形成在具有相对的氧化硅侧壁（１２）的硅衬底（１６）上的沟槽（１４）；在沟槽中的硅衬底上选择性生长高掺杂单晶层（１８）；以及在沟槽的上面非选择生长硅层（２０），以便在氧化硅侧壁上形成非晶或...
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