【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储器和存取器件，并涉及用于存储器及存取器件的方法。
技术介绍
相变存储器器件使用相变材料，即可以在一般的非晶和一般的结晶态之间电切换的材料，用于电子存储器应用。一种类型的存储器元件使用一种相变材料，在一种应用中这种材料可以为，在一般的非晶结构状态和一般的结晶局部有序的结构状态之间电切换，或者在完全非晶和完全结晶态之间跨越整个谱的不同的可检测局部有序状态之间电切换。相变材料的状态也是非易失性的，因为当置为代表阻值的结晶、半结晶、非晶或半非晶态，该值一直保持直到通过另一编程事件改变，比如代表材料(例如，结晶或非晶)的相或物理状态的值。晶体管或二极管可以连接至相变材料并用作选择器件以在编程或读操作期间存取相变材料。晶体管或二极管通常形成在硅单晶衬底中或硅单晶衬底的上表面。晶体管可以占用存储器芯片的相对大部分，因此会增加存储器单元的尺寸，不利地影响存储器容量和存储器芯片的成本/位。
技术实现思路
本专利技术的一方面提供一种装置，其包括，衬底之上的相变材料；耦连至相变材料的开关材料，其中开关材料包括除了氧之外的硫属元素，且其中开关材料和相变材料形成衬底之上的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种装置，包括衬底之上的相变材料；耦连至相变材料的开关材料，其中开关材料包括除了氧之外的硫属元素，且其中开关材料和相变材料形成衬底之上的部分垂直结构。2.权利要求1的装置，其中相变材料和开关材料为薄膜材料。3.权利要求1的装置，其中相变材料和开关材料彼此串联耦连。4.权利要求1的装置，其中开关材料在相变材料之上。5.权利要求1的装置，其中相变材料在开关材料之上。6.权利要求1的装置，其中相变材料为硫属化物材料。7.权利要求1的装置，其中垂直结构还包括在相变材料和开关材料之间、并串联耦连至相变材料和开关材料的电极。8.一种装置，包括衬底之上的存储器材料；存储器材料之上的第一电极；以及第一电极之上的硫属化物材料，其中存储器材料和硫属化物材料通过电极电耦连。9.权利要求8的装置，还包括衬底之上、存储器材料之下的第二电极，其中存储器材料形成在第二电极上；形成在第一电极上的阻挡材料，其中第一电极形成在存储器材料上；形成在阻挡材料上的第三电极，其中硫属化物材料形成在第三电极上；以及形成在硫属化物材料上的第四电极。10.权利要求9的装置，其中第一电极、存储器材料和第二电极形成存储器元件，且其中第三电极、硫属化物材料和第四电极形成选择器件，用来在编程或读取存储器元件期间存取存储器元件。11.权利要求8的装置，其中硫属化物材料为不可编程材料。12.权利要求10的装置，其中存储器元件和选择器件以垂直结构排列，使得电流以基本上垂直的方向在选择器件和存储器元件之间流动。13.权利要求10的装置，其中如果跨越硫属化物材料施加小于预定电压势的电压，则选择器件处于基本上电学上不导电的状态，且其中如果跨越硫属化物材料施加大于预定电压势的电压，则选择器件处于基本上导电的状态。14.权利要求10的装置，其中通过在存储器元件的存储器材料上施加电流以在基本上结晶态和基本上非晶态之间改变存储器材料的相，存储器元件能够被编程为至少两个存储器状态中的一个，其中在基本上非晶态下的存储器材料的电阻大于在基本上结晶态下的存储器材料的电阻。15.权利要求9的装置，还包括在第二电极之下并与第二电极接触的第一地址线；以及覆盖第四电极的第二地址线，其中第二地址线正交于第一地址线。16.权利要求15的装置，其中第一地址线包含铝或铜，第二地址线包含铝或铜。17.权利要求8的装置，其中硫属化物材料为处于基本上非晶态下的材料，并适合通过施加预定电压或电流，重复并可逆地在高阻态和相对低阻态之间切换。18.权利要求8的装置，还包括在存储器材料之上、并与存储器材料接触的第二电极，其中第一电极在第二电极之上并与第二电极接触。19.权利要求8的装置，其中第一电极接触存储器材料，并接触硫属化物材料。20.权利要求8的装置，其中硫属化物材料包括碲。21.权利要求8的装置，其中硫属化物材料包括硅、碲、砷和锗。22...
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