【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及相变存储器，并涉及相变存储器的制造方法。
技术介绍
相变存储器装置利用相变材料用于电子存储器的应用，相变材料就是在常规非晶态和常规晶态之间可以进行电转换的材料。在一种应用中，一种类型的存储器元件利用一种相变材料，该相变材料在常规非晶和常规结晶局部有序的一种结构态之间，或在跨越完全非晶态和完全晶态之间的整个谱上的局部有序的不同可检测态之间进行电转换。适合于这种应用的典型材料包括使用各种硫属元素的那些材料。相变材料的态还是非易失性的，其中当设置为晶态、半晶态、非晶态或半非晶态的任一种状态时都表现出一个电阻值，除非重新设置为表示材料的相态或物理状态(例如，晶态或非晶态)的那种值，否则仍保持该电阻值。相变存储器单元可以包括在电介质材料上设置的相变材料。然而，一些电介质材料和相变材料不能很好地化学粘合在一起。结果，相变材料层就会在随后的相变器件的制造期间剥落，由此，将影响器件的成品率或可靠性。因此，就不断需要用于替换制造相变存储器装置的方法。
技术实现思路
本专利技术的一个方面提供一种设备，该设备包括电极；粘合材料；在该电极和该粘合材料之间的电介质材料，其中该...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种设备，包括电极；粘合材料；在该电极和该粘合材料之间的电介质材料，其中该粘合材料的一部分、该电介质材料的一部分和该电极的一部分形成一基本上平坦的表面；以及在该基本上平坦的表面上的相变材料，并且该相变材料接触该电极、该粘合材料和该电介质材料。2.权利要求1的设备，其中电介质材料接触电极的一侧壁的一部分。3.权利要求2的设备，其中粘合材料环绕电极的一部分并通过电介质材料与电极分离。4.权利要求1的设备，其中粘合材料包括多晶硅或钛；其中电极包括钛、钨、氮化钛(TiN)、氮化铝钛(TiAlN)或氮化硅钛(TiSiN)；以及其中电介质材料包括氧化物、氮化物或低k电介质材料。5.权利要求1的设备，其中相变材料包括硫属化合物材料。6.权利要求1的设备，其中电极耦连到地址线。7.权利要求1的设备，还包括在相变材料之上的导电材料。8.权利要求7的设备，其中导电材料包括铝。9.一种设备，包括电极材料；导电材料；在该电极材料和该导电材料之间的绝缘材料，其中该导电材料的一部分、该绝缘材料的一部分和该电极材料的一部分形成一个基本上平坦的表面；以及在该基本上平坦的表面上的可编程材料，该可编程材料接触该电极材料、该导电材料和该绝缘材料。10.权利要求9的设备，其中导电材料包括多晶硅或钛。11.权利要求9的设备，其中可编程材料是一种相变材料。12.权利要求9的设备，其中导电材料作为热接地面。13.权利要求9的设备，其中绝缘材料环绕并接触电极材料的上部。14.权利要求9的设备，其中绝缘材料接触电极材料的一侧壁的一部分。15.权利要求9的设备，其中导电材料环绕电极材料的上部并通过绝缘材料与电极材料分离。16.一种方法，包括形成环绕电极的一部分的...
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