【技术实现步骤摘要】
技术介绍
专利
本专利技术涉及用于制造微电子封装件的设备和方法。更具体说，本专利技术涉及将至少一个微电子管芯连接到散热器以及将微电子管芯封装到其上的制造方法。
技术介绍
集成电路元件的高性能、低成本和不断小型化以及集成电路的较大集成密度是计算机产业的发展目标。随着这些目标的实现，微电子管芯变得更小。当然，更大封装密度的目标需要整个微电子管芯封装件等于或略微大于(约10％至30％)微电子管芯本身的尺寸。这样的微电子管芯封装被称为“芯片尺寸封装”或“CSP”。如图27所示，实际的CSP涉及直接在微电子管芯202的有效表面204上制造增加层。增加层可以包括设于微电子管芯有效表面204上的介电层206。可以在所述介电层206上形成导电轨迹208，其中每个导电轨迹208的一部分与所述有效表面上的至少一个触点212接触。用于与外部元件(未示出)接触的外部触点例如焊料球或导电引线可以制造成与至少一个导电轨迹208电接触。图27示出了被介电层上的焊料掩模材料216包围的外部触点例如焊料球214。但在这种实际的CSP中，由微电子管芯有效表面204提供的表面积一般不能给某些类型的微...
【技术保护点】
一种微电子封装件，包括：一散热片；至少一个微电子管芯，其具有一有效表面和一背面，所述至少一个微电子管芯背面邻接所述散热片；设于所述散热片和所述微电子管芯有效表面上的封装材料。
【技术特征摘要】
US 2000-12-8 09/733,2891.一种微电子封装件，包括一散热片；至少一个微电子管芯，其具有一有效表面和一背面，所述至少一个微电子管芯背面邻接所述散热片；设于所述散热片和所述微电子管芯有效表面上的封装材料。2.如权利要求1所述的微电子封装件，还包括设于所述封装材料的上表面上的增加层。3.如权利要求2所述的微电子封装件，其中所述增加层包括设于所述封装材料上表面上的至少一个导电轨迹，所述至少一个导电轨迹的一部分延伸穿过所述封装材料从而与所述至少一个微电子管芯有效表面接触。4.如权利要求3所述的微电子封装件，其中所述增加层还包括设于封装材料上表面的至少一部分和所述至少一个导电轨迹上的至少一个介电层，和延伸穿过所述至少一个介电层从而与所述至少一个导电轨迹接触的至少一个第二导电轨迹。5.如权利要求1所述的微电子封装件，还包括设于所述至少一个微电子管芯和所述散热片之间的导热粘接层。6.一种制造微电子封装件的方法，包括提供一散热片；将至少一个微电子管芯的背面邻接所述散热片设置；将封装材料设于所述至少一个微电子管芯和所述散热片上。7.如权利要求6所述的方法，还包括在所述封装材料的上表面上形成一增加层。8.如权利要求7所述的方法，其中形成所述增加层包括形成至少一个从所述封装材料上表面到所述至少一个微电子管芯有效表面的至少一个通路，并在所述封装材料上表面上设置至少一个导电轨迹，其中所述至少一个导电轨迹的一部分延伸穿过所述至少一个通路从而与所述至少一个微电子管芯有效表面接触。9.如权利要求8所述的方法，还包括在封装材料上表面的至少一部分和所述至少一个导电轨迹上设置至少一个介电层，形成穿过所述介电层的通路，以及在所述介电层上形成至少一个第二导电轨迹，其中所述第二导电轨迹的一部分延伸穿过所述至少一个介电层从而与所述至少一个导电轨迹接触。10.一种微电子封装件，包括一散热片；一微电子封装芯，其具有一第一表面和相反的第二表面，所述微电子管芯具有至少一个设于其中的从所述微电子封装芯第一表面延伸到所述微电子封装芯第二表面的开口，其中所述微电子封装芯第二表面靠接所述散热片；在所述至少一个微电子封装芯开口内并邻接所述散热片设置的至少一个微电子管芯，所述至少一个微电子管芯具有一有效表面；在所述微电子管芯上和至少一个微电子封装芯开口的一部分内设置的封装材料。11.如权利要求10所述的微电子封装件，还包括设于所述封装材料的上表面上的增加层。12.如权利要求11所述的微电子封装件，其中所述增加层包括设于所述封装材料上表面上的至少一个导电轨迹，其中所述至少一个导电轨迹的一部分延伸穿过所述封装材料从而与所述至少一个微电子管芯有效表面接触。13.如权利要求12所述的微电子封装件，其中所述增加层还包括设于封装材料上表面的至少一部分和所述至少一个导电轨迹上的至少一个介电层。14.如权利要求11所述的微电子封装件，其中所述封装材料覆盖所述微电子封装芯第一表面。15.如权利要求10所述的微电子封装件，其中所述微电子封装芯的厚度大于所述至少一...
【专利技术属性】
技术研发人员：MV赫瑙，XC穆，Q马，QT吴，SN托勒，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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