一种可实现同步双口SRAM功能的同步单口SRAM及其实现方法技术

同步双口静态随机存储器（ＳＲＡＭ）的实现方法，其特征在于：采用一个同步单口静态随机存储器，在适用于同步双口静态随机存储器的端口信号与所述同步单口静态随机存储器的各个端口之间增加一个映射逻辑电路模块，使得原本连接双口静态随机存储器端口的两套信号端映射于所述同步单口静态随机存储器的相应功能端口上，同时增大时钟频率使所述同步单口静态随机存储器可分别在不同的周期内完成上述两套端口的读或写操作处理。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路领域，具体地说，是涉及一种可实现同步双口SRAM(静态随机存储器)功能的同步单口SRAM及其实现方法。
技术介绍
随着集成电路领域的发展，人们对芯片功能的要求越来越高。特别是在多媒体和通讯集成电路设计中会大量集成SRAM，而且经常会用到双口SRAM，它与单口的SRAM的区别是，它具有两套时钟/数据/地址端口，并且可以独立地同时进行写入和读取操作，但它相对于单口SRAM而言，体积几乎是单口SRAM的两倍。在大量使用时也会使芯片成本增加很多。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了提供一种可实现同步双口SRAM功能的同步单口SRAM及其实现方法，它可以在双口SRAM应用环境下被应用，同时又可以达到减小体积的目的。为了实现上述目的，本专利技术提供方案如下一种同步双口静态随机存储器(SRAM)的实现方法，采用一个同步单口静态随机存储器，在适用于同步双口静态随机存储器的端口信号与所述同步单口静态随机存储器的各个端口之间增加一个映射逻辑电路模块，使得原本连接双口静态随机存储器端口的两套信号端映射于所述同步单口静态随机存储器的相应功能端口上，同时增大时钟频率使所述同步单口静态随本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.同步双口静态随机存储器(SRAM)的实现方法，其特征在于采用一个同步单口静态随机存储器，在适用于同步双口静态随机存储器的端口信号与所述同步单口静态随机存储器的各个端口之间增加一个映射逻辑电路模块，使得原本连接双口静态随机存储器端口的两套信号端映射于所述同步单口静态随机存储器的相应功能端口上，同时增大时钟频率使所述同步单口静态随机存储器可分别在不同的周期内完成上述两套端口的读或写操作处理。2.根据权利要求1所述的同步双口静态随机存储器(SRAM)的实现方法，其特征在于所述的增大的时钟频率可以满足以下公式fCLK＝2x max{fclka，fclkb)，其中fCLK为同步单口SRAM的频率，fclka，fclkb为同步双口SRAM的工作频率。3.一种可实现同步双口静态随机存储功能的同步单口静态随机存储器，包括一个普通的同步单口静态随机存储器本体(1)，其特征在于还包括一个多输入多输出端的映射逻辑电路模块(2)，所述映射逻辑电路模块(2)包含有用于连接上述同步单口静态随机存储器本体(1)各个信号端的端口，同时该映射逻辑电路模块(2)还包含有用于连接同步双口静态随机存储器所适用之信号端的端口，该映射逻辑电路模块(2)在上述同步单口静态随机存储器本体(1)和对应于同步双口静态随机存储器的各信号端口之间进行映射连接，使得原本连接同步双口静态随机存储器端口的两套信号端映射于...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱哲，金传恩，
申请(专利权)人：北京中星微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：