【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件的生产制造装置及使用方法，确切地说，涉及一种半导体圆片快速热处理装置及其使用方法，属于通过电阻加热的电热装置
技术介绍
在半导体圆片生产工艺中，快速热处理(也称“热退火”)是半导体圆片经过注入工艺后必不可少的工序之一。半导体圆片快速热处理设备是半导体器件生产的关键设备之一。自从20世纪60年代初，离子注入技术作为新的半导体掺杂工艺以来，大大促进了半导体集成电路的发展。而集成电路的迅速发展，又对离子注入的快速热处理技术提出了更高要求。离子注入技术的最大优点是掺杂量精确和掺杂分布可控。常规的快速热处理工艺一般温度较高、时间较长，需要数十分钟。如果在离子注入后仍然采用常规热处理工艺，将极大地破坏注入工艺的优良结果，因此，超大规模集成电路(VLSIIC)生产不能采用常规热处理工艺。这样，半导体圆片快速热处理设备应运而生。它的最大特点是热处理的周期极短，可以在数十秒内使半导体圆片完成升温至指定高温(如1000℃)、然后又降至常温的整个热处理工艺过程。对离子注入后的半导体圆片进行快速热处理，能够巩固离子注入工艺的优点。此外，超薄氧化层的快速...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体圆片快速热处理装置，其特征在于该装置为立式中空电热腔，腔体外侧是用耐火保温材料制成的隔温层、支撑套筒和水冷装片盒状底座，腔体内侧顶端和周边设有保证净化环境、防止外界污染的屏蔽层，腔体内部上端设有用直流电源加热的石墨加热器，在石墨加热器的下方的腔体周壁上设有内反射筒；腔体下端中央位置设有承载半导体圆片的石英片托，该石英片托在其下端片托杆的支承下能够沿中空腔体轴线升降运动。2.根据权利要求1所述的半导体圆片快速热处理装置，其特征在于所述腔体外侧的隔温层由顶端的隔温罩和其下侧的圆柱形隔温套筒组成，该隔温套筒下侧是支撑套筒和水冷装片盒状底座，在水冷装片盒状底座的一侧面上设有送片闸门；所述腔体内侧顶端和周边分别设置的屏蔽层是屏蔽罩和屏蔽套筒，所述屏蔽层和内反射筒的材质为石英或涂有反射膜的石英。3.根据权利要求1所述的半导体圆片快速热处理装置，其特征在于所述用直流电源加热的石墨加热器是用碳化硅包覆的石墨制成的平面薄板，板上接有电极，电极上设有若干个用于与水冷电极螺接的通孔；整个平面薄板被若干条细长通槽切割成串联石墨电阻，在切槽的两端设有用于加固的凸台，该平面薄板的非电极端部为圆角，以减少热量辐射。4.根据权利要求1或3所述的半导体圆片快速热处理装置，其特征在于所述石墨加热器的外侧围设有反射盒，该反射盒的上方放置有反射板，以使石墨加热器的热量向炉内辐射而不外泄；所述反射盒和反射板的材质为石英或涂有反射膜的石英。5.根据权利要求1所述的半导体圆片快速热处理装置，其特征在于所述腔体外侧隔温层的耐火保温材料是高温陶瓷纤维制品，即多晶莫来石；或硅质可塑...
【专利技术属性】
技术研发人员：侯东彦，章谦，陈必贤，王舜远，
申请(专利权)人：北京华兴微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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