半导体器件制造技术

根据本发明专利技术的一种半导体器件，包括：一ｐ沟道ＴＦＴ；一ｎ沟道ＴＦＴ，其中至少有一部分ＬＤＤ区与栅极叠加，在ＬＤＤ区和栅极之间夹有第二栅绝缘膜；一存储晶体管，其包括：一源区、一漏区、一沟道区、第一栅绝缘膜、一浮置栅极、第三栅绝缘膜、和一控制栅极，其中，所述ｐ沟道ＴＦＴ和所述ｎ沟道ＴＦＴ和所述存储晶体管都设置在同一绝缘体之上，所述ｐ沟道ＴＦＴ和所述ｎ沟道ＴＦＴ都设置在一个ＣＭＯＳ电路中，并且，所述存储晶体管的所述漏区叠加在所述的浮置栅极。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通过在衬底表面上形成半导体元件(使用半导体薄膜的元件)而形成的电光器件和具有这种电光器件的电子设备(电子装置)。典型地，本专利技术涉及其中薄膜晶体管(以下称为TFT)形成在衬底上的液晶显示器件或EL显示器件和具有这种显示器件作为显示器(显示部分)的电子设备。
技术介绍
近年来大大推进了在衬底上制造TFT的技术，并飞速发展了有源矩阵型显示器件中的应用。特别是，使用多晶硅膜的TFT具有比使用非晶硅膜的常规TFT高的电场效应迁移率(也称为迁移率)，因而可以高速操作。因此，可以通过形成在与象素相同的衬底上的驱动电路进行象素控制，这通常是利用衬底外面的驱动电路进行的。因为通过在同一衬底上形成多个电路和元件具有很多优点，如减少制造成本、显示器件的小型化、提高生产量和提高生产率，因此这种类型的有源矩阵型显示器件成为人们注意的焦点。由Kobayashi等人专利技术的一种有源矩阵液晶显示器及其制造方法已授权为美国专利USP5767930，该液晶显示器与驱动电路合成一体，其中包括在一对衬底之一上、以快速方法制成的薄膜晶体管(TFT’s)，以及适于高电压的CMOS驱动电路。该有源矩阵液晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，包括：一ｐ沟道ＴＦＴ；一ｎ沟道ＴＦＴ，其中至少有一部分ＬＤＤ区与栅极叠加，在ＬＤＤ区和栅极之间夹有第二栅绝缘膜；一存储晶体管，其包括：一源区、一漏区、一沟道区、第一栅绝缘膜、一浮置栅极、第 三栅绝缘膜、和一控制栅极，其中，所述ｐ沟道ＴＦＴ和所述ｎ沟道ＴＦＴ和所述存储晶体管都设置在同一绝缘体之上，并且，所述ｐ沟道ＴＦＴ和所述ｎ沟道ＴＦＴ都设置在一个ＣＭＯＳ电路中，并且，所述存储晶体管的所述漏区叠加在所述的 浮置栅极。

【技术特征摘要】
JP 1999-4-15 108667/991.一种半导体器件，其特征在于，包括一p沟道TFT；一n沟道TFT，其中至少有一部分LDD区与栅极叠加，在LDD区和栅极之间夹有第二栅绝缘膜；一存储晶体管，其包括一源区、一漏区、一沟道区、第一栅绝缘膜、一浮置栅极、第三栅绝缘膜、和一控制栅极，其中，所述p沟道TFT和所述n沟道TFT和所述存储晶体管都设置在同一绝缘体之上，并且，所述p沟道TFT和所述n沟道TFT都设置在一个CMOS电路中，并且，所述存储晶体管的所述漏区叠加在所述的浮置栅极。2.一种半导体器件，其特征在于，包括一p沟道TFT；一n沟道TFT，其中至少有一部分LDD区与栅极叠加，在LDD区和栅极之间夹有第二栅绝缘膜；一存储晶体管，其包括一源区、一漏区、一沟道区、第一栅绝缘膜、一浮置栅极、第三栅绝缘膜、一控制栅极、和一LDD区，其中，所述p沟道TFT和所述n沟道TFT和所述存储晶体管都设置在同一绝缘体之上，并且，所述p沟道TFT和所述n沟道TFT都设置在一个CMOS电路中，并且，所述存储晶体管的所述漏区叠加在所述的浮置栅极。3.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述第一栅绝缘膜的厚度薄过所述第二栅绝缘膜的厚度。4.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述p沟道TFT和所述n沟道TFT都有一共同的漏布线。5.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述半导体器件合并在视频摄影机中。6.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述半导体器件合并在数字摄影机中。7.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述半导体器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，北角英人，福永健司，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]