温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

根据本发明的一种半导体器件，包括：一ｐ沟道ＴＦＴ；一ｎ沟道ＴＦＴ，其中至少有一部分ＬＤＤ区与栅极叠加，在ＬＤＤ区和栅极之间夹有第二栅绝缘膜；一存储晶体管，其包括：一源区、一漏区、一沟道区、第一栅绝缘膜、一浮置栅极、第三栅绝缘膜、和一控制栅极...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。