相变材料存储器装置和形成方法制造方法及图纸

一种可使用单一的、杯状相变材料（１８）形成的相变材料存储器单元（１０）。该杯状相变材料（１８）的内部可使用热绝缘材料（２２）填充。结果是，可通过该杯状相变材料（１８）减少在一些实施例中的向上的热损失以及相变材料（１８）和装置（１０）的剩余部分之间的粘附问题。此外，阻挡层（２０）可被设置在上部电极（２８）和装置（１０）的剩余部分之间，以减少一些实施例中从上部电极向相变材料（１８）中的物质引入。可使用化学机械抛光以限定相变材料（１８），减少一些实施例中的相变材料干法蚀刻的影响。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术主要涉及电子存储器，特别涉及使用相变材料的电子存储器。
技术介绍
相变材料可显示出至少两种不同的状态。这些状态可被叫做非晶态和晶态。在这些状态之间的转变可被有选择地引发。由于非晶态一般显示出比晶态更高的电阻率，因此这些状态可进行区分。非晶态包括无序的原子结构。通常可使用任一种相变材料。然而在一些实施例中，薄膜硫族化物合金(chalcogenide alloy)可能是最适合的。相变可被逆向诱发。因此，存储器可随温度变化由非晶态转变成晶态，此后又回复到非晶态，或反之亦然。实际上，每一存储器单元可被想成程序控制的电阻器，在高电阻状态和低电阻状态之间进行可逆转变。可通过电阻加热诱发相变。在一些实施例中，存储器单元可具有多个状态。即由于可通过其电阻值区分每一状态，就有可能实现由电阻确定的多个状态，使得可以在单个单元中存储数据位。已知有多种相变合金。通常，硫族化物合金含有一种或多种元素周期表第VI族的元素。最适合的一类合金是GeSbTe合金。相变材料可通过绝缘体在通道或孔隙中成形。相变材料可与在孔隙各端部上的上部电极和下部电极相连接。一个存在的问题是绝缘体和相变材料之间的粘附性较差本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法包括：限定一个单一开口；在所述开口中形成杯状相变材料；以及在该杯状相变材料中形成热绝缘材料。

【技术特征摘要】
US 2001-9-7 09/948,8301.一种方法包括限定一个单一开口；在所述开口中形成杯状相变材料；以及在该杯状相变材料中形成热绝缘材料。2.根据权利要求1所述的方法包括形成电极和阻挡层，所述电极通过所述阻挡层与所述相变材料相连接。3.根据权利要求1所述的方法包括形成与所述相变材料电连接的电极并使用阻挡层将所述电极中的物质与所述相变材料相隔离。4.根据权利要求1所述的方法包括绝缘所述相变材料以减少向上的热损失。5.根据权利要求1所述的方法包括使用平面化处理限定所述相变材料。6.根据权利要求5所述的方法包括使用化学机械抛光技术限定所述相变材料。7.根据权利要求1所述的方法包括在所述单一开口中限定侧壁衬垫。8.根据权利要求7所述的方法包括在所述开口中限定电极。9.根据权利要求8所述的方法包括使用所述侧壁衬垫限定所述相变材料的杯形形状。10.一种存储器包括支承构件；在所述支承构件上的绝缘体，所述绝缘体具有在所述绝缘体中限定的开口；在所述开口中的杯状相变材料；以及在所述杯状相变材料中的热绝缘材料。11.根据权利要求10所述的存储器，其特征在于，所述热绝缘材料充满所述杯状相变材料。12.根据权利要求10所述的存储器包括电极和在所述电极和所述相变材料之间的阻挡层，所述电极通过所述阻挡层与所述相变材料相连接。13.根据权利要求10所述的存储器包括与该相变材料电连接的电极以将该电极中的物质与该相变材料相隔离。14.根据权利要求10所述的存储器包括在该相变材料上的绝缘体以减少向上的热损失。15.根据权利要求10所述的存储器，其特征在于，所述相变材料是单一的。16.根据权利要求15所述的存储器包括在所述单一开口中的侧壁衬垫。17.根据权利要求16所述的存储器包括在所述开口中的电极。18.根据权利要求17所述的存储器，其特征在于，所述杯状相变材...

【专利技术属性】
技术研发人员：TA劳里，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]