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英特尔公司专利技术
英特尔公司共有18493项专利
双侧排热装置与方法制造方法及图纸
本发明描述了将微电子器件平行安装到基片上的方法和装置,所述基片具有插入构件和两个散热器,所述基片的每一侧上各有一个所述的散热器。
在划片格线中形成缺陷预防沟槽制造技术
本发明提供了一种对微电子器件晶片进行划片的方法,该方法包括在微电子器件晶片上的至少一个划片格线中形成至少一个沟槽,其中该沟槽防止由于随后利用晶片切割机进行划片而造成在微电子器件晶片互连层中的开裂和/或分层问题。
集成电路封装件、热界面层、耦合方法及提供导热通路方法技术
在说明书和附图中描述和示出的本发明的实施例是使用在管芯和热管理辅助装置之间的热界面层中的碳纳米管便于对半导体管芯冷却和接地的工艺和封装。所公开的实施例将所述碳纳米管定位和使其具有一定尺寸,以利用其高导热性和导电性,便于使热和电流流到热管...
半导体器件的封装和插座及封装和插座的连接方法技术
一种在模具和电气设备之间提供电触点的系统包括模具和封装。该封装包括第一主表面、第二主表面、第一圆齿边缘、第二圆齿边缘和适合于插入槽的实心端。该实心端和圆齿边缘可携载大于输入/输出信号所需电流的电流。该插座包括底座,该底座中有一开口,适合...
去耦电容的表面安装焊料方法和设备及制造过程技术
一种使诸如处理器等的高性能微电子设备成组的系统响应部件瞬态。在一个实施例中,该系统包括置于Vcc电气凸起和Vss电气凸起之间的去耦电容器。去耦电容器具有Vcc和Vss端子。Vcc和Vss端子与Vcc电气凸起和Vss电气凸起共享电气焊盘。...
微电子组件、其制造方法以及包含该组件的计算机系统技术方案
一种微电子组件包括具有第一表面和第二表面的柔性基板,它还具有微电子管芯部分和外部互连部分。基板具有与其集成的导电轨迹。第一微电子管芯具有有效表面,该有效表面电连接到基板微电子管芯部分中的基板第一表面。第二微电子管芯通过其有效表面电连接到...
使用碳纳米管和CVD增加热界面的导热率制造技术
本发明涉及形成集成电路封装的结构和方法,所述封装使用了热界面材料层,所述热界面材料层具有附着到所述层表面的定向排列碳纳米管阵列。所述热界面材料是通过化学气相沉积法沉积的金刚石。碳纳米管通过等离子放电方法形成在CVDD表面上,并且还可以形...
组合存储器制造技术
一种存储器包含第一交叉点存储器和第二存储器。该交叉点存储器包括设置于第一导体和第二导体之间交叉点上的存储器元件。在第一和第二存储器里的存储器元件能存在多个状态。第一和第二存储器以叠层取向排列,并共享数据输入和输出。
绝缘体上半导体装置和方法制造方法及图纸
本发明公开了一种用于生产相对薄的、相对均匀的具有提高的载流子迁移率的半导体层的方法和装置。在实施例中,为了在绝缘体装置上形成相对薄的、相对均匀的半导体,在半导体衬底上形成晶格匹配的绝缘体层,并且在所述绝缘体层上形成晶格匹配的半导体层。在...
SOI基片上的N-P对接制造技术
用于将一个晶体管的源极/漏极区域与另一个晶体管的源极/漏极区域连接在一起而不使用叠加金属的SOI连接。这几个区域通过水杨苷(a salicide)毗连在一起。
用于MOSFET的铟-硼双盐注入制造技术
一种方法,包括形成具有沟道区域的晶体管器件;将第一盐注入沟道区域;以及将不同的第二盐注入沟道区域。一种装置,包括形成在基板上的栅极电极;形成在基板中、栅极电极下、以及接点之间的沟道区域;沟道区域中的包括第一种类的第一盐注入物;以及沟道区...
具有背侧面空穴安装电容器的电子封装及其加工方法技术
电子封装(例如集成电路封装)包括在封装的背侧面上的空穴(410,图4),所述背侧面是到下一级互连件的连接器(408,图4)位于其上的同一侧面。所述空穴内有触点(412,图4),其使得一个或多个离散电容器(402,图4)可被电连接到该封装...
低阻抗集成电路的电源/地结构制造技术
一种集成电路,所述集成电路包括全都安装在衬底上的管芯、电源端和地端。所述电源端包括主体和从主体突出的第一延伸部分,所述地端包括主体和从主体突出的第二延伸部分。所述地端上的第二延伸部分与所述电源端上的第一延伸部分相邻,以抵消由于通过所述电...
平坦化半导体器件和钝化层的方法技术
一种制造微电子元件的方法,包括: 在衬底上形成器件层; 在器件层上形成硬掩模层; 在硬掩模层上形成抗蚀剂掩模,来限定暴露的硬掩模层; 从器件层上除去暴露的硬掩模层以形成限定暴露的器件层的硬掩模; 从衬底上除...
在衬底上形成亚微米尺寸结构的方法技术
一种在衬底上形成亚微米尺寸结构的方法,包括: 在所述衬底上形成宽度限定台阶; 在所述宽度限定台阶的边缘上形成宽度限定层; 回蚀所述宽度限定层,以留下紧邻所述宽度限定台阶的隔片; 在所述衬底上形成长度限定台阶; ...
制造具有高介电常数栅极电介质的半导体器件的方法技术
一种用于制造半导体器件的方法,包括: 在衬底上形成高介电常数栅极电介质层; 在所述高介电常数栅极电介质层上形成覆盖层; 氧化所述覆盖层,以在所述高介电常数栅极电介质层上形成覆盖电介质氧化物;然后 在所述覆盖电介质...
溅射金属汽相淀积期间的冷凝物声流制造技术
一种方法,包括: 使用物理汽相淀积,把金属溅射到半导体晶片的开孔中;以及 在所述金属被溅射到所述晶片开孔中时把声能直接施加到晶片上。
具有更密集触点布置且允许排布迹线的电子组件制造技术
本发明描述了一种电子组件,该电子组件具有衬底和在该衬底上的触点,这些触点以这样的方式被间隔开和布置,即触点更加密集地布置但仍允许在所述触点间排布迹线。
使用连续折叠工具形成折叠型堆叠封装器件制造技术
本发明的实施方案包括:柱塞、加热元件,以及第一和第二臂。柱塞用粘合剂将第一单元贴附到第二单元。第一单元和第二单元在柔性载带的条带上。该条带在折叠基础单元上。折叠基础单元将第一单元折叠到第二单元之上。加热元件被附着在到柱塞上,以固化粘合剂...
具有双向环路互连的多处理器芯片制造技术
本发明的实施例总体上涉及多个部件在单个基片上的片上集成,尤其是通过双向环路互连的多个处理器的片上集成。一种半导体芯片的实施例包括多个处理器、处理器之间共享的地址空间、和耦合处理器和地址空间的双向环路互连。一种方法的实施例包括:计算在多个...
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