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英特尔公司专利技术
英特尔公司共有18493项专利
包含硅氧烷基芳族二胺的底层填料和模塑配混料制造技术
一种装置,它包括:包含第一组接触点的第一基板;包含第二组接触点的第二基板,第二组接触点通过第一组接触点的一部分和第二组接触的一部分之间的互连联接到第一基板;放置在第一基板和第二基板之间的包含硅氧烷基芳族二胺的组合物。
包括用于具有错排接合盘的集成电路的优化驱动器布局的半导体器件制造技术
具有错排接合盘和优化驱动器布局的集成电路管芯的实施方案包括具有外环接合盘和内环接合盘的错排接合盘阵列。用于外环接合盘的驱动器/ESD线路单元被置于所述接合盘的外侧(在外环接合盘和最近的管芯边缘之间)。用于内环接合盘的驱动器/ESD单元被...
三栅极器件及其加工方法技术
本发明公开了一种半导体器件,包括形成在衬底上的半导体主体,其具有顶表面和横向相对的侧壁。在半导体主体的顶表面上以及半导体主体的横向相对的侧壁上形成栅极电介质层。在半导体主体的顶表面上的栅极电介质上,并与半导体主体的横向相对的侧壁上的栅极...
具有带有圆形转角边缘部分的芯片的电子部件以及制作该部件的方法技术
本发明提供一种包括承载底板(36)、芯片(20)、以及固化的填充材料(38)的电子部件。承载底板(36)具有上表面。芯片(20)具有芯片底板和形成在该芯片底板的一侧上的集成电路(20)。芯片(20)具有下主表面正对上平面、上主表面、以及...
半导体装置及其使用的方法制造方法及图纸
本发明的一些实施例包括提供碳掺杂区和凸起的源/漏区以在NMOS晶体管沟道中提供张应力。
多层相变存储器制造技术
相变层可以响应电激励在较多和较少导电状态之间转换。相变层可以布置在起电极、电阻加热器和绝缘隔板作用的非转换双向材料的上面。相变层可以布置在起电极、电阻加热器和热障作用的非转换双向材料的上面。
微电子封装方法和装置制造方法及图纸
本发明涉及用于通过在阵列中层叠多个微电子封装并控制封装到封装可伸缩性而不压迫载体基片并不限制信号和输入/输出引线数量而提升微电子封装密度的装置和方法。特别是,其中具有导电提升件的中间基片被用于使能封装到封装互连的间距控制、投影距离的控制...
喷涂或层压处理厚ILD层的方法及装置制造方法及图纸
本发明涉及一种在可控塌陷芯片连接(C4)凸块下制造带有一个或多个晶片级厚金属层的互连结构的工艺流程。该互连结构可被用于微处理器的后端互连。该工艺流程可包括在具有大纵横比结构的表面通过喷涂或层压来构成层间电介质。
具有折叠柔性衬底的电子封装及其生产方法技术
提供了一种电子封装以及构造方法。将一个微电子管芯安装在柔性衬底上。在该管芯上注入成型模罩。该模罩具有所述柔性衬底包绕的弯曲凸表面。所述柔性衬底的折叠由所述边缘表面所控制,从而减少了缺陷,确保了各封装间形状因数的一致性并且允许包括相对具有...
用于双衬底封装的方法和装置制造方法及图纸
揭示了具有在其内部形成的直通通道的半导体管芯。第一导电层在所述管芯的正面形成而耦合至所述直通通道的第二导电层在所述管芯的背面形成。第一封装衬底电气耦合至所述第一导电层,而第二封装衬底电气耦合至所述第二导电层。在另一个实施例中,衬底球电气...
具有对准的碳纳米管的热界面材料制造技术
本发明的实施例提供了热界面材料。在一个实施例中,将碳纳米管与对准材料组合。对准所述对准材料,它使得碳纳米管对准并有效地传导热量。例如,对准材料可以是粘土材料或液晶材料。
一种具有高k栅介质层和硅化物栅电极的半导体器件的制造方法技术
描述了一种制造半导体器件的方法。该方法包括:在衬底上形成高k栅介质层,在该高k栅介质层上形成阻挡层,和在该阻挡层上形成全硅化物栅电极。
散热器组件制造技术
一些公开的实施方案包括具有支撑压件、螺丝、弹簧的集成散热器组件,所述支撑压件被设置来通过所述散热器的支撑基座中的开孔的底部,所述螺丝被设置来通过所述散热器的支撑基座中的所述开孔的顶部,所述弹簧被调适来使所述螺丝相对于所述散热器发生偏移,...
沸石-碳掺杂氧化物复合低K电介质制造技术
在此描述了形成沸石一碳掺杂氧化物(CDO)复合电介质材料的方法。沸石颗粒可以被分散在溶剂中。然后,沸石溶剂溶液被沉积在基础层(例如晶片或其他介电层)上。随后,至少一些溶剂被除去以形成沸石膜。然后,CDO可以被沉积在沸石膜中以形成沸石-C...
具有改进的非本征基极区的双极结晶体管以及制造方法技术
描述了双极型晶体管及其制造。通过在第一外延层(23)上生长更重掺杂的第二外延层来形成非本征基极区(40)。所述第二层在上覆的多晶硅发射极基座(28)下延伸并与其绝缘。
低电感通孔结构制造技术
在一个实施例中,一种用于形成半导体装置的方法,其包括在衬底第一表面上形成第一和第二通孔,并且这两个通孔同轴;在第一个通孔中,在衬底的第一表面和第二表面之间形成第一导电通路;在第二通孔中,在衬底的第一表面和第二表面之间形成第二导电通路。
用于通过减少自对准硅化物界面电阻改善晶体管性能的方法技术
本发明的实施例通过使用用于源极和漏极区的硅锗合金以及镍硅锗自对准硅化物(即,自对准硅化物)层以形成源极区和漏极区的接触表面来减小晶体管的外电阻。基于硅锗和硅化物之间减少的金属半导体功函数数以及与硅相比硅锗中增加的载流子迁移率,硅锗和镍硅...
拣选碳纳米管的方法技术
提供了拣选纳米管和在选择性的纳米管类型的基础上形成器件的方法。本公开提供了拣选在场效应晶体管、二极管和电阻器的形成中有用的半导体性纳米管的方法。本公开也提供了拣选在互连器件的形成中有用的金属性纳米管的方法。所述的方法包括纳米管的选择性耗...
使用碳掺杂层和无碳氧化物层的双镶嵌工艺制造技术
描述了使用掺杂和非掺杂氧化物ILD的镶嵌工艺。在碳掺杂和无碳氧化物之间的选择性除了为结构提供机械强度之外,还为ILD之间提供了蚀刻终止。
具有热电元件来冷却管芯的微电子组件及其制造方法技术
提供一种微电子组件,所述微电子组件具有形成在管芯上的热电元件,使得在电流流经所述热电元件时将热从所述管芯泵送走。在一个实施方案中,热电元件被集成在管芯有源侧上的传导互连元件之间。在另一个实施方案中,热电元件在管芯的背侧上并且被电连接到所...
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