一种用于从集成电路装置中吸热的增强型散热系统和方法，包括具有上方和下方外表面区域的传热芯。系统还包括具有径向延伸散热片的第一阵列的第一传导环。第一传导环与上方表面区域热耦合。传热芯包括第一阵列，下方外表面区域的大小足以在将散热装置安装在...

一种掺杂多晶硅结构无需蚀刻多晶硅就可以形成。可以覆盖图样化的多晶硅（１４），在多晶硅覆盖物（１６，１８）上形成开口，然后可以通过该开口来掺杂所述多晶硅。结果，在一些场合下，可以避免对掺杂多晶硅进行麻烦的蚀刻。

一种装置包括：　　　　设置在衬底上的金属层，所述金属层具有至少一个盘；以及　　　　设置在所述金属层上的盖覆层，所述盖覆层具有第一部分以提供与探针的接触以及第二部分以提供连接表面，所述盖覆层被电耦合到所述至少一个盘。

一种晶体管，包括：　　　　由形成在绝缘衬底上的窄带隙半导体膜形成的沟道区；　　　　形成在所述低带隙半导体膜上的栅极电介质；　　　　形成在所述栅极电介质上的栅极电极；以及　　　　由具有比所述低带隙半导体膜更宽带隙的半导体膜形成的一对源极区...

一种制造刚性金属芯承载衬底的方法，包括：　　　　以金属片的形式提供金属芯，所述金属片具有第一侧、相对的第二侧，以及至少一个通孔，所述的金属芯具有至少２０Ｇｐａ的弯曲弹性模量；　　　　以预定图形沉积电介质材料而形成电介质层，所述沉积是在所...

沉积掺碳氧化物（ＣＤＯ）。一种沉积方法，包括提供衬底；以及在衬底存在的情况下，将氧导入到掺碳氧化物前体中。掺碳氧化物膜形成在衬底上。在另一种方法中，衬底被放置在化学气相沉积装置的基座上。辅助气体随同掺碳氧化物前体和氧一起被导入，以在衬底...

一种方法，包括：　　　　在半导体衬底上，在一个互补金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）集成电路中形成晶体管的侧壁和电介质；　　　　在由所述侧壁和电介质形成的沟槽内形成ｎ型和ｐ型金属栅结构。

一种封装系统，包括：　　　　安装衬底上的倒装芯片；　　　　所述倒装芯片和所述安装衬底之间的底部填料混合物，其中所述底部填料混合物包括主要底部填料组合物，所述主要底部填料组合物选自超环氧乙烷、苯并环丁烷，以及它们的组合。

一种电容器，其特征在于，包括：　　　　多层由电介质层隔开的导电层；　　　　在多层导电层的第一层中的第一极板和第二极板，所述第一和第二极板由第一缝隙隔开；　　　　在第一极板上的第一组多个接触片；和　　　　在第二极板上的第二组多个接触片。

一种形成微电子结构的方法，其特征在于，包括：　　　　在基片层中形成一系列金属层，系列中的这些金属层由金属间间隙分开；　　　　平面化所述金属层和基片层以形成基本平面的表面；　　　　差别平面化所述基本平面的表面，以降低相对于金属层的水平高度...

一种方法，它包括：　　　　设置一衬底；　　　　在所述衬底上形成一氧化物埋层；　　　　在所述氧化埋层上形成一薄硅体层，所述薄硅体层的厚度为３－４０纳米；　　　　在所述薄硅体层上形成一垫氧化物层；　　　　在所述垫氧化物层上形成一氮化硅层；　...

一种形成微电子电路元件的方法，包括：　　　　形成牺牲层，所述牺牲层具有在支撑层的上表面上的下表面；　　　　形成定高层，所述定高层具有在所述牺牲层的上表面上的下表面；　　　　除去牺牲层，从而在所述支撑层的所述上表面和所述定高层的所述下表面...

一种用于制造具有改良导热性和频响性封装的方法和装置。相对较厚的基片，例如铜，在一个表面粘合有布线层，其相对面暴露在外，例如成为用来连接散热器的表面。一个或多个芯片粘合在布线层上，同时一个阵列的连接体，例如焊料球被提供在芯片外围用于连接至...

一种从电子组件散逸热量的散热器包括芯以及多个从所述芯向外延伸的翅。所述翅可以是至少部分弯曲的。每个翅可以分裂成多个从所述芯延伸出去的齿。

为了适应与高性能集成电路相关的高功率密度，集成电路（ＩＣ）封装件包括散热结构，其中热量从一个或多个电路小片排散到散热器。散热器具有形成在其中的流体引导通道，并且流体冷却剂借助微型泵经通道循环。在一实施例中，该通道位于散热器的表面处或在其...

一种设备和系统及其制造方法可包括具有表面的电路小片和包括锡、纯锡或大致纯的锡的联接于表面上的原料。散热元件可联接于原料上。

一种用于在要容纳集成电路管芯的衬底上堆积底部填充材料胚的模板和方法。

一种钝化刚刚被蚀刻的金属结构的方法，包括在衬底上提供金属表面，所述金属表面已经由第一粒子束蚀刻，将所述金属表面曝露给钝化气体，并且在钝化气体存在的情况下将刚刚蚀刻的金属结构曝露给第二粒子束。第二粒子束可以包括电子束，离子束或激光束。钝化...

本发明的一实施例涉及具有低截止漏电流的半导体器件的制造方法。第一器件的栅极结构形成在具有硬掩模的衬底层上。沟道在栅极结构下面形成并具有一定宽度用于支撑栅极结构。在衬底层上淀积一层氧化物或介电层。在氧化物层上淀积一层掺杂多晶硅层。在第一器...

示出了一种制造多层热界面材料的工艺。该多层热界面材料附装在集成散热器和管芯之间。多层热界面材料的处理包括冲压或其他的压力处理。