公开了基于半导体波导的光接收机。根据本发明方案的装置包括包含紧邻第二类型半导体区的第一类型半导体区的吸收区。第一类型半导体吸收在第一波长范围中的光，第二类型半导体吸收在第二波长范围中的光。限定倍增区以紧邻吸收区并与吸收区分开。倍增区包括...

提供一种微电子组件，所述微电子组件具有形成在管芯上的热电元件，从而在电流流经所述热电元件时将热从所述管芯泵送走。在一个实施方案中，热电元件被集成在管芯有源侧上的传导互连元件之间。在另一个实施方案中，热电元件在管芯的背侧上并且被电连接到所...

本发明公开了一种防止横向氧化穿过对氧扩散高度可渗的诸如高ｋ栅电介质的栅电介质的方法和装置。根据本发明的一个实施例，在衬底上形成栅极结构，该栅极结构具有氧可渗栅电介质。然后在该栅极结构的侧壁上形成氧扩散阻挡层，以防止氧横向扩散到氧可渗栅电...

本发明的各个实施方案涉及ＰＭＯＳ器件，所述ＰＭＯＳ器件具有在衬底上的硅锗材料晶体管沟道、栅电介质、栅电极导体材料以及在所述栅电极导体材料上的栅电极半导体材料，其中所述栅电介质具有比所述沟道上的二氧化硅的介电常数大的介电常数，所述栅电极导...

本发明的实施方案提供用于为绝缘体上硅晶体管制造实现一致硅体高度的方法。对于一个实施方案来说，牺牲氧化物层被设置在半导体衬底上。蚀刻所述氧化物层以形成沟槽。然后用半导体材料填充沟槽。然后以氧化物层的剩余物为基准，平坦化半导体材料，并且然后...

一种装置包括：　　　　具有前表面及与所述前表面相对的后表面的集成电路（ＩＣ）管芯，所述前表面上形成有集成电路；　　　　用于在所述ＩＣ管芯的后表面上限定至少一个微通道的构件，所述微通道允许冷却剂流经其中；以及　　　　所述至少一个微通道中的...

制造包括邻接导电焊盘的粘附层、邻接粘附层的含钼阻挡层、邻接含钼阻挡层的润湿层以及邻接润湿层的高含锡量焊接材料的凸块下金属化结构的装置和方法。可将润湿层基本包含于高含锡量焊料中以形成金属间复合层。含钼阻挡层防止高含锡量焊接材料中的锡的移动...

描述了一种在ＳＯＩ基片上制造的ＤＲＡＭ，所述ＤＲＡＭ使用单一主体器件作为存储单元，不依赖于通过ＳＯＩ的绝缘层的场。通过以下方法来限定浮体器件：以与形成在绝缘层上的每一个主体的前栅和背栅两者正交的方式设置各线条。硅线条（１０）包括相反导电...

本申请公开了一种包含衬底的装置，所述衬底包括许多导电层和夹在导电层之间的纳米复合层间电介质（ＩＬＤ），其中纳米复合ＩＬＤ层包括纳米复合材料，所述纳米复合材料包含具有许多纳米粘土粒子分散在其中的聚合物，纳米粘土粒子具有高的径厚比。还公开了...

一种晶体管包括在形成于衬底上的栅电介质层上形成的栅电极。在栅电极的横向相对侧壁的相对侧上的衬底中形成一对源／漏区。栅电极具有形成于栅电介质层上和源区与漏区之间的衬底区上方的中心部分，以及与一部分源／漏区重叠的一对侧壁部分，其中中心部分具...

通过利用包括热色和非热色墨水的组合的三维多层识别贴片，防止半导体封装上的识别标记被伪造。

描述了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上形成第一电介质层，然后在所述第一电介质层内形成沟槽。在衬底上形成第二电介质层之后，在所述第二电介质层的第一部分上的沟槽内形成第一金属层。然后在所述第一金属层上和在所述第二电介质层的第...

本发明提供一种方法，其中光敏材料层被直接图形化。然后，所述光敏材料至少被部分地分解来在所述层中留下空孔或气隙，以提供具有减少的电阻电容延迟特性的低介电常数层。

方法和系统提供与各种工业标准插座兼容的半导体管芯，其中每种类型的插座由不同的引脚映射进行标识。在一个实施方案中，管芯具有多条信号线、一个或更多个表面接触体和耦合到所述信号线和所述表面接触体的一个或更多个信号选择器。每个信号选择器基于编程...

一种具有高张应力的半导体器件。该半导体器件包括具有源区和漏区的衬底。源区和漏区中的每一个分别包括多个分开的源极部分和漏极部分。在源区的两个分开的源极部分之间以及在漏区的两个分开的漏极部分之间形成浅沟槽隔离（ＳＴＩ）区域。在衬底上形成栅堆...

一种制造散热装置的设备和方法，该散热装置包括由纳米线制造的用于从微电子管芯上的至少一个高热区吸取热的至少一个热电器件。纳米线可由含铋材料形成且可以是最优性能的束。

说明一种形成集成电路封装的焊料凸起的方法。焊膏由具有如下特性的材料形成：在焊膏回流之前沉积的焊膏块（２１４）当暴露在ＵＶ辐射下时基本保持其几何形状。

本发明的实施例提供一种微电子器件，该器件具有设置在芯片与衬底之间的散热器，芯片电连接到所述衬底上。对于本发明的一个实施例，散热器是热膨胀系数近似等于芯片的热膨胀系数的散热片。

描述了形成微电子结构的方法。这些方法包括在衬底上形成金刚石层，其中所述金刚石层的部分包括缺陷；以及随后通过从所述金刚石层去除缺陷，在所述金刚石层中形成孔。

本发明的实施例是一种提供具有可控的热膨胀系数（ＣＴＥ）的介电膜材料的技术。形成含有第一液晶组分的第一化合物。将第一化合物压铸成第一膜。该第一膜在磁场或电磁场中被取向为第一方向。使该第一膜在第一温度下固化。