【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】背景由于微处理器在复杂性和工作速率方面持续提高，工作期间在微处理器中产生的热量增加，并且用于微处理器的冷却系统的需求也逐步增长。一个具体的问题由所谓的“热点”(hotspot)造成，在热点处，微处理器管芯的局部区域内的电路元件使该区域的温度高于管芯的平均温度。由此，将管芯的平均温度保持在目标水平以下可能并不满足需要，因为即使当满足总的冷却目标时热点处的过多发热仍可导致局部器件故障。附图简述附图说明图1是根据一些实施例所提供的的具有用于管芯的冷却系统和封装的一部分的集成电路(IC)管芯的部分侧横截面示意图。图2是沿图1中的线II-II所取的从上方观察的部分横截面示意图。图3是示出图1的管芯的框图，具有用于管芯的冷却系统的附加部件。图4是类似于图1的视图，它示出了根据一些其它实施例所提供的IC管芯及冷却系统和管芯封装的一部分。图5是类似于图1和4的视图，它示出了根据另外一些其它实施例所提供的IC管芯及冷却系统和芯片封装的一部分。图6是计算机系统的框图，它包括与如图1-5中的一个或多个的冷却系统相关联的IC管芯例子。详细描述图1是根据一些实施例所提供的具有冷却系统12和管...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种装置包括具有前表面及与所述前表面相对的后表面的集成电路(IC)管芯，所述前表面上形成有集成电路；用于在所述IC管芯的后表面上限定至少一个微通道的构件，所述微通道允许冷却剂流经其中；以及所述至少一个微通道中的至少一个薄膜热电冷却(TFTEC)器件。2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述至少一个TFTEC器件形成于所述IC管芯的后表面上。3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述构件具有面向所述IC管芯的后表面的前侧，所述构件的前侧中具有至少一个凹槽以限定所述至少一个微通道。4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述构件是集成散热器。5.如权利要求4所述的装置，其特征在于，所述构件由铜形成。6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述构件由硅形成。7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述构件由铜形成。8.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述冷却剂包括水。9.如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述冷却剂是去离子水。10.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述TFTEC器件包括硅锗超晶格和碲化铍中的一种。11.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述构件键合到所述IC管芯的后表面。12.如权利要求11所述的装置，其特征在于，还包括散热器；所述构件置于所述散热器和所述IC管芯的后表面之间；所述至少一个微通道包括由所述IC管芯的后表面和所述构件中的凹槽限定的第一层微通道；以及由所述构件的后表面和所述散热器中的凹槽限定的第二层微通道，所述第二层微通道在所述第一层微通道之上。13.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述至少一个TFTEC器件形成于所述IC管芯的后表面上。14.如权利要求11所述的装置，其特征在于，还包括散热器；所述构件置于所述散热器和所述IC管芯的后表面之间；所述至少一个微通道包括由所述IC管芯的后表面和所述构件中的凹槽限定的第一层微通道；以及由所述散热器的前表面和所述构件中的凹槽限定的第二层微通道，所述第二层微通道在...
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