英特尔公司专利技术

英特尔公司共有18493项专利

  • 一种用于用铝硅酸盐前体形成高机械强度、低k值、层间介电材料使得铝容易地被结合到材料的硅基质中的方法,和一种包含一个或多个这样形成的高强度、低k值层间介电层的集成电路设备。
  • 公开了生成带有大于和/或小于规定波长范围的波长的电磁辐射的闪光灯装置。
  • 本发明的一些实施例包括用于键合芯片和散热器的经涂覆的热界面。该经涂覆的热界面可以用于在没有助焊剂的情况下键合芯片和散热器。还描述和要求其它实施例。
  • 一种封装系统,包括:    安装衬底上的倒装芯片;    所述倒装芯片和所述安装衬底之间的底部填料混合物,其中所述底部填料混合物包括主要底部填料组合物,所述主要底部填料组合物选自倍半硅氧烷、热固性液晶单体,以及它们的组合。
  • 穿过单元边界桥接标准单元设计中的扩散区。减少了浅沟槽隔离,并且减小了氮化物钝化厚度变化。
  • 公开了一种设置在管芯上的金刚石微通道结构以及形成该金刚石微通道结构的方法。每个通道的一个或多个壁可以由金刚石(或者其它类金刚石材料)构成。该微通道结构可以形成用于管芯的流体冷却系统的一部分。介绍其它实施例并要求其权利。
  • 通过在先前由被图案化的栅极结构占据的沟槽中沉积金属层来形成互补金属氧化物半导体金属栅极晶体管。在一个实施例中,被图案化的栅极结构可由多晶硅形成。金属层可以具有最适用于形成一种类型的晶体管的功函数,但用于形成n和p型这两种晶体管。金属层的...
  • 一种用于实施批次喷洒的方法,包括:提供设置在转盘上的衬底,旋转转盘以使衬底绕转盘的中心轴旋转,使衬底不依赖于转盘而独立旋转,其中衬底的旋转和转盘的旋转同时发生,以及从至少一个固定的位置将化学制品喷洒到衬底上。使衬底不依赖于转盘而独立旋转...
  • 公开了一种制备具有导电聚合物电极的铁电存储模块的方法,和根据该方法制备的铁电存储模块。铁电聚合物存储模块包括第一组层,该第一组层包括:在其中限定沟槽的ILD层(102);布置在沟槽中的第一电极层(104);布置在第一电极层(104)上的...
  • 用于制造包含内置TEC的微电子组件的方法,一种包含内置TEC的微电子组件,以及一种包含微电子组件的系统。该方法包括提供微电子装置,以及将TEC直接制造到微电子装置上使得在TEC和微电子装置之间不存在安装材料。
  • 根据一些实施例可以提供用于低成本液体冷却的系统。在一些实施例中,系统包括具有第一端和第二端的芯,其中,芯限定了在第一端和第二端之间延伸的腔;多个在第一端和第二端之间从芯向外延伸的散热片;接受流体的入口;排出流体的出口;和布置在芯的腔内的...
  • 在一些实施例中,一种装置可包括:半导体管芯;附连到管芯的弹性体层;附连到弹性体的带状引线,一部分带状引线通过弹性体暴露以与管芯连接;附连到带状引线的聚合树脂;以及附连到聚合树脂的导热衬底,以使导热衬底能扩散来自半导体管芯的热量。
  • 描述了一种制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上形成第一介电层,在第一介电层之内形成沟槽,以及在衬底上形成第二介电层。第二介电层具有形成于沟槽中的第一部分,以及第二部分。在于所述第二介电层的所述第一和第二部分上形成具有第一功函数的第一...
  • 描述了一种半导体器件的制造方法。该方法包括将氮添加到二氧化硅层以在衬底上形成氮化二氧化硅层。在氮化二氧化硅层上形成牺牲层后,去除牺牲层以形成沟槽。在沟槽内的氮化二氧化硅层上形成高k栅介电层,且在高k栅介电层上形成金属栅电极。
  • 可以使用碳纳米管网状结构原位测量微电子集成电路封装中的应力。伸展在直立结构之间的一列碳纳米管可用于在二维上测量局部应力。由于碳纳米管的特性,可以实现高精确的应力测量。在某些情况下,碳纳米管和直立结构可以固定在衬底上,该衬底随后附着在微电...
  • 柔性导电互连,包括由于工艺条件而易于失效的层间电介质的集成电路可通过借助导电聚合物上的焊料球将集成电路连接至衬底而得到保护。导电聚合物允许将电流导入或导出集成电路,并提供对包括机械挠动和热膨胀以及收缩的应力的缓冲。结果,可以使用相对较低...
  • 一种制造微电子结构的方法,包括:    在衬底层附近形成薄膜;    在该薄膜附近形成掩模结构,使该薄膜的掩蔽部分位于掩模结构与衬底层之间,该薄膜的暴露部分保持暴露;    将离子注入到暴露部分中,从而在结构上改变该暴露部分,掩模结构保...
  • 一种系统包括:热交换器,其包括:限定了腔(226)的芯(222);多个从芯(222)向外延伸的散热片(224);和布置在芯(222)的腔(226)内的元件(240),其中,该元件(240)用于引导腔(226)内的流体。
  • 在某些实施例中,系统包括了电路板,第一芯片,和叠置在第一芯片上的第二芯片。第一芯片耦合于电路板和第二芯片之间,并且该第一芯片包括用于将第一芯片接收的命令转发给第二芯片的电路。对其它的实施例进行了说明。
  • 可以通过改变封装表面的粗糙度和表面化学性质来控制聚合物成分在集成电路封装中的流动。可以通过形成尺寸小于500纳米的突起来改变表面粗糙度,并且可以通过化学或等离子体处理来控制它们的化学性质。通过具有相同通性的颗粒可以使亲水性表面成为半吸水...