在平滑的硅衬底上形成缓冲层和高－ｋ金属氧化物介电层。衬底平滑可以减小高－ｋ金属氧化物栅电介质的柱状生长。在沉积之前可以使用羟基末端使衬底表面饱和。

公开了用于由硅或其他半导体材料形成布线的方法。还公开了包括这种半导体布线的各种装置。根据一个实施例，布线与下面的衬底分隔开，并且布线在第一端部和相对的第二端部之间延伸，第一和第二端部中的每一个都贴附于衬底。介绍并要求保护其他实施例。

介绍了一种在半导体器件中的低ｋ、较高Ｅ的多孔陶瓷膜的选择和形成方法。选择具有较高杨氏模量和较低介电常数的陶瓷材料。通过使该膜多孔化来减小ｋ。

在某些实施例中，一种系统包括插座，该插座具有暴露在其第一侧上的第一组插座触点和暴露在其第二侧上的第二组插座触点；以及框架，该框架包含与插座的第二侧的两个下表面接合的至少一个表面。这两个下表面可以通过插座的第二侧的下拐角面相耦合，并且其中...

一些气密性密封的器件（诸如微机电系统（ＭＥＭＳ））可能对高处理温度敏感。但是，密封应该能够耐受例如在器件操作期间可能遇到的较高的温度。气密性密封可以通过无助焊剂焊接途径来实现，所述无助焊剂焊接途径包括包含诸如铟（Ｉｎ）或锡（Ｓｎ）的低熔...

本发明的例证性实施方案包括，但不限于，装备有系留插座致动装置的散热器，所述系留插座致动装置被设计成便于所述设备到集成电路（ＩＣ）插座的接合和所述设备从集成电路插座的脱离。

一种热耗散设备（１００）。该热耗散设备包括被放置在一产热设备上的接收器板（１０２）、耦合至该接收器板（１０２）的蒸发器（１０６）、被放置成与该蒸发器（１０６）液体连通的冷凝器柱（１０８）、以及从冷凝器（１０８）中伸出的一组冷凝器扩展表面...

一种热电模块具有集成在衬底层内的高导热材料区。对于一个实施例而言，铜焊盘被集成到该热电模块的热侧的衬底的外表面内。铜焊盘允许排热装置和热电模块的直接连接以降低热阻。可以贯穿衬底形成热通孔以进一步降低热阻。

集成电路（ＩＣ）封装包括衬底和安装在所述衬底的第一面上的ＩＣ管芯。所述ＩＣ封装还包括安装在所述衬底的第二面上的多个电容器。所述第二面与所述第一面相反。所述ＩＣ封装还包括多个传导接触焊盘，所述多个传导接触焊盘被形成在所述衬底的所述第二面上...

对准或覆盖以及其它工艺的改进的集成。诸如衬底之类的对准的半导体部件具有多个特征部，它们可包含于对准标记或覆盖特征部中。在对准特征部附近使用诸如实体模型化特征部之类的细长特征部。例如，可在对准区中采用线形实体模型化特征部，其中来自对准过程...

实施例涉及衬底或者发射率大于硅晶片的发射率的晶片边缘支架，其中边缘支架用于在加工以在晶片上或者晶片中形成电路器件期间支撑晶片。实施例还包括温度传感器、导热气体喷嘴，并且光子能可以引导为在退火期间检测和控制边缘支架和／或晶片边缘的温度，以...

细长特征部可至少部分地结合于对准区中。该对准区可由沿第一轴对准的多个对准特征部来限定。细长特征部的长轴可以既不平行于第一轴也不垂直于第一轴。对准特征部对准不平行于第一轴的第二轴。第二轴可以既不平行于长轴也不垂直于长轴。

可以利用具有不同栅介质的ＮＭＯＳ和ＰＭＯＳ晶体管来形成互补金属氧化物半导体集成电路。可以例如通过置换过程形成不同的栅介质。作为多个示例，栅介质可以在材料、厚度或形成技术上不同。

本发明的某些实施例涉及显示设备中有用的ＯＬＥＤ材料和用于制造这类材料的过程。ＯＬＥＤ包括与一个或多个衬底集成的极性化合物。当将极性化合物同时固化且对其施加电压或电场时，这些极性化合物朝电压的方向取向。这种取向导致从ＯＬＥＤ材料发出的光在...

本发明的多种实施例能够通过采用具有一定截面形状的管道来减少电子设备中管道爆裂的机会，这些截面形状能够变形为较大的截面面积来适应冷却剂由于凝固而引起的膨胀，而该截面的周长几乎没有增加。

在金属的形成中，在至少一个介电材料内制造原子层淀积含粘附层钽的设备和方法，其中原子层淀积含粘附层钽足够薄，以在触点内最小化触点电阻和最大化金属包括但不限于钨的总截面积。

提供了一种高迁移率半导体组件。在一个示范方面，高迁移率半导体组件包括具有位于第一衬底上〈１１０〉晶面位置处的第一参考定向的第一衬底和在第一衬底顶部形成的第二衬底。第二衬底具有位于第二衬底上〈１００〉晶面位置处的第二参考定向，其中第一参考...

一种芯片连接工具，包括贴装头、台板和振动机构，从而在分别安装于该贴装头和台板上的芯片和衬底接触时，振动该贴装头和台板中至少选定的一个。

提供了一种制造多个电子组件的方法。在器件晶片　上形成的多个集成电路的多个第一导电端子中的每一个连接至在载体晶片上形成的多个第二导电端子中的相应一个，从而形成组合晶片组件。在集成电路之间将组合晶片组件单片化以形成分离的电子组件。每个电子组...

可以利用具有不同栅电介质的ＮＭＯＳ和ＰＭＯＳ晶体管形成互补金属氧化物半导体集成电路。例如，可通过减法工艺形成不同的栅电介质。作为几个实例，这些栅电介质可以在材料、厚度、或者形成技术方面是不同的。