【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
本专利技术一般涉及半导体技术、半导体加工和互补金属氧化物半导体集成电路的形成。互补金属氧化物半导体集成电路包括NMOS晶体管和PMOS晶体管。一般来说,这些晶体管可以通过形成栅极绝缘层,然后在该介质上方形成NMOS和PMOS栅结构来形成。该栅电极结构可以由多晶硅、硅化物或金属构成。还可以在栅介质上方形成如多晶硅栅电极的伪栅电极(dummygate electrode)。然后可以移除伪栅电极并以金属栅电极替代它。在此类过程中,可以将不同金属栅电极用于NMOS和PMOS晶体管,但是利用共同的介质。因此,需要一种互补金属氧化物半导体制造技术。附图说明图1是在制造的较早阶段本专利技术一个实施例的局部放大截面图;图2是根据本专利技术一个实施例在制造的后续阶段图1所示的实施例的局部放大截面图;图3是根据本专利技术一个实施例在制造的后续阶段图2所示的实施例的局部放大截面图;图4是根据本专利技术一个实施例在制造的后续阶段图3所示的实施例的局部放大截面图;图5是根据本专利技术一个实施例在制造的后续阶段图4所示的实施例的局部放大截面图; 图6是根据本专利技术一个实施例在制造的后续阶段图5所示的实施例的局部放大截面图;以及图7是根据本专利技术一个实施例在制造的后续阶段图6所示的实施例的局部放大截面图。具体实施例方式可以利用具有不同栅介质的NMOS和PMOS晶体管来制造互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路。作为几个示例,这些介质可以在所使用的材料、它们的厚度或形成这些栅介质所使用的技术等方面不同。因此,可以针对特定类型晶体管(无论是NMOS还是PMOS晶体管)专栅设 ...
【技术保护点】
一种方法,包括:利用具有不同栅介质的NMOS和PMOS晶体管来形成互补金属氧化物半导体集成电路。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2004-6-30 10/881,0551.一种方法,包括利用具有不同栅介质的NMOS和PMOS晶体管来形成互补金属氧化物半导体集成电路。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,形成具有不同栅介质的晶体管包括形成具有不同栅介质厚度的晶体管。3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,形成具有不同栅介质的晶体管包括形成具有不同栅介质材料的晶体管。4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,形成具有不同栅介质的晶体管包括形成具有采用不同技术淀积的栅介质的晶体管。5.如权利要求1所述的方法,包括通过移除材料形成沟槽,并在所述沟槽中淀积所述栅介质。6.如权利要求5所述的方法,包括形成填充以不同材料的沟槽,并选择性地蚀刻一种材料来形成沟槽以容纳栅介质。7.如权利要求5所述的方法,包括形成用于NMOS和PMOS晶体管的其中之一的沟槽,同时掩蔽结构以形成NMOS和PMOS晶体管的其中另一个。8.如权利要求1所述的方法,包括利用金属栅形成NMOS和PMOS晶体管。9.如权利要求1所述的方法,包括对于所述NMOS栅介质使用具有较大导带偏移的材料。10.如权利要求1所述的方法,包括使用具有较高介电常数的材料作为PMOS晶体管的栅介质。11.如权利要求1所述的方法,包括对于所述NMOS晶体管使用比用于所述PMOS晶体管的介质厚的介质。12.如权利要求11所述的方法,包括使用具有介电常数大于10的材料作为所述NMOS和PMOS晶体管的介质。13.如权利要求1所述的方法,包括对于所述NMOS晶体管的所述栅介质使用二氧化硅,对于所述PMOS晶体管使用具有介电常数大于二氧化硅的介电常数的材料。14.如权利要求13所述的方法,包括使用扩散来淀积用于所述NMOS晶体管的所述介质。15.如权利要求13所述的方法,包括使用原子层淀积、金属有机化学气相淀积或溅镀淀积的其中之一形成所述PMOS晶体管的介质。16.一种集成电路,包括衬底;在所述衬底上形成的NMOS和PMOS晶体管,所述晶体管形成互补金属氧化物半导体结构,所述晶体管具有不同的栅介质。17.如权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员:M梅茨,S达塔,J卡瓦利罗斯,M多茨,J布拉斯克,R乔,
申请(专利权)人:英特尔公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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