要被冷却的集成电路可以与冷却集成电路面对面地邻接。冷却集成电路可以包括电渗泵，以泵浦冷却流体经由微通道通过所述冷却集成电路，以由此冷却生热集成电路。电渗泵可以被流体耦合到外部辐射器，所述辐射器从包括所述集成电路的封装向上延伸出去。具体来...

生成热的集成电路堆叠可以配备有介于其间的冷却集成电路芯片。所述冷却集成电路芯片可以包括用于冷却流体流动的微通道。所述冷却流体可以使用集成电渗泵来泵浦。在某些实施方案中，冷却流体气体的去除可以使用集成复合器来完成。

一种装置和方法，通过在存在阴离子等离子体的情况下激光烧蚀微电子器件晶片的至少互连层部分来分开微电子器件晶片，其中阴离子等离子体与激光烧蚀所产生的残渣反应以形成反应气体。

提供了一种制造微电子组件的方法。通过预加热无流动底部填充材料来改善无流动底部填充材料的润湿和流动特性。在一个实施例中，在被分配到基片上之前，在分配装置中预加热无流动底部填充材料。随后，将管芯置于基片上，此后管芯和基片之间的互连元件被回流...

本发明的一个实施例是一种将无源组件集成入管芯组件的技术。电容器、电感器或电阻器是集成在叠置管芯内的上部和下部管芯之间的垫片上。将导体附连至电容器、电感器或电阻器，从而将电容器、电感器或电阻器电气连接至上部和下部管芯的至少一个。

本发明各实施例涉及一种ＣＭＯＳ器件，该器件具有（１）选择性沉积在缓变硅着基片的第一区域上的硅材料的ＮＭＯＳ材料，使得选择性沉积硅材料承受由于该硅材料的晶格间距比第一区域上的缓变硅锗基片材料的晶格间距小而产生的拉伸应变，以及（２）选择性沉...

简而言之，本发明的一些说明性实施例包括一个或多个通孔一个互联器件，例如系统级封装（ＳＩＰ）器件或者系统级芯片（ＳＩＣ）器件，包括一个或多个嵌入式通孔。本发明的一些说明性实施例包括制造该互联器件的工艺。也描述并要求了其它实施例。

在其单独的芯片被封装之前，半导体晶片经历了不同的处理。这样的处理的非穷尽例举有晶片背面打磨、晶片背面金属化、用激光和锯的晶片切割、测试、好芯片标记、芯片排出和在胶带上的芯片放置。在处理的过程中需要对晶片进行机械支承。晶片也需要在制造工厂...

本发明公开了一种半导体器件，包括形成在衬底上的半导体主体，其具有顶表面和横向相对的侧壁。在半导体主体的顶表面上以及半导体主体的横向相对的侧壁上形成栅极电介质层。在半导体主体的顶表面上的栅极电介质上，并与半导体主体的横向相对的侧壁上的栅极...

可以为金属氧化物半导体场效应晶体管形成外延沉积的源极／漏极扩展。可以形成牺牲层并且蚀刻掉所述的牺牲层来在栅电极下面底切。然后，可以沉积外延硅的源极／漏极扩展以在所述栅电极的边缘下面延伸。由此，通过控制牺牲材料的蚀刻，可以控制源极／漏极扩...

揭示了一种用于形成无触点闪存存储器单元阵列的方法。根据本发明的实施例，在衬底上形成多个有源区域。然后将绝缘层淀积在有源层上面，一部分绝缘层被去除以形成一维的槽并提供到有源区域的入口。然后在槽中形成与有源区域相接触的位线。

一种方法和装置，用于在泵的启动操作时除掉液泵（１１０）内的蒸汽。此外，一种方法和装置，用于在压缩机的启动操作时除掉压缩机（２１０）内的液体。泵和压缩机每一个都包括与之相连的传感器（１２０、２２０），用于确定泵或压缩机内物质的物理状态（即...

一种用于电子部件的冷却系统，包括：　　　　多个热电元件，所述多个热电元件放置在所述电子部件的多个不同区域上；　　　　多个导体，所述多个导体被连接到所述热电元件，以向所述热电元件提供电流，从而使所述热电元件将热从所述相应的区域泵离；以及　...

描述了一种用于与安装在ＩＣ封装上的集成电路（ＩＣ）一起使用的阵列电容器。该阵列电容器包括与多个第二导电层（２０２、２０４…）交错的多个第一导电层（２０１、２０３…）和使相邻导电层分开的多个介电层（２１１－２２０）。该阵列电容器进一步包括...

描述了一种半导体器件以及形成它的方法。该半导体器件包括形成在衬底的第一部分上的金属ＮＭＯＳ栅电极和形成在衬底的第二部分上的硅化物ＰＭＯＳ栅电极。

公开了一种用于将热从散逸热的电子组件导走的散热器。所述散热器包括由可变密度石墨发泡体制品形成的热传导基体。这种具有可变的发泡体密度的石墨发泡体散热器提供了比现有散热器更高的冷却能力。

描述了形成微电子器件的方法和相关结构。那些方法包括：提供包括包含ｎ－型栅极材料的第一晶体管结构和包含ｐ－型栅极材料的第二晶体管结构的衬底，选择性地去除ｎ－型栅极材料以在第一栅极结构中形成凹进，然后用ｎ－型金属栅极材料填充该凹进。

本发明涉及在晶体管结构之上沉积一个能够在晶体管内产生晶格应力并且使性能提高的层（７１０）。可以在形成于衬底上的多个晶体管之上，或者在多个选择的晶体管之上形成应力层。

一种构图晶体膜的方法。提供具有退化晶格的晶体膜，所述退化晶格包括在第一区和第二区中的第一原子。掺杂剂代替了所述第一区中的所述第一原子，以在所述第一区中形成非退化晶体膜。第一区和第二区暴露于湿刻蚀剂，其中该湿刻蚀剂刻蚀所述第二区中的退化晶...

描述了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上形成电介质层，并且在所述电介质层第一部分上形成第一金属层，使所述电介质层的第二部分暴露。在所述第一金属层和所述电介质层的所述第二部分上都形成了第二金属层之后，在所述第二金属层上形成掩...