要被冷却的集成电路可以与冷却集成电路面对面地邻接。冷却集成电路可以包括电渗泵，以泵浦冷却流体经由微通道通过所述冷却集成电路，以由此冷却生热集成电路。电渗泵可以被流体耦合到外部辐射器，所述辐射器从包括所述集成电路的封装向上延伸出去。具体来说，外部辐射器可以被安装在管道上，所述管道将辐射器从封装延伸出去。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】背景本专利技术一般地涉及冷却集成电路。电渗泵使用电场来泵浦(pump)流体。在一项应用中，可以使用半导体制造技术来构建电渗泵。然后，电渗泵可以被应用于冷却集成电路，例如微处理器。例如，集成电路电渗泵可以被操作为单独的单元来冷却集成电路。可替换地，电渗泵可以集成的方式与要冷却的集成电路形成在一起。因为构建在硅中的电渗泵具有极小的形状因子(form factor)，所以它们可以有效地冷却相对小的器件，例如半导体集成电路。因此，存在对冷却集成电路的更好方式的需求。附图简要说明附图说明图1为根据本专利技术的一个实施方案，示出所述实施方案的操作的原理描述；图2所示为在制造的初期阶段，本专利技术的一个实施方案的放大横截面视图；图3所示为根据本专利技术的一个实施方案，在后续制造阶段的放大横截面视图；图4所示为根据本专利技术的一个实施方案，在后续制造阶段的放大横截面视图；图5所示为根据本专利技术的一个实施方案，在后续制造阶段的放大横截面视图；图6所示为根据本专利技术的一个实施方案，在后续制造阶段的放大横截面视图；图7所示为根据本专利技术的一个实施方案，在后续制造阶段沿图8中的线7-7截取的放大横截面视图；图8为根据本专利技术的一个实施方案，示出在图8中所示的实施方案的顶视图；图9为根据本专利技术的一个实施方案，示出完成的结构的放大横截面视图；图10为在制造初期阶段的复合器的描述；图11所示为根据本专利技术的一个实施方案，在后续制造阶段的放大横截面视图；图12所示为根据本专利技术的一个实施方案，在后续制造阶段的放大顶视图；图13所示为根据本专利技术的一个实施方案，沿图12中的线13-13一般截取的横截面视图；图14所示为根据本专利技术的一个实施方案，在后续制造阶段的放大横截面视图；图15所示为根据本专利技术的一个实施方案，在后续制造阶段图14中所示的实施方案的顶视图；图16所示为根据本专利技术的一个实施方案，沿图15中的线16-16一般地截取的横截面视图17所示为根据本专利技术的一个实施方案，在后续制造阶段对应于图16的横截面视图；图17A所示为根据本专利技术的一个实施方案，示出复合器的侧视图；图18所示为根据本专利技术的一个实施方案，示出封装的系统的原理图；图19所示为根据本专利技术的另一个实施方案，示出封装的系统的横截面视图；图20所示为根据本专利技术的另一个实施方案，示出封装的系统的横截面视图；图21所示为根据本专利技术的另一个实施方案，示出冷却系统的原理图；图22所示为本专利技术的再另一个实施方案的原理图；图23所示为本专利技术的再另一个实施方案的原理图；图24所示为通过本专利技术的一个实施方案，沿图25中的线24-24一般地截取的放大横截面视图。图25所示为根据本专利技术的一个实施方案，沿图24中的线25-25一般地截取的横截面视图。 具体实施例方式参见图1，在硅中构建的电渗(electroosmotic)泵28能够泵浦(pumping)流体(比如冷却流体)通过烧结物(frit)18。烧结物18可以在相对的端和电极29相耦合，所述电极29生成导致通过烧结物18输送液体的电场。这个过程被称为电渗效应。例如，在一个实施方案中，所述液体可以是水，并且所述烧结物可以由二氧化硅构成。在这种情况下，来自所述烧结物壁上羟基的氢去质子化(deprotonate)，从而导致过量的质子在横切壁的方向移动，或在横切流体运动方向的方向移动，以箭头A来表示。响应于电极29所施加的电场，氢离子在箭头A的方向移动。不带电的(non-charged)水的原子也响应于电极29所施加的电场而移动，这是因为存在于所述离子和所述水的原子之间的曳力。结果，没有任何移动零件就可以实现泵浦效应。另外，该结构可以在硅中以极小的尺寸被构建，使得这样的器件能够被用来作为冷却集成电路的泵。根据本专利技术的一个实施方案，烧结物18可以由敞开及连接的孔的(open and connectedcell)介电薄膜制成，所述薄膜具有连通纳米孔(open nanopore)。通过术语“纳米孔”，是要说明具有10到1000纳米数量级的孔的膜。在一个实施方案中，开孔的(open cell)孔隙度(porosity)可以通过使用溶胶-凝胶过程来引入。在该实施方案中，开孔的孔隙度可以通过烧尽成孔剂相(porogen phase)来引入。然而，在本专利技术的一些实施方案中，任何形成具有10到1000纳米数量级的相互连接的孔或连通孔的介电膜的过程都是适用的。为了提出一些实施例，例如，合适的材料可以由有机硅酸盐树脂(organosilicate resins)、化学感生相分离(chemically induced phase separation)以及溶胶-凝胶形成。此产品的商业可用来源可从大量制造商处获得，所述制造商提供那些膜，以用于极低介电常数的介电膜半导体应用。在一个实施方案中，开孔干凝胶(xerogel)可以用20纳米通孔几何结构来构建，所述几何结构将最大泵浦压力增加几个数量级。所述干凝胶可以用极性较小的溶剂(比如乙醇)来形成以避免任何攻击所述干凝胶的水张力问题。另外，所述泵可以用6甲基二硅氮烷(hexamethyldisilazane)(HMDS)、乙醇和水的逐渐混合来上底层，以减少表面张力。一旦所述泵用水来操作，在泵的侧壁上不存在由于表面张力而产生的净力。参见图2-9，集成电渗泵28的构建从通过图形化和蚀刻来确定电渗槽(trench)开始，所述电渗泵28使用纳米多孔的(nanoporous)开孔介电烧结物18。参见图2，在一个实施方案中，在所述槽上生长薄介电层16。可替换地，可以通过化学气相沉积来形成薄的蚀刻或抛光终止(polish-stop)层16(比如氮化硅)。其他技术也可以用来形成薄介电层16。然后，纳米多孔的介电层18可以通过，例如，旋涂沉积来形成。在一个实施方案中，所述介电层18可以是溶胶-凝胶形式。可以允许被沉积的介电层18固化。然后，参见图3，图2的结构可以被抛光或回蚀到终止层16。结果，纳米多孔的介电层18可以在层16中被确定，即充满所述衬底的槽。接下来参见图4，在本专利技术的一个实施方案中，可以在抗蚀剂层22中确定开口24。开口24可以有效地使得电气连接能够被形成到所述烧结物18的多个端。因此，所述开口24可以被成形为向下直到被沉积的氧化物层20，所述氧化物层20封住了下面的烧结物18。在一些实施方案中，所述被沉积的氧化物层20可以不需要。如图4中所示，抗蚀剂层22被图形化，被曝光的区域被蚀刻并且随后(如图5所示)被用来作为沿所述纳米多孔的介电层18的边形成槽26的掩模。一旦槽26已经形成，金属29可以被沉积在晶片的上面。在一个实施方案中，可以使用溅射来沉积所述金属。金属29可以通过蚀刻或剥离(lift-off)技术来去除，于是如图6所示，只是在槽26的底部的槽中留有金属。金属29被有益地加工成尽可能地薄，以避免堵塞烧结物18曝露的边缘区的液体出入道(liquid access)，所述边缘(edge)区将最终起到泵28的入口和出口的作用。然而，金属29可以足够厚，以确保足够的电流而不会损坏电极。另外，如果金属29也沿着所述烧结物的边缘被沉积到不堵塞所述孔开口的厚度，这是有益的。这确保沿烧结物整个深度的均匀电场。参见图7，化学气相沉积材料34可以形成在烧结物本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种方法，包括：将其中形成有微通道的集成电路固定到要被冷却的集成电路；使得冷却流体能够通过电渗泵被泵浦通过所述微通道；以及通过管道将所述冷却流体耦合到外部热交换器。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-10-31 10/698,7491.一种方法，包括将其中形成有微通道的集成电路固定到要被冷却的集成电路；使得冷却流体能够通过电渗泵被泵浦通过所述微通道；以及通过管道将所述冷却流体耦合到外部热交换器。2.如权利要求1所述的方法，包括封装所述冷却集成电路和所述生热集成电路。3.如权利要求2所述的方法，包括将管道从所述封装延伸到所述外部热交换器，从而所述热交换器与所述封装隔开。4.如权利要求1所述的方法，包括形成所述冷却集成电路和所述生热集成电路的堆叠。5.如权利要求4所述的方法，包括密封除了进出所述微通道的端口之外的所述堆叠的边缘。6.如权利要求5所述的方法，包括提供与所述微通道连通的流体入口贮存器和流体出口贮存器。7.如权利要求6所述的方法，包括在包括所述堆叠的封装中形成所述贮存器。8.如权利要求7所述的方法，包括在所述封装中隔离所述入口和出口贮存器。9.如权利要求8所述的方法，包括在所述封装外部耦合所述入口和出口贮存器。10.一种封装的集成电路，包括堆叠，所述堆叠包括要被冷却的集成电路芯片和冷却集成电路芯片，所述冷却集成电路芯片包括用于冷却流体循环的微通道；容纳所述堆叠的封装，所述封装具有在其中形成的入口流体贮存器和出口流体贮存器，以与所述微通道连通；以及外部热交换器，所述外部热交换器通过冷却流体循环管道对来安装在所述封装上。11.如权利要求10所述的结构，包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：吉尔罗伊范登托普，拉温德拉纳斯玛哈简，艾伦迈尔斯，詹姆斯马威蒂，奎特韦优，理查德利斯特，萨拉金，拉维普拉什尔，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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