一种形成自钝化互连的方法。两个相匹配的键合结构（２１３、２２３）中的至少一个，至少部分由第一金属和第二金属（或其它元素）的合金形成。第二金属能够迁移通过第一金属到达相匹配的键合结构的自由表面。在键合期间，这两个相匹配的键合结构（２１３、...

一种非易失性存储器件具有浮栅和控制栅。浮栅包括基本上垂直的剖面并提供电荷存储机制以设定具体的阈值电压。控制栅包括斜剖面以提高可靠性。

根据某些实施例，可以提供实现改进的无源液体冷却的系统。在某些实施例中，一种系统可以包括蒸发器和冷凝器。根据某些实施例，所述蒸发器可以包括接收热量的第一侧、第二侧和从所述第二侧上突起的一个或多个鳍。在某些实施例中，所述冷凝器可以包括界定了...

可以利用置换金属栅极法来形成量子阱晶体管或高电子迁移率晶体管。可以利用虚拟栅极来定义侧壁间隔物和源漏接触金属。可以移除虚拟栅极，并利用剩余结构作为掩模来蚀刻掺杂层以形成与所述开口自对准的源极和漏极。高介电常数材料可以涂覆所述开口的侧面，...

一种器件，包括：　　　　衬底，具有上表面及第一和第二台阶源／漏区凹槽；　　　　第一台阶源／漏区凹槽中的第一台阶源／漏区；　　　　第二台阶源／漏区凹槽中的第二台阶源／漏区；　　　　其中，第一和第二台阶源／漏区凹槽各有延伸到所述衬底的上表面...

实施方案是包括应变沟道区的非平面ＭＯＳ晶体管结构。非平面ＭＯＳ晶体管结构，尤其是ＮＭＯＳ三栅晶体管，和应变沟道优点的结合，使得与具有非应变沟道的非平面ＭＯＳ结构或者包含应变沟道的平面ＭＯＳ结构相比，就给定栅长度宽度而言，改善了晶体管驱动...

一种方法，包括：　　　　形成半导体集成电路封装表面；　　　　在所述表面上形成具有小于５００纳米尺寸的颗粒；以及　　　　将液体涂布到所述封装表面。

描述了用于一种存储单元的方法和装置，该存储单元包括衬底、从衬底中垂直伸出的主体、包含垂直件和水平件的第一栅极以及包含垂直件和水平件的第二栅极。第一栅极相对主体横向放置，而第二栅极相对第一栅极横向放置。第一栅极的水平件与第二栅极的水平件重叠。

描述了一种微电子冷却组件和用于制造该组件的方法。在一个例子中，微电子冷却组件包括微电子器件、散热器、以及将微电子器件和散热器热结合的热界面材料（ＴＩＭ），所述ＴＩＭ包括烧结金属纳米膏。

在一些实施例中，宇宙射线检测器包括具有第一探针的悬臂。该检测器还包括第二探针和电路，以便提供信号，所述信号指示所述第一探针与第二探针之间的距离是由宇宙射线相互作用事件所引起的。还描述其他实施例并要求权利。

在一些实施例中，介绍对电子封装的直接功率输送。在这方面，引入衬底，该衬底具有导电衬底芯体，该芯体设计成与功率电缆物理连接。还公开和要求其它实施例。

一种具有应变增强迁移率的三栅极体晶体管及其制造方法。本发明是一种具有应变增强迁移率的非平面晶体管及其制造方法。所述晶体管具有在半导体基片上形成的半导体主体，其中半导体主体具有侧向相对的侧壁上的顶面。在半导体主体的顶面和侧壁上形成半导体覆...

本发明涉及一种导电性照相平版印刷膜和用所述导电性照相平版印刷膜形成器件的方法。所述方法包括在基材的顶面上淀积导电性照相平版印刷膜；和用平版印刷工艺使所述导电性照相平版印刷膜图案化以产生期望的电路图案。所述导电性照相平版印刷膜包含约５０％...

描述了一种图案化半导体膜的方法。根据本发明的一个实施例，在具有全局晶体取向的半导体膜上形成硬掩模材料，其中半导体膜具有第一晶面和第二晶面，其中第一晶面比第二晶面密度高，并且其中硬掩模在第二晶面上形成。接着，将硬掩模和半导体膜图案化成硬掩...

一种压电驱动器，包括：　　　　多个压电陶瓷材料层；　　　　散置于所述多个陶瓷材料层之间的多个导电材料层；以及　　　　附着到所述驱动器的一端的板。

可以将逻辑和存储器封装在单个集成电路封装中，该封装在某些实施例中具有高输入／输出管脚数和低的叠置高度。在某些实施例中，逻辑可以叠置在存储器的顶部，而存储器可以叠置在柔性衬底上。这种衬底可以容纳多层互连系统，其有助于实现高管脚数和低叠置高...

一种具有应力缓冲圈（２５０）的过孔（２３０）的形成方法，其中所述应力缓冲圈可以吸收由周围材料的热膨胀系数的失配所引起的应力。介绍了其他的实施例并要求其权利。

本发明涉及一种互补型金属氧化物半导体集成电路，其可以形成有ＰＭＯＳ器件，而该ＰＭＯＳ器件可利用替代金属栅极及抬高的源极漏极形成。抬高的源极漏极可以由掺杂了Ｐ型的外延沉积锗硅材料形成。替代金属栅极过程产生了金属栅电极，并且可能会涉及到氮化...

描述了一种用于制作浮体存储单元（ＦＢＣ）的方法以及其中采用有利于不同导电率类型区域的栅的所得ＦＢＣ。在一个实施例中，具有较厚绝缘的ｐ型背栅与较薄绝缘的ｎ型前栅配合使用。描述了对于未对齐进行补偿的处理，这允许制作不同氧化物和栅材料。

本发明公开了利用复合材料导电通孔通路的方法、设备和系统，复合材料具有形成连续相的基质和嵌入粒子，嵌入粒子具有与基质不同的材料特性，形成分散相，导致复合材料具有与基质不同的材料特性。