纳米金属微粒成分包括具有大约５０纳米或者更小的微粒大小的第一金属。导线互连与回流纳米焊料接触，并且具有与回流纳米焊料相同的金属或合金成分。还公开了采用回流纳米焊料成分的微电子封装。一种组装微电子封装的方法包括制备导线互连模板。计算系统包...

利用管芯侧电容器和嵌入式电阻器可以实现有利的电力输送网络。在一些实施例中，嵌入式电阻器可以是更精确可控的。可通过将嵌入式电阻器与这些电容器组合来减少管芯侧电容器的数目，以便降低成本。嵌入式电阻器可以设置在金属化层内，在上层或者在下层。

本文描述了用于对基材进行化学机械抛光的浆液的实施方式，所述基材包含宽度小于１微米的铝或铝合金特征。所述浆液包含粒径小于或等于１００纳米的沉淀二氧化硅磨料，以及螯合缓冲剂体系，该体系包含柠檬酸和草酸，用来使得所述浆液的ｐＨ值约为１．５－４...

一种纳米尺度沟道器件的接触体系结构，具有耦合并延伸在具有多个并行半导体本体的源区和漏区之间的接触结构。所述接触结构能够接触具有亚光刻间距的并行半导体本体。

一种方法，包括：　　　　在衬底上形成绝缘体；　　　　在所述绝缘体上形成栅；　　　　在所述栅的侧面上形成多个侧壁隔片；以及　　　　利用湿法蚀刻在所述衬底中蚀刻源区和漏区，所述湿法蚀刻对所述衬底中的晶面具有充分的选择性。

一种用于在半导体基材上形成互连的方法，包括：提供至少一种在沟槽之内的碳纳米管（３０４），蚀刻所述碳纳米管的至少一部分以产生开口（６０２），通过所述开口在所述碳纳米管上共形地沉积金属层，并且在所述基本上与所述碳纳米管连接的开口上形成金属化...

提供了一种可提供用于低成本共轴液体冷却的系统。该系统包括联接至泵（２５０）的换热器（２２０），其中，该换热器和该泵关于一轴线来定向。该换热器包括用一元件（２４０）来设置的空腔（２２６）以将流体引导至空腔内。该系统可用于冷却诸如计算机的电...

描述了一种半导体器件，其在单个管芯上包括功能电路和电源选通电路。电源选通电路用于控制传送给诸如半导体器件上的功能电路的内核电路元件的功率。利用诸如Ｃ４突起的利用不足的管芯连接元件将功率提供给电源选通电路，并且有可能从电源选通电路提供功率。

一种具有封装的方法、装置和系统，该封装包括设置在包括微处理器的管芯和包括第四级高速缓存的管芯之间的集成电路。

提供了一种利用复合粒子的热界面材料。优点包括增加的热导率和诸如较低的粘性之类的改进的机械性质。在所选的实施例中，诸如金属粒子或碳纳米管等的自由粒子连同复合粒子一起被包含在热界面材料中。包括自由粒子连同复合粒子的优点包括在热界面材料的所选...

一种形成具有退火的栅介电层的晶体管栅堆叠的方法，其通过提供包括由沟槽而被分离的第一和第二间隔物的衬底而开始。在所述衬底上以及所述沟槽之内沉积共形的高－ｋ栅介电层，并且其中所述高－ｋ栅介电层的厚度大于或等于３埃并且小于或等于６０埃。接着，...

描述了制造具有直接接触散热片的微电子封装的方法、根据该方法形成的封装、根据该方法形成的管芯－散热片组合和结合了该封装的系统。该方法包括微电子管芯的背侧，以形成直接接触并固定于管芯的背侧的散热片主体，由此获得管芯－散热片组合。该封装包括管...

本发明公开一种“纳米管增强的焊料帽、组成方法及其芯片封装和系统”。碳纳米管焊料形成在集成电路封装的衬底上。该碳纳米管焊料显示出高的导热性和导电性。该碳纳米管焊料用作金属凸点上的焊料微帽，用于集成电路器件和外部结构之间的通信。

一种用于形成金属碳化物层的方法，其开始以提供衬底、有机金属前体材料、至少一种掺杂剂如氮气、以及等离子体如氢等离子体。所述衬底被放置在反应室内；并加热。从而进行工艺循环，其中所述工艺循环包括脉冲有机金属前体材料到所述反应室中，脉冲掺杂剂到...

本发明涉及用于相变存储器封装的方法、装置和系统。根据一个实施例，公开了一种管芯组件，包括封装衬底和位于该封装衬底上的多个堆叠管芯，所述多个堆叠管芯至少包括最高管芯、最低管芯和位于最高管芯和最低管芯之间的至少一个相变存储器管芯，其中最高管...

本发明的实施例涉及包括具有自对准栅极的晶体管的电路。可形成若干绝缘隔离结构，自对准于扩散部。然后，可形成自对准于该绝缘隔离结构的栅极。

本发明的一些实施例包括与用于从３Ｄ直通硅体系结构除热的集成微通道相关的装置和方法。

一种ＭＯＳ器件包括：栅极叠层，其包括设置于栅极电介质上的栅电极；形成于栅极叠层的横向相对侧上的第一间隔体和第二间隔体；邻接第一间隔体的源极区；邻接第二间隔体的漏极区；以及位于栅极叠层下方且设置在源极区和漏极区之间的沟道区。本发明的ＭＯＳ...

本发明提供一种衬底，该衬底具有器件层（２１０，３１０）和金属化区（２３０，３１５）。在衬底内，提供了导电通孔（２７０，３５０）和导热区（２６０，３６５）。热传导区可通过到沟槽内的淀积或形成图样而形成。衬底可在堆叠设置中提供。

一种能够将平面型（１０）和非平面型（２０、３０）晶体管集成在块状半导体衬底上的工艺，其中，所有晶体管的沟道可在连续的宽度范围加以限定。