英特尔公司专利技术

英特尔公司共有18493项专利

  • 在有些实施例中,热沉包括导热芯和从导热芯准径向地延伸的至少十个导热叶片,其中大多数叶片具有均匀长度,并且至少一部分导热芯被成形为使得具有均匀长度的叶片形成基本上矩形横截面形状因数。还公开了和要求保护其它实施例。
  • 现有技术静止对接和脱离对接的方法使用了位于笔记本计算机(10)内部的接口,这增加了笔记本计算机(10)的成本、复杂性、重量和功耗。本发明提供的用于将笔记本计算机(10)与对接站(11)静止对接的装置包括位于对接站内的接口电路。当笔记本计...
  • 一种方法包括提供遥控单元来允许用户在离某电子设备某一距离时将控制信号发送至该电子设备。该方法还包括通过该遥控单元来检测该用户的生物统计特征。
  • 一种微型机电系统开关可以形成有确定于衬底上的突起,其与设置于衬底上方的可偏转构件接触。例如,可偏转构件可以是悬臂或可偏转梁。在一个实施例中,可以使用场效氧化技术在衬底中形成突起。
  • 一种微机电系统(MEMS),其包括第一电热驱动器,第二电热驱动器以及具有第一侧和第二侧的横梁。当电流从所述第一电热驱动器流过时,第一电热驱动器向横梁的第一侧施加一作用力,以及当电流从所述第二电热驱动器流过时,第二电热驱动器向横梁的第二侧...
  • 具有多个接触表面的开关结构,所述接触表面可以互相接触。接触表面中的一个或多个可以用弹性材料,比如金刚石来涂覆。
  • 一种微机电系统(MEMS)开关,包括:信号触点(78)、激励电极(76)和当将电压提供给激励电极时接合信号触点的梁(80)。信号触点包括第一部分和第二部分。激励电极位于信号触点的第一和第二部分之间。
  • 一种电子机械开关包括激励电极、电枢、悬臂电极、触点和信号线。激励电极和电枢被安装到衬底。悬臂电极由电枢支撑在激励电极上。触点被安装到悬臂电极。信号线被定位以当在激励电极和悬臂电极之间施加激励电压时与触点形成闭路,以使悬臂电极以类拉链运动...
  • 本发明的实施例描述了接触开关,该接触开关可以包括底电极结构和顶电极结构,底电极结构包括底驱动电极,顶电极结构包括顶驱动电极和一个或多个当开关在弯折状态时能保持顶电极和底电极之间的预先确定的间隙的止动件。
  • 悬臂梁式射频微机电开关可以由具有金属接触体的低应力梯度多晶硅形成。在一些实施方案中,所述梁和所述衬底之间的区域可以是无电介质的。在一些情况下,氧化物层可以由氮化物保护层来保护。
  • 根据一个实施例,公开了一种微机电(MEMS)开关。所述MEMS开关包括衬底、安装在所述衬底上的底电极、安装在所述底电极上的顶电极、安装在所述衬底上的启动电极以及耦合到所述启动电极的电阻器。只要所述开关被开启,所述电阻器就防止所述启动电极...
  • 一种形成薄膜电容器的工艺,包括:在第一电极上对介电薄膜的溶胶-凝胶图案化,剥离去除不需要的介电薄膜,以及给介电薄膜配上第二电极。薄膜电容器沿着其特征尺寸定义的线呈现出基本上均匀的热变形态。还公开了包括该薄膜电容器的计算系统。
  • 一种电容器(图6-9),包括一个或多个扩展的表面焊接区(604,704,804,904,图6-9)。在一个实施例中,每个扩展的表面焊接区是在电容器的顶面或者底面上的焊接区,其具有至少等于电容器宽度的(614,图6)的30%或者电容器长度...
  • 本发明的电容器具有连接电容器第一电端子的多层铝箔以及连接电容器第二电端子的另外多层铝箔。通过聚合物如导电有机聚合物分隔铝箔层,以使每层聚合物将连接第一电端子的铝箔层与连接第二端子的铝箔层物理分隔开。在一些这种实施例里可蚀刻铝箔以提供更大...
  • 一种卷绕电容器,它具有引线结构,该引线结构能够在等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL)上增强控制。该电容器具有壳体和设置于壳体中的卷绕箔。球栅阵列(BGA)引线结构与箔相连接并从壳体中延伸出。
  • 一种卷绕电容器具有能够增强对等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL)控制的导线结构。该电容器包括外壳以及放置在所述外壳内的盘绕箔。球形-和-导线结构耦合至所述箔并从所述外壳中伸出。
  • 一种方法,包括形成电容器结构,该电容器结构包括电极材料、和电极材料上的陶瓷材料、以及在陶瓷材料的点缺陷态界定陶瓷材料是绝缘的、且不会氧化电极材料的条件下烧结陶瓷材料。一种方法,包括在导电箔片上沉积陶瓷材料、和在使点缺陷转换到对应更高电导...
  • 提供了一种多相变压器,包括具有至少第一平面导线和第二平面导线的第一层和形成于第一层上且具有至少第三平面导线和第四平面导线的第二层。至少所述第一层的所述第一平面导线和所述第二平面导线与所述第二层的至少两平面导线形成两变压器。多相变压器还包...
  • 在MOS电路中形成场氧化区的一种工艺.最初热生长一层氮化硅密封衬底表面,以减少横向氧化,或者说减小沿衬底与氮化硅界面生成的鸟嘴.场氧的生长分两步,第一步为HCl气氛中的干氧氧化,第二步为湿氧氧化.
  • 本发明的实施方案是控制碳纳米管(CNT)的技术。激光束被聚焦于流体中的碳纳米管(CNT)。CNT对捕获频率有响应。通过控制聚焦激光束来操纵CNT。