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英特尔公司专利技术
英特尔公司共有18493项专利
带有检测缺陷用的强化电路的存储器制造技术
公开了一种用来检测存储单元中数据保存缺陷的带有强化电路的存储电路(20)。存储电路(20)包含一个连接于位线的存储单元阵列(22)、一个被连接以对存储单元进行存取的存取电路(24)和一个被连接以强化存储单元的放电电路。
用可变栅电压读出存储器的状态制造技术
一种用来读出存储阵列(214)中浮栅存储单元的状态的方法和设备。由于其稳定性和准确性、读出设备(220)可用来读出多位浮栅存储单元的状态。存储单元的状态借助于向浮栅存储单元的顶栅施加一个可变栅压并将单元电流同固定参考电流进行比较而被读出...
快速存储器的电源制造技术
一种带有内部电源(60A、240、245和250)的集成电路,它包括用来选择(图13A)外部电源电压或内部电源以向集成电路的其余电路馈送电压的电路(270)。此集成电路包含用来探测外部电压电平的电压探测电路和一个用来响应探测到的外部电压...
非易失性存储器成块结构制造技术
一种非易失性存储器,包括: (A)一条全局线; (B)一个第一块,它包括 (i)多条第一局部线; (ii)耦合在全局线与第一局部线上的第一局部解码器,用于在启动该第一局部解码器时按照一个地址将全局线有选择地耦合到...
非易失存储器分块结构及冗余性制造技术
一种非易失存储器,包括: (A)一条全局线; (B)多个存储块和一个冗余块,每一个块包括: (i)多条局部线; (ii)一个耦合到所述全局和局部线上的译码器,用于当该译码器被起动时根据一个地址信息选择性地将所述全...
非易失性存储器单擦除的多次写入制造技术
一种对非易失性存储器进行多次替代写入的方法,包括步骤: 在非易失性存储单元的第一电平存储第一位;以及 在非易失性存储单元的第二电平存储第二位。
对非易失存储器的每单次擦除的多重写入制造技术
写入存储单元的方法包括的步骤有:在存储单元的第一组电平中存入m位;不用擦除存储单元,在存储单元的第二组电平中存入m个更迭的m位。
用分布式学习方法对闪速存储器编程技术
在包含存储单元阵列的存储设备中,每个存储单元有两种以上的可能状态,一种将存储单元编程到要求状态的方法包括:控制引擎对存储单元阵列子集的编程;在对子集编程的步骤中决定特征信息,特征信息指出了存储单元阵列中一个有代表性的存储单元的编程特征;...
应用交叉存取法校正多级单元存储器的方法和装置制造方法及图纸
一种在多级单元存储器中存储数据位的方法,所述多级单元存储器由多个多级单元组成,每个多级单元能够存储两位或更多位数据,所述方法包括下列步骤: (a)接收多个数据位; (b)将所述多个数据位分类成两个或多个数据字; (c)...
利用错误定位码校正一个多级单元存储器的方法和装置制造方法及图纸
一种校正从一个多级单元存储器(204)读取的数据的方法和装置。该多级单元能够存储三个或更多的电荷状态。从该多级单元中读取的第一电荷状态被确定为是错误的。如果该多级单元保持第二电荷状态,就提供一个与保持第二电荷状态的所述多级单元相对应的输...
非易失存储设备和设置源极线电压及位线电压的方法技术
一个非易失存储设备(300)。对于一个实施例,非易失存储设备(300)包括一根位线、一根源极线和一个具有连接到位线的一个漏极、连接到源极线的一个源极、一个控制栅极和一个浮动栅极的非易失存储单元。非易失存储设备(300)也包括一个源极电压...
输出数据的方法、存储器装置和设备制造方法及图纸
公开用于输出存储在非易失性存储器装置中的数据的一种方法和设备。此非易失性存储器装置包括非易失性存储器阵列(5)、用于接收表示存储在非易失性存储器阵列(5)中的多个数据值的地址的地址输入端(A#-[2-X])、用于放大所表示的多个数据值的...
用于存储数据信号的编码方式制造技术
按照本发明中的一个实施例,一种用于编码存储的数据信号以对存储介质中的存储单元进行容错的方法包含以下内容:有N+2个存储单元(110,120,130,140,150,160),N是一个正整数,又将每个存储单元分成N个存储块(D0,0…D3...
存储系统的冗余格式地址译码器技术方案
本发明提供了一个存储系统(200),该系统根据冗余格式地址数据检索数据。该存储系统(200)包括一个具有多个存储行(222)的存储器(220),和一个地址译码器(210),它根据一个冗余格式地址信号启动存储行(222)之一。一个冗余格式...
控制部件的温度的方法和设备技术
当部件(诸如存储器装置)呈现超温条件(例如,超过第一门限值)时,把与部件相关的数据传输速率减小,以便降低其工作温度。在一个实施例中,这是通过根据装置的温度来改变把数据分组发送到存储器装置和从存储器装置发送数据分组的等待时间而达到的。以这...
对用于存储器子系统中的存储器装置的信道的传送延迟进行平衡的方法和装置制造方法及图纸
一种用于平衡装置的信道的传送延迟的方法与设备。公开的一种方法通过使用用于多个存储器装置的至少一个的所有可得到的延迟的子集反复测试存储器传送来确定最大传送等待时间值而确定控制器延迟值(100)。另外,通过使用用于多个存储器装置的每一个的至...
带有针对动态随机存储器件的电源管理模式和计算机系统技术方案
一计算机系统在存储器子系统中采用DRAM设备(设备1-12),这些DRAM设备被指派给相应于不同功耗的池,且最近访问的(MRA)被指派给活动池(20)并置于一堆垛结构的顶部。当活动池是满的且处理器访问另一个非当时指定给活动池(20)的设...
具有位线泄漏控制的双阈值电压SRAM单元制造技术
在某些实施例中,本发明包括一个集成电路,该集成电路包括一条位线和一条位线#,多条字线,以及多个存储单元。该存储单元的每一个相应于字线之一条并且每一个包括分别连接在第一和第二存储结点之间的第一和第二通路晶体管,和位线及位线#,分别地相应的...
预测闪速存储器擦写时间的方法与装置制造方法及图纸
具有擦写时间表的“或非”门结构存储器。存储器处理器在表格块中建立擦写时间表。该时间表包含存储器各数据块最近的擦写运算时间。存储运算开始,处理器就存取表格并估算将完成数据存储运算所需的时间,然后把它回传给主机。各数据存储运算结果是建立一个...
控制同步存储器内的脉冲串序列制造技术
叙述了一个为在同步存储器内控制脉冲串序列的系统和装置。在一个实施方案中,系统包括一个同步存储器及一个与该同步存储器相连接的脉冲串读器件。在一个实施方案中,脉冲串读器件被配置成去从同步存储器中检测一个数据页作为当前页,其中当前页含有一固定...
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