提供一种采用自旋极化电子束在磁性介质上存储数据的系统。该系统包括自旋极化电子束源和距离该源为选择距离设置的存储介质。存储介质具有多个存储位置，每个存储位置包括夹在第一和第二层半金属化材料之间的一层磁性材料。最终层叠结构形成自旋相关电子陷...

在一个实施方案中，提出了一种用于在读出非易失存储器设备一个块的同时写入非易失存储器设备另一个块的方法和装置。

ＤＣ电压升压电路包括调节电路，产生脉宽调制控制信号，用于调节ＤＣ电压升压电路的输出。公开了调节电路的各种实施例。在一个实施例中，调节电路包括：用于产生三角波形的波形发生器；以及比较器，用于通过将三角波形与随升压器输出电压成比例变化的电压...

一种具有内建自测功能的存储部件包括存储器阵列。输入／输出接口耦合到存储器阵列并具有反馈回路。提供控制器以向存储器阵列传输存储器阵列测试数据，以便储存存储器阵列测试数据，并从存储器阵列读取存储器阵列测试数据。还提供比较寄存器以便将传输到存...

本发明提供用于在缓冲存储系统中提供可靠传输的系统和方法。该系统包括存储器件、存储控制器、数据缓冲器、地址／指令缓冲器和时钟电路。存储控制器向存储器件发送数据、地址信息、状态信息和指令信息并从存储器件接收数据。缓冲器互连存储器件和存储控制...

本发明揭示了在芯片集与内存数据之间提供电隔离。该揭示包括：在一个芯片集与多个存储器模块之间的存储接口中提供至少一个缓冲器。每个存储器模块包括多个存储器列。该至少一个的缓冲器允许存储接口被分成第一个子接口和第二个子接口。第一个子接口位于芯...

一种边界可寻址存储器（ＢＡＭ）阵列，包括多个ＢＡＭ字模块。每个ＢＡＭ字模块包括多个ＢＡＭ单元，该ＢＡＭ单元用于在输入数据和存储在每个ＢＡＭ单元中的上限值和下限值之间执行算术比较，以便生成表示输入数据不大于上限值并且不小于下限值或输入数据...

一个能提高效率的直流电压升压电路。直流电压升压电路包括一个感性元件，一个开关设备，一个输出容性元件和一个调整电路。开关设备根据控制信号周期性地引发电流流经感性元件。每一次开关设备引发电流流过感性元件时，感性元件就存储能量。当开关设备阻止...

本发明利用缓存器来隔离存储设备栈，由此利用从堆叠的存储设备得到的增加的存储密度并减少电容负载。依照本发明的存储器模块可以包括一个存储器设备栈以及与第一和第二个存储设备耦合并被安排用来在电容上把第一和第二个存储设备从总线隔离开的缓存器。在...

一种技术，包含确定一个相变材料存储器单元的存储级别是否在离一个电阻阈值的一个预定余量范围之内。响应于该确定，该单元被有选择地写入。

一种进入存储器的特殊编程模式的方法。特殊编程模式禁用存储器的内部验证。存储器包括用于程序验证的自动电路。多个字被编程到存储器中，而存储器并不执行内部程序验证。主处理器在存储器外部验证存储器中多个数据字的编程。退出特殊编程模式并且允许存储...

一种用于进入存储器的特殊编程模式的方法。该特殊编程模式禁止由该存储器所进行的内部验证。该存储器包括用于程序验证的自动化电路。在该存储器不执行内部程序验证的情况下，多个字被编程到该存储器中。该特殊编程模式被退出，并且允许该存储器进行内部程...

所公开的是一种用于跨边界存储器的方法及装置，以便提供跨边界存储器访问。所述跨边界存储器包括具有多个右存储器行的右存储器阵列，以及具有多个左存储器行的左存储器阵列。这样就构成了具有多条行线的存储器，每条行线都分别具有右存储器行及左存储器行...

一种系统、方法和介质可根据一个延迟基数和一个延迟调整来延迟一个选通信号，以减少工艺偏差和／或环境变化的影响。

一种存储系统，包含：　　　　存储器件，具有第一存储体和第二存储体；以及　　　　存储控制器，具有用以存储若干写请求的一写请求队列，其中当在对所述第一存储体的第一读请求和对所述第一存储体的第二读请求之间存在读存储体冲突时，在执行所述第一读请...

本发明公开了一种存储器和一种用于在使用了非冗余形式地址解码器的存储器中访问数据的方法。利用冗余形式地址来选择所述存储器的子阵列中的行。所述非冗余形式地址的最低有效位被用来在这些行之间进行选择。然后用非冗余形式地址来完成所述高速缓存存储器...

多个通过一个提供用于每个存储器模块的点对点连接的菊花链的存储器模块接口。在该菊花链中的第一和最后一个存储器模块每个都连接到一个分隔的存储器控制器端口以形成一个环形电路。一个不同组的信号沿每个方向连接该存储器模块。在每个存储器模块中的连接...

一种用于测试存储单元的装置和方法，所述方法包括：将第一和第二存储单元分别连接到第一和第二位线；通过第一和第二位线从第一和第二存储单元中读出数据；以及比较第一和第二位线的电压电平。

描述了一种具有被耦合在第一位线与第二位线之间的多个贮存单元的设备。设备还具有第一晶体管，它预先充电第一位线以及为由任何的多个贮存单元从第一位线抽取的一个或多个泄漏电流提供第一补充电流。设备还具有第二晶体管，它预先充电第二位线以及为由任何...

存在一种数据存储的精度和被存储在存储器单元中的位数之间的折衷。当精度不是很重要时，增加每个单元的位数。当精度比较重要时，减少每个单元的位数。在一些实施例中，存储器可以基于逐个单元地在存储模式之间变化。