用于测试半导体存储器的方法和装置制造方法及图纸

一种用于进入存储器的特殊编程模式的方法。该特殊编程模式禁止由该存储器所进行的内部验证。该存储器包括用于程序验证的自动化电路。在该存储器不执行内部程序验证的情况下，多个字被编程到该存储器中。该特殊编程模式被退出，并且允许该存储器进行内部程序验证被启用。还描述了一种装置，该装置具有主机处理器和具有特殊编程模式电路的存储器。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到测试半导体存储器的领域。更具体而言，本专利技术涉及到一种用于半导体存储器的特殊编程模式，该特殊编程模式使用散列法来帮助优化半导体存储器的测试。
技术介绍
近年来，不同的编程方法已经被开发出以编程非易失性存储器。附图说明图1展示现有技术的编程算法10，编程算法10用于不包括片内程序和擦除自动化电路的现有技术的非易失性可擦除可编程只读存储器(″EPROM″)。与EPROM相耦合的微处理器执行编程算法10。微处理器将100微秒的编程脉冲发送到EPROM。微处理器然后执行字验证，以便确定旨在要被编程到EPROM中的字是否已经被成功地编程了。如果对于试图编程一个字失败了25次，则该算法就终止。相反，如果该字被成功地编程了，则当该算法遍历每个地址时，就重复进行。图2展示用于现有技术早期产生的闪速式非易失性存储器的现有技术编程算法15。与现有技术闪存相耦合的微处理器执行编程算法15。该闪存是以逐字为基础而被编程的。微处理器使用10微秒的超时将一个程序命令写到闪存。因此，该编程操作花费10微秒。在每个编程操作之后，刚刚被编程的每个字都由该微处理器加以验证。程序验证操作是通过该微处理器将一个程序验证命令写入到闪存的命令寄存器中而被启动的。程序验证操作对于验证上次被编程的那个字是分阶段对闪存进行的。该闪存将内部生成的边沿电压(marginvoltage)施加到该字上。然后，微处理器执行一个读取周期以便将该字从闪存输出到微处理器。然后，微处理器就将从该闪存中所读取的数据字与微处理器试图要编程到闪存中的数据字进行比较。在所编程的字和当时数据之间的成功比较意味着该字已被成功地编程了。如果该数据未被成功地被编程，则该编程和验证步骤就被重复25次的限度以试图编程该字。图3展示一种现有技术的编程算法18，编程算法18用于包括片内程序和擦除自动化电路的后来产生的现有技术闪存。该片内程序和擦除自动化电路包括命令用户接口、写状态机、数据比较器以及状态寄存器。编程算法18以与该闪存相耦合的微处理器将程序设置命令(即，十六进制的40)写入到闪存的命令用户接口为开始，接着是指定地址和数据的第二写操作。在成功地接受和解释所请求的程序操作之后，闪存的命令用户接口就将所翻译的信号转发到闪存的写状态机，然后接管，控制闪存之中的内部程序算法。具体而言，写状态机监控内部程序和验证电路来执行如下的任务(1)程序脉冲控制，(2)脉冲重复控制，(3)超时控制，(4)程序验证，和(5)状态寄存器更新。假设要写入的存储器单元以前已经被删除了(即，将存储了全部逻辑1)，为了将该字编程到闪存阵列中，写状态机将预定宽度的编程脉冲发送到那些需要被从1编程到0的存储器单元。然后，程序验证就采用两个步骤发生。边缘检测读取电压(margined-sensing read voltage)被施加到刚刚被编程的单元。得出的位线电流然后被单个地馈送到读出放大器，每个单元一个读出放大器。工厂设置的程序参考电路的输出，被调节到为Vtp(即，程序的门限电压)，也被馈送到各个读出放大器中。读出放大器的输出然后被发送到数据比较器中，以便核对。这一核对将读出放大器的输出与数据寄存器的内容进行比较。数据比较器将它的核对结果报告给写状态机，该写状态机接着确定是否要求重复脉冲。如果程序验证操作表明一个或者多个单元需要被重新编程，则上面的程序和程序验证步骤重复进行直到经验证所有这些单元都被成功地编程或者超时发生为止。当脉冲重复结束时，写状态机就发送一个信号以便更新该状态寄存器。当写状态机忙时，状态寄存器的位7(即，SR.7)被设置为零。当写状态机结束(诸如当编程结束)并且已就绪待执行下一个操作时，状态寄存器的位7就被设置为1。如果状态寄存器的位4(即.SR4)被设置为1，则那就指明在编程该字时发生了错误。如果数据字在此被编过程的地址不是最后的地址，则外部微处理器就增量该地址并且重复上面的操作。换句话说，微处理器向存储器发送十六进制的程序设置命令40，接着是指定所增量的地址和关联的数据字的写操作。存储器就对该数据字进行编程，执行内部程序验证，以及更新状态寄存器。上面的过程重复进行直到所有的数据字都被编程为止。尽管因为外部微处理器被释放来处理其他任务，所以现有技术的片内程序验证总体上具有优点，但是片内程序验证却存在着一些缺点。使用片内程序验证，电压被连续地从低电平摆动到高电平且反之亦然，这样在总体上就延长了编程时间。而且，对于程序和程序验证操作的电压和时序设定常常被选择成处理最差情形的条件，这样也在总体上延长了编程时间。再者，程序命令要先于要被编程的每个数据字，又进一步地增加了对于长串数据字的编程时间。附图简述本专利技术是通过例子而加以说明的，并且不受到这些附图的限制，在这些附图中，相同的参考指示相似的元件，其中图1说明用于现有技术EPROM的现有技术编程算法，其中外部微处理器验证每个字的编程。图2展示用于现有技术早期生成的闪存的现有技术编程算法，其中程序和程序验证命令被使用；图3展示用于后来生成的现有技术闪存的现有技术编程算法，该闪存包括片内程序和擦除自动化电路；图4展示根据本专利技术的实施例与闪速式非易失性存储器相耦合的主机处理器；图5是一种包括特殊编程模式电路的闪速式非易失性存储器的框图；图6展示与程序验证和该特殊编程模式相关联的闪存电路；图7说明用于进入、退出、和禁止闪存的特殊编程模式的过程；图8说明在特殊编程模式期间的编程操作；图9展示在特殊编程模式期间的验证操作；图9A说明一个实施例的候选编程序列；图9B说明一个实施例的候选验证序列；图10展示用于包括散列法的特殊编程模式的编程和验证过程；图11展示用于进入该特殊编程模式的候选过程。详述描述一种特殊编程模式，它用于测试诸如闪速式非易失性存储器这样的半导体存储器。该特殊编程模式也被称为工厂编程模式，假设该模式常用于工厂设定，该工厂设定涉及半导体存储器已经被制造和封装之后对其进行的测试。如在以下将更加详细地描述的，对于一个实施例，主机计算机-诸如微处理器-被耦合到闪速式非易失性存储器。微处理器将一个或者多个命令发送到闪存以便进入特殊编程模式。在特殊编程模式期间，闪速单元在不用闪存所进行的内部数据验证的情况下被编程。闪存编程操作在速度上被优化。主机微处理器通过将禁止工厂编程模式命令发送到闪存从而能够持久地禁止今后进入到该工厂编程模式中。本专利技术的实施例有助于减小用于测试闪存以查看该闪存是否能够被成功地编程所花费的时间。在闪存的测试时间上的减小能够帮助来提高制造包含闪存的产品的总效率，尤其是在量非常大的时候。本专利技术的实施例有助于优化闪存的数据编程。图4展示用于特殊编程模式操作，也被称为工厂编程模式操作的部件的安排。主机计算机22经由线26被耦合到非易失性闪存24。线26包括用于传送地址、控制、和数据信号的总线。主机计算机22可以是微处理器或者其他计算装置，诸如微控制器、个人计算机、个人数字助理、网络处理器、工作站、或者大型计算机。主机处理器22监视对闪存24的测试。尽管对于本专利技术的一个实施例，存储器24是闪存，但是其他类型的半导体存储器也是可以使用的。此外，对于本专利技术的其他实施例，存储器24能够被嵌入在包含其他电路的芯片或者器件中。例如，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：通过将特殊编程访问代码输入到状态控制器中来启动存储器的特殊编程模式，其中该存储器包括用于程序验证的自动化电路，并且其中该特殊编程模式禁止由该存储器所进行的内部程序验证；在该存储器不执行内部程序验证的情况下，将 多个字编程到该存储器中；和退出该存储器的特殊编程模式。

【技术特征摘要】
US 2000-12-27 09/752,5941.一种方法，包括通过将特殊编程访问代码输入到状态控制器中来启动存储器的特殊编程模式，其中该存储器包括用于程序验证的自动化电路，并且其中该特殊编程模式禁止由该存储器所进行的内部程序验证；在该存储器不执行内部程序验证的情况下，将多个字编程到该存储器中；和退出该存储器的特殊编程模式。2.权利要求1的方法，还包括通过将以前发送的多个字重新发送到该存储器中，用验证处理器来验证被编程到存储器中的该多个字。3.权利要求2的方法，其中该验证处理器是一个外部主机处理器。4.权利要求2的方法，还包括启动由该存储器所进行的内部程序验证，并且其中该验证处理器是该存储器的内部程序验证处理器。5.权利要求2的方法，其中验证还包括确定在该多个字中的所有字是否都被验证了；如果该多个字中有任何一个字没有验证，则重复对该全体多个字的编程，并且重复该验证；和如果该多个字全部都验证了，则退出该存储器的特殊编程模式。6.权利要求2的方法，其中验证还包括确定在该多个字中的所有字是否都被验证了；如果该多个字中有任何一个字没有验证，则重复对没有验证过的那一个字的编程，并且重复该验证；和如果该多个字全部都验证了，则退出该存储器的特殊编程模式。7.权利要求1的方法，其中退出该存储器的特殊编程模式持久地禁止该特殊编程用户接口。8.权利要求1的方法，其中退出该存储器的特殊编程模式允许该存储器进行内部程序验证。9.权利要求1的方法，其中将该多个字编程到该存储器中还包括对于该多个字中的每个字的每一位，仅仅使用单一的编程脉冲。10.权利要求1的方法，其中在该存储器不执行内部程序验证的情况下将该多个字编程到该存储器中持续进行，直到遇到编程结束...

【专利技术属性】
技术研发人员：SM巴吉卡，PD鲁拜，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]