用于闪存工艺的控制栅剖面制造技术

一种非易失性存储器件具有浮栅和控制栅。浮栅包括基本上垂直的剖面并提供电荷存储机制以设定具体的阈值电压。控制栅包括斜剖面以提高可靠性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于闪存工艺的控制栅剖面闪存器件是一种特殊类型的存储器，可以对其进行擦除和再编程 并且用于在单个数据存储部件中存储编码和/或数据。闪存芯片在多种应用中得到使用，这些应用包括在PC中存储基本输入/输出系统 (BIOS)、在调制解调器中更新新的协议、在蜂窝式电话中设置对于用户友好的特征以及提供保护以防止错误的编码。这些应用需要具有高水平的耐久性、可靠性以及数据保存并且在可预测的时间长度内进行操作而不会出现故障的闪存器件。对于闪存器件的一个可靠性考虑是早期周期性失效(Infant Cycling Failure (ICF ))。由电荷存储材料或选择栅氧化物中的缺陷引起的任何电荷的增益或损失会危害数据的完整性。在包括沉积、清洗、蚀刻及抗蚀剂除去的大量制造步骤中会引入不期望的缺陷。需要新的工艺以减小存储器件中的缺陷密度。附图说明在本文的结尾部分将特别指出并明确要求本专利技术的主题。然而， 在对照附图进行研究时通过参考以下详细的说明可以最好地理解关 于本专利技术的结构和操作方法、及其目的、特征和优点。图1是示出根据本专利技术的包括具有斜面控制栅的非易失性存储 器的无线器件的方框图；图2是示出斜面控本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储器件，包括：衬底；所述衬底上的第一绝缘层；形成在所述第一绝缘层上以提供用于所述非易失性存储器件的浮栅的第一半导体层；所述第一半导体层上的第二绝缘层；以及形成在所述第二绝缘层上以提供用于所述非易失性存储器件的控制栅的第二半导体层，其中形成具有斜剖面的所述控制栅，该斜剖面在所述控制栅顶部的宽度基本上小于在底部的宽度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-2-22 11/063,0201、一种非易失性存储器件，包括衬底；所述衬底上的第一绝缘层；形成在所述第一绝缘层上以提供用于所述非易失性存储器件的浮栅的第一半导体层；所述第一半导体层上的第二绝缘层；以及形成在所述第二绝缘层上以提供用于所述非易失性存储器件的控制栅的第二半导体层，其中形成具有斜剖面的所述控制栅，该斜剖面在所述控制栅顶部的宽度基本上小于在底部的宽度。2、 根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中在所述控制 栅顶部的宽度在190到200nrn的范围内，而在底部的宽度在210到 220纳米(nm)的范围内。3、 根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中斜剖面提供 从控制栅顶部到底部的大约20纳米(nm)的平均宽度差值。4、 根据权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括 所述衬底中的漏极区；以及至与所述控制栅分隔开的所述漏极区的接触，其中从所述控制栅 的顶部边缘至所述接触的距离大于所述控制栅的底部边缘至所述接 触的距离。5、 根据权利要求4所述的非易失性存储器件，其中从所述控制 栅的顶部边缘至所述接触的距离比从所述控制栅的底部边缘至所述 接触的距离大大约10nm。6、 根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述第二绝 缘层是由二氧化硅-氮化硅-二氧化硅(ONO)构成的叠层膜。7、 一种制造闪存器件的方法，包括 在衬底上生长第一绝缘层； 在所述第一绝缘层上形成第一多晶硅层； 在所述第一多晶硅层上设置第二绝缘层；以及 在所述第二绝缘层上形成第二多晶硅层，其中所述第一多晶硅层是浮栅，其具有基本上平行于衬底表面的顶部部分和底部部分和基本 上垂直于衬底表面的侧面，以及其中所述第二多晶硅层是控制栅，其 具有基本上平行于所述衬底表面的顶部部分和底部部分和不垂直于 所述衬底表面的侧面。8、 根据权利要求7所述的方法，其中所述控制栅具有斜剖面， 并...

【专利技术属性】
技术研发人员：S弗兰恰里尼，D阿尔奇迪亚科诺，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]