【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及多晶硅结构的形成，所述多晶硅结构的形成包括多晶硅栅电极的形成。
技术介绍
按照惯例，多晶硅栅电极是通过将多晶硅沉积在衬底上来形成的，所述衬底可以用合适的栅电介质来覆盖。然后，使用例如离子注入工艺来掺杂多晶硅材料。然后，必需使用蚀刻技术从掺杂多晶硅层界定(define)多晶硅电极。但是，蚀刻掺杂多晶硅呈现出很大的挑战。这些挑战包括已知的轮廓(profile)问题和局部(differential)蚀刻偏差问题。因此，存在这样一种需求，即发现一种不必蚀刻重掺杂(heavily doped)多晶硅材料就可以形成多晶硅结构(例如栅电极)的方式。附图说明图1是在加工的早期阶段，本专利技术的一个实施方案的放大剖视图；图2是按照本专利技术的一个实施方案，在随后的阶段中与图1对应的放大剖视图；图3是按照本专利技术的一个实施方案，在随后的阶段中与图2对应的放大剖视画；图4是按照本专利技术的一个实施方案，在随后的阶段中的放大剖视图；以及图5是按照本专利技术的一个实施方案，在随后的步骤中的放大剖视图。具体实施例方式参照图1，半导体衬底可以具有形成在合适的栅电介质上的多晶硅材料。所述衬底例如可以是硅衬底，所述栅电极例如可以是氧化物。然后，如图1所示，多晶硅材料可以被图样化以在栅介电质12上形成多晶硅栅材料，所有这些都设置在衬底10之上。因为蚀刻时的多晶硅材料是非掺杂的或者基本上非掺杂的，所以它可以容易地被蚀刻和图样化以界定如图1所示的形状。采用“基本上非掺杂(substantially undoped)”，是要说明这样一种多晶硅材料，其或者没有掺杂，或者掺杂的...
【技术保护点】
一种方法，包括：图样化基本上未掺杂的多晶硅材料；以及掺杂所述图样化的多晶硅材料。
【技术特征摘要】
US 2002-10-8 10/266,4271.一种方法，包括图样化基本上未掺杂的多晶硅材料；以及掺杂所述图样化的多晶硅材料。2.如权利要求1的方法，包括从所述多晶硅材料形成多晶硅栅电极。3.如权利要求2的方法，包括从所述多晶硅材料形成N型和P型多晶硅栅电极。4.如权利要求1的方法，包括用第一材料覆盖所述图样化的多晶硅。5.如权利要求4的方法，包括平面化所述被覆盖的多晶硅材料。6.如权利要求5的方法，包括在平面化所述被覆盖的多晶硅材料后掺杂所述多晶硅材料。7.如权利要求6的方法，包括在掺杂所述的多晶硅材料后去除所述第一材料。8.如权利要求4的方法，其中覆盖所述多晶硅材料的步骤包括提供包括第一较薄层和第二较厚层的覆盖物。9.如权利要求8的方法，包括用二氧化硅形成的第一较薄层覆盖所述多晶硅材料。10.如权利要求9的方法，包括用包括氮化硅的第二较厚层覆盖所述第一薄层。11.如权利要求8的方法，包括去除所述较厚层并且留下所述较薄层的至少一部分。12.如权利要求4的方法，包括使用平面化来暴露所述多晶硅材料。13.如权利要求12的方法，包括平面化所述多晶硅材料直至所述覆盖物中的平面化终止层。14.如权利要求13的方法，包括去除所述平面化终止层以暴露所述多晶硅材料，然后对所述多晶硅材料进行注入。15.一种半导体结构，包括衬底；以及在所述衬底上的图样化多晶硅材料，所述图样化多晶硅材料基本上是未...
【专利技术属性】
技术研发人员：桑杰伊纳塔拉詹，凯文海德里奇，伊布拉西姆班恩，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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