形成用于衬底的凸起触点的方法技术

本发明专利技术包括一种方法，该方法包括如下步骤：提供一个第一衬底；形成一个覆盖第一衬底的绝缘体；在绝缘体中形成一个开口；在开口中以及绝缘体上形成一个导体；用第一化学机械抛光工艺除掉绝缘体上的导体，以便留下在开口中的导体；以及用第二化学机械抛光工艺减小绝缘体的厚度，以使在开口中的导体凸出。本发明专利技术还包括具有这种凸出导体的结构。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，更具体地说，涉及。
技术介绍
1965年，Gordon Moore首先发现在芯片的单位面积上的晶体管的数量大约每18个月增加一倍。自那时起，半导体工业就设法按计划引进新的设计和工艺，从而在器件密度方面提供由所谓Moore定律所反映的提高。具体地说，在光学和光刻技术方面的重大进步已经减小了能够成功地在芯片或其它衬底上进行图案化的构造(feature)的临界尺寸(CriticalDimension，CD)。同时，在掺杂、沉积以及蚀刻方面的显著改进已经减小了可以精确达到的跨越衬底的厚度、深度以及浓度。由于器件尺寸接近原子尺寸，在确定衬底上的器件的性能和可靠性方面，基本的物理限制将越来越起到更大的作用。过去，定标(scaling)问题一般已经包括在半导体处理工艺前端的晶体管或者在半导体处理工艺的后端的布线。但是，越来越重要的是使衬底上的晶体管和互连的定标与多个衬底之间的相互连接的定标平衡。因此，需要一种形成用于衬底之间的相互连接的凸起触点(raisedcontact)的方法以及一种具有这种凸起触点的结构。附图说明图1(a)-(g)示出了本专利技术的的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：提供第一衬底；在所述第一衬底之上形成绝缘体；在所述绝缘体中形成开口；在所述绝缘体之上以及所述开口中形成导体；用第一化学机械抛光工艺除掉在所述绝缘体之上的所述导体，以便留下在所述开口中的 所述导体；以及用第二化学机械抛光工艺减小所述绝缘体的厚度，以使在所述开口中的所述导体凸出。

【技术特征摘要】
US 2002-6-21 10/177,5391.一种方法，包括提供第一衬底；在所述第一衬底之上形成绝缘体；在所述绝缘体中形成开口；在所述绝缘体之上以及所述开口中形成导体；用第一化学机械抛光工艺除掉在所述绝缘体之上的所述导体，以便留下在所述开口中的所述导体；以及用第二化学机械抛光工艺减小所述绝缘体的厚度，以使在所述开口中的所述导体凸出。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述绝缘体包括二氧化硅。3.如权利要求1所述的方法，其中，所述绝缘体包括低k材料。4.如权利要求1所述的方法，其中，所述绝缘体包括超低k材料。5.如权利要求1所述的方法，其中，所述导体包括铜。6.一种方法，包括在第一衬底上提供焊盘；在所述焊盘之上形成电介质；在所述电介质中形成通道以暴露所述焊盘；在所述电介质之上形成金属以填充所述通道；用第一化学机械抛光工艺除掉在所述电介质之上的所述金属，以在所述通道中形成插栓；以及用第二化学机械抛光工艺使所述电介质下陷，以便从所述插栓形成第一凸起触点。7.如权利要求6所述的方法，还包括在形成所述通道之后且在形成所述金属之前形成阻挡层；以及在除掉所述金属之后且在使所述电介质下陷之前除掉在所述电介质之上的所述阻挡层。8.如权利要求7所述的方法，其中，所述第一化学机械抛光工艺包括第一步骤，用于除掉在所述绝缘体之上的所述导体的大部分覆盖层。9.如权利要求8所述的方法，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：保罗费希尔，詹姆斯博德曼，安妮米利埃，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]