具有部分隔离的源/漏结的场效应晶体管结构及其制造方法技术

一种微电子结构包括至少一个属于第一导电型的源／漏端，所述源／漏端与属于第二导电型的半导体材料区域部分隔离。根据本发明专利技术的再一方面，一种用于形成如ＭＯＳＦＥＴ等的微电子结构的方法，所述结构具有至少一个属于第一导电型的源／漏端，其被与第二导电型的半导体材料区域部分地隔开，所述方法包括形成具有表面的凹槽；在所述凹槽的一部分表面上形成介电材料，和对所述凹槽进行回填以形成源／漏端。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
专利
本专利技术涉及一种金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)，更具体说涉及一种具有部分隔离的源/漏结的场效应晶体管结构，及其制造方法。
技术介绍
在半导体行业中，多年来就存在着以更高频率工作时在单个衬底上集成更多功能的趋势。总的来说，半导体制造和数字系统设计和结构方面的进步使得这种更高的工作频率成为可能。一般来说，使工作频率提高的半导体制造工艺的进步是与电路元件的电特性的改进相联系的，这些电路元件例如是晶体管、电容器和用于连接不同电路元件的结构。更具体地说，增加集成电路工作频率特性的一种方法包括降低寄生电容。因为寄生电容的存在需要更多的电流来对寄生电容进行充电和放电，所以寄生电容有使集成电路工作放慢的趋势，因此需要更长的时间来使不同的电路结点到达预定电压。集成电路中的大量寄生电容存在于与集成电路中常见的场效应晶体管有关的结电容中。所需要的是具有降低的结电容的源/漏端的场效应晶体管，更进一步所需要的是一种制造这种结构的方法。专利技术简述简单的说，一种微电子结构包括至少一个与第二导电型的半导体材料区域部分隔离的第一导电型的源/漏端。本专利技术的再一方面，一种用于形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成源／漏端的方法，包括： 遮蔽半导体表面的一部分； 在半导体表面内靠近被遮蔽的部分形成凹槽，所述凹槽具有底部和侧部； 将离子注入所述底部； 有选择地形成无掺杂的硅层，所述硅层至少部分地设于所述凹槽内。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 1999-12-30 09/474,8361.一种形成源/漏端的方法，包括遮蔽半导体表面的一部分；在半导体表面内靠近被遮蔽的部分形成凹槽，所述凹槽具有底部和侧部；将离子注入所述底部；有选择地形成无掺杂的硅层，所述硅层至少部分地设于所述凹槽内。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，遮蔽半导体表面的一部分包括形成具有多层侧墙的栅电极和位于栅电极上的阻挡层，其中所述阻挡层包括氧氮化硅。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述栅电极包括多晶硅，且所述阻挡层还包括二氧化硅。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成凹槽包括在平行板等离子反应装置中进行等离子体蚀刻约15秒，所述平行板等离子反应装置具有约0.8cm的板间隔、约475mT的压力、约300w的RF功率、约150sccm的Cl流率和约100sccm的He流率。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，注入离子包括注入氮。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，注入离子包括注入碳。7.一种形成源/漏端的方法，包括遮蔽半导体的部分表面；在半导体表面内靠近被遮蔽的部分处形成凹槽，所述凹槽具有底部和侧部；在所述凹槽的底部上形成介电材料，使得所述凹槽的侧部大致是暴露的；有选择地形成包含硅的层，其在所述凹槽的侧部开始并从所述侧部向侧向延伸。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，遮蔽所述半导体表面的一部分包括形成具有侧墙的栅电极和位于栅电极上的阻挡层。9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述栅电极包括多晶硅；所述侧墙包括氧化物层和氮化物层；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：AS穆菲，RS曹，P莫罗，RS麦克法登，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]