披露了一种适用于形成具有金属－金属氧化物电子屏蔽和蚀刻阻滞的互连的方法和装置。在本发明的一实施例中，该方法包括在平整的互连层上沉积金属层，该互连层具有一层中间介质（ＩＬＤ）且其上顶面与导电互连层的上顶面相平齐。在本发明的一实施例中，该方...

一种方法，包括：形成铜金属线路；以及形成用于所述线路的包括贵金属的扩散阻挡层。

比特单元包括多个桥结构以及包括输入端口和输出端口的驱动器。输入端口与多个桥结构中的每一个相连，并且多个桥结构中至多有一个桥结构与信号源相连。一种方法包括从第一桥结构中去除第一特定传导层中的传导件，并且在第一特定传导层中加入传导件，以将第...

一种方法，用于使用聚合物浸渍低ｋ值沸石电介质层的微孔，并且在其中形成互连结构，这样就机械地强化了所述电介质层，并且阻止了微孔内的金属沉淀。

描述了形成应变硅器件的方法以及所形成的结构。所述方法包括：在基本平整的涂覆金刚石的硅晶片的第一侧和第二侧上形成多晶硅层，其中基本平整的涂覆金刚石的硅晶片的第二侧包括缺陷；将硅器件层键合至多晶硅层的第一侧；和从基本平整的涂覆金刚石的硅晶片...

公开了一种模制化合物盖结构。还公开了一种形成所述模制化合物盖结构的工艺。同时还公开了使用所述模制化合物盖结构的微电子封装。也公开了装配微电子封装的方法。还公开了包括有该模制化合物盖结构的计算系统。所述模制化合物盖不可考暴露微电子设备的一...

本发明的相变ＴＩＭ的实施例包括具有熔点温度在工作温度（一般小于约１３０℃）附近或以下的聚酯基质、具有大于约５０Ｗ／ｍＫ的体热导率的导热填充剂和任选的其它添加剂。聚酯树脂具有相比聚烯烃树脂提高的热氧化稳定性，由此在测试期间提供了提高的可靠性。

涉及管芯封装的方法、技术和结构。在一个典型实现中，管芯封装互连结构包括半导体衬底以及与所述半导体衬底接触的第一导电层。该第一导电层可包括基极层金属（２３０）。所述基极层金属可包括Ｃｕ。该典型实现还包括与所述第一导电层接触的扩散阻挡物（２...

一种方法包括在电路基片表面上的多个暴露接触件上形成化学可溶涂层；沿着划线区将基片表面划线；以及在划线后，去除所述涂层的一部分。一种方法包括形成表面上包括多个暴露接触件的电路结构，所述暴露接触件的位置由多个划线道限定；形成包括暴露接触件上...

本发明提供了一种表面安装器件发光二极管封装。该封装包括附接到印刷电路板上的电路板外壳。所述电路板外壳支持第一发光二极管和第二发光二极管。然后将所述发光二极管耦合到所述印刷电路板上。

描述了一种包括微针热解决方案的装置。所述装置包括基底和许多微针，所述微针被热耦合到所述基底。所述微针按类似像素的图案排列在所述基底上。

一种制造穿过晶片的通路的装置和方法。将第一掩模形成于第一半导体管芯的第一侧上以限定第一通路区域。蚀刻一深凹部穿过第一通路区域中的第一半导体管芯并在包含该深凹部的第一侧上形成覆盖金属层。从第一半导体管芯的第一侧的外表面上去除覆盖金属层，同...

本发明是一种ＣＭＯＳ　　ＳＲＡＭ单元，包括：两个存取器件，每一个存取器件由具有单个鳍（４１０）的三栅晶体管（４００）构成；两个上拉器件，每一个上拉器件由具有单个鳍（４１０）的三栅晶体管（４００）构成；以及，两个下拉器件，每一个下拉器件由...

一种装置包括：含有顶端金属层的管芯，顶端金属层最少由第一金属线和第二金属线组成；覆盖顶端金属层的钝化层；位于钝化层上的Ｃ４凸块；在钝化层有第一钝化层开口和第二钝化层开口，第一钝化层开口将第一金属线连到Ｃ４凸块，第二钝化层开口将第二金属线...

本发明涉及集成电路封装的衬底诸如封装衬底或插入衬底的制造。使用其中具有多个通路孔的绿色材料形成基底结构。随后烧结该绿色材料，使得绿色材料变成烧结陶瓷材料且该基底结构变成具有通路孔的烧结陶瓷基底结构。在烧结陶瓷基底结构的每个通路孔内形成导...

描述了用在衬底中为电中性的元素注入衬底来形成非晶蚀刻停止层的方法。使用在衬底中为电中性的元素防止在元素扩散到衬底中的其它区域时由该元素引起的电干扰。在晶体管或其它器件如悬臂的制造中，非晶蚀刻停止层可以用作硬掩模。

通过在铝基金属膜被蚀刻之前向铝基金属膜施加含乳酸酯的溶液可以使铝基金属膜的腐蚀最小化。在用腐蚀性的蚀刻剂蚀刻铝基金属膜之前将含乳酸酯的溶液施加到该膜上。使铝基膜的腐蚀最小化可以增加高反射性的像素阵列的成品率和性能，所述像素阵列由用于数字...

提供了一种用于提供静电放电（ＥＳＤ）保护以增强高级亚微米工艺的性能的多叠层电源箝位电路。该箝位电路包括带有低漏电流和高电流驱动容量的偏压发生器，以及通过降低的栅极漏电流来减轻该偏压发生器上的电流负载的装置。该偏压发生器包括差分放大器。该...

一种非平面半导体器件具有形成在衬底的绝缘层上的半导体本体。半导体本体具有与形成在绝缘层上的底表面相对的顶表面和一对横向相对的侧壁，其中在顶表面处的横向相对的侧壁之间的距离大于在底表面处的横向相对的侧壁之间的距离。在半导体本体的顶表面和半...

公开了一种中央处理单元（ＣＰＵ）。该ＣＰＵ包括ＣＰＵ小片；和在三维插件布局中与ＣＰＵ小片焊接的稳压器小片。