【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本说明书涉及半导体工艺制造，尤其涉及制造在管芯封装内的集成电路凸起。
技术介绍
在管芯封装工艺中，在管芯衬底和周围封装之间可放置多层导电层。管芯封装可以使用导电层来焊接并且焊接层可以与低层的导电层相接触。可以在所述低层导电层上形成图案使其具有一个或多个导电凸起，并可被称为“凸起”层。凸起可以接触直接或间接连接至所述衬底的基极层金属。所述凸起和基极层金属具有可能会导致一个或多个电迁移问题或层老化的一种或多种性质。附图说明图1A到图1D示出了典型的缺陷凸起示意图。图2示出了制造结构的典型实施例。图3是图2中示出的制造的典型实现的典型流程图。图4示出了制造结构的典型实施例。图5是图4中示出的制造的典型实现的典型流程图。图6示出了制造结构的典型实施例。图7是图6中示出的制造的典型实现的典型流程图。图8示出了在电气/计算机系统中管芯封装结构的典型实现。具体实施例方式本专利技术的一个或多个典型实施例的技术、方法和结构涉及集成电路和管芯封装。一个或多个典型实现尤其涉及在衬底上制造凸起以避免Cu和Sn的混合。本专利技术中的一个或多个典型实现可以减少与CuSn金属间形成有关的电...
【技术保护点】
一种装置，包括：半导体衬底；与所述半导体衬底接触的第一导电层，所述第一导电层包括基极层金属，所述基极层金属包括Ｃｕ；与所述第一导电层接触的扩散阻挡物；在所述扩散阻挡物之上的润湿层；以及在所述润湿层之上 的凸起层，所述凸起层包括Ｓｎ，所述Ｓｎ凸起层被电镀，所述扩散阻挡物适于防止Ｃｕ和Ｓｎ扩散通过所述扩散阻挡物。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：M玻尔，S巴拉克利施南，V杜宾，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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