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涉及管芯封装的方法、技术和结构。在一个典型实现中，管芯封装互连结构包括半导体衬底以及与所述半导体衬底接触的第一导电层。该第一导电层可包括基极层金属（２３０）。所述基极层金属可包括Ｃｕ。该典型实现还包括与所述第一导电层接触的扩散阻挡物（２２５...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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