【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于电镀的方法，其中执行以下步骤-将导电基本层施加到衬底，-在施加基本层之后施加与该基本层相比具有更好的电导率的辅助层，-在施加辅助层之后施加掩模层，例如抗蚀剂层，-由掩模层形成具有至少一个掩模开口的掩模，-在掩模开口中电镀一层。所述衬底是例如具有一个金属化层或具有多个金属化层的半导体衬底。通常使用硅半导体衬底。所述金属化包含例如大于80个原子百分比的铝或大于80个原子百分比的铜。导电基本层是例如用于增加机械粘附的粘附促进层和/或用于防止扩散的扩散阻挡层。作为实例，氮化钛层用作铜阻挡层。与接触凸起有关地，基本层和辅助层在术语中也被称为“凸点下金属化”(UBM)。铜是非常价廉的、具有高电导率的材料。从而，铜层很适于在电镀期间提供电流。因此，铜是通常用作辅助层材料的材料。掩模层是例如抗蚀剂层，其借助光刻法来构图。例如，由可焊接的材料制成的接触凸起被电镀在掩模开口中，该接触凸起在术语中也被称为“焊接凸点”。锡合金，例如尤其是锡铅合金或可与环境更兼容的锡银合金被用作焊接材料。基本层、辅助层和掩模层优选施加到整个区域上方。基本层和辅助层通过例如溅射来施加...
【技术保护点】
一种用于电镀的方法，具有以下步骤：将导电基本层（２２）施加到衬底（１２），在施加基本层（２２）之后施加与该基本层（２２）相比具有更好的电导率的辅助层（２４），在施加辅助层（２４）之后施加掩模层（２６），由掩模 层（２６）形成具有至少一个掩模开口（２８）的掩模，使用该掩模构图辅助层（２４），根据该掩模基本层（２２）没有被构图或没有被完全构图，在构图辅助层（２４）之后在掩模开口（２８）中电镀至少一层（５０、５２）。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：J赫尔内德，H托尔维斯滕，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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