【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
在半导体工业中，为了响应封装或高密度封装的减薄，通过层叠芯片技术进行半导体晶片的减薄。通过在与图形形成表面(电路表面)相反的侧面中研磨晶片表面的所谓后-表面研磨执行减薄。通常，在执行后-表面研磨的常规方法和输送中，尽管仅仅由后研磨保护带保持晶片，但是减薄实际上仅仅可以完成至约150μm的厚度，因为研磨之后具有保护带的晶片被翘曲或研磨处的厚度均匀性低的问题。为了解决这些问题，使用具有高硬度和大厚度(从100至200μm)的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)作为后研磨保护带的衬底，由此可以制造具有约50μm厚度的半导体晶片。其间，通过被称作切割工序的切割步骤，将减薄的半导体晶片切割为单个芯片。具体，在由减薄至50μm或以下的非常小厚度的半导体晶片获得芯片的过程中，切割工序中的低产量变为一个问题。这是因为，在切割被后-表面研磨减薄的半导体晶片并层叠到称作切割带的压敏胶粘带的普通方法中，在与压合胶粘片接触的半导体晶片的切割处产生碎屑(边缘碎屑)。为了解决半导体晶片的切割时的问题，日本未审查的专利公报号(特开)5-335411，特开2000-...
【技术保护点】
一种用于半导体芯片的制造方法，包括：在透光支撑件上涂敷包括光吸收剂和热可分解树脂的光致发热转换层，假如在辐射能的照射时，所述光致发热转换层将辐射能转变为热量并由于该热量而分解，制备具有电路表面和非电路表面的半导体晶片，该电路 表面具有电路图形，非电路表面在所述电路表面相反的侧面上，通过将所述电路表面和所述光致发热转换层放置为互相面对，通过光可固化的粘合剂层叠所述半导体晶片和所述透光支撑件，以及从所述透光支撑件侧照射光，以固化光可固化的粘结层，由此形成在外表面上具有非电路表面的层叠体，研磨所述半导体晶片的非电路表面，直到所述半导体晶片达到希望的厚...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：野田一树，岩泽优，
申请(专利权)人：三M创新有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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