【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制造闪存器件的方法，更具体地，设计一种形成电介质膜的方法，所述电介质膜形成在闪存器件的浮置栅极和控制栅极之间。
技术介绍
通常，闪存器件的栅极具有包括隧道氧化物膜11、浮置栅极12、电介质膜13和控制栅极14的结构，其全部形成在硅衬底10上，如图1所示。附图标记15表示隔离膜(isolation film)。如上构造的闪存器件的编程、擦除和读操作以这样的方式进行，即通过施加适当的偏置电压到控制栅极14和硅衬底10，电子注入到浮置栅极12或从其取出。电介质膜13具有氧化物-氮化物-氧化物(ONO)结构，其中堆叠第一氧化物膜13a、氮化物膜13b和第二氧化物膜13c。它们之中，第一和第二氧化物膜13a和13c借助二氯硅烷(SiH2Cl2)基的化学气相沉积(CVD)方法形成。然而，由CVD形成的CVD氧化物膜与借助普通干和湿氧化方法形成的氧化物膜相比具有低的膜质量。电介质膜13极大地影响闪存器件的运行。更特别地，第一氧化物膜13a的厚度和膜质量对闪存器件的电荷泄漏和保持特性具有显著影响。在70nm或更低的设计尺寸中，浮置栅极12之间的距离非常狭窄，...
【技术保护点】
一种制造闪存器件的电介质膜的方法，包括步骤：提供形成有浮置栅极的半导体衬底；实施在减压状态的氧化工艺从而在包括所述浮置栅极的所述半导体衬底上形成第一氧化物膜的薄膜；以及在所述第一氧化物膜上顺序形成氮化物膜和第二氧化物 膜从而形成具有所述第一氧化物膜、所述氮化物膜和所述第二氧化物膜的电介质膜。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：朱光喆，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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