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本发明提供一种制造闪存器件的电介质膜的方法，包括步骤：提供形成有浮置栅极的半导体衬底；在减压状态下实施氧化工艺从而在所述包括浮置栅极的半导体衬底上形成第一氧化物膜的薄膜；在所述第一氧化物膜上顺序形成氮化物膜和第二氧化物膜从而形成具有第一氧化...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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