【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅的等离子体蚀刻方面的问题，特别是半导体元件生产中硅的等离子蚀刻问题。在使用单晶硅的半导体元件生产中，特别在生产高组装密度的集成电路芯片时，经常需要蚀刻硅基片的某些表面。在现有的工艺中，这是通过等离子体蚀刻完成的。在等离子体蚀刻过程中，首先将硅片涂一层光刻胶。在光刻胶上作出一些窗口，使光刻胶下面被选定的硅片区域暴露出来。然后把硅片放在蚀刻室中。室体是一个受控制的环绕物，包括用来把气体导入室体的装置以及由气体产生等离子体的电极。典型的氯化气体如Cl2、CCl4等用来形成等离子体以蚀刻硅。将这种气体导入室体，施加射频(RF)能量以产生等离子体。直到射频能量去掉以后蚀刻才会终止，通过调整过程的计时、气体压力、射频能量及气体流速控制蚀刻深度。用现有技术的方法蚀刻硅有几个缺点。第一，使用的氯化气体对人的生命有很大危险。例如，CCl4对人体是有毒的，允许的暴露量仅为10PPm。在超过300PPm量级时，立即威胁人体生命。另外，CCl4是一种可疑的致癌物。氯气(Cl2)本身就是有毒的，而且有腐蚀性，按职业防护与健康管理机构(OSHA)规定，允许的暴露量极限仅为1PP...
【技术保护点】
用气体混合物形成的等离子体蚀刻硅方法的一种改进，这种改进包括：由含有ＣＨＦ↓〔３〕和ＳＦ↓〔６〕的二组份混合物形成等离子体，ＣＨＦ↓〔３〕的含量大于ＳＦ↓〔６〕的含量，从而获得了硅的定向蚀刻。
【技术特征摘要】
US 1985-8-23 768,8751.用气体混合物形成的等离子体蚀刻硅方法的一种改进，这种改进包括由含有CHF3和SF6的二组份混合物形成等离子体，CHF3的含量大于SF6的含量，从而获得了硅的定向蚀刻。2.按照上述权利要求1所述的改进，其中CHF3含量大约为SF6含量的4倍。3.按照上述权利要求1所述的改进，其中等离子体是在射频能量约600瓦时形成的。4.对硅的等离子体蚀刻的一个改进的方法包括在上述硅表面形成一层光...
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