组合线圈感应耦合高密度等离子体源制造技术

本发明专利技术是属于等离子体工艺设备，特别是用于半导体器件刻蚀工艺设备，它是由法拉弟壳层（１）、感应次极线圈（２）、绝缘材料壳层（３）、外壳座（４０）、进出气孔（５）、（８）、芯片座（７）以及感应初极线圈（９）和电源（１０）组成，本发明专利技术的特点在于，将感应次极线圈（２）做成了拱形的形状，还可以做成圆柱形状，其优点为，提高了感应效率，提高了等离子体的密度，芯片的均匀性也有较大改善，从而也就提高了半导体器件在刻蚀工艺生产中的成品率。（*该技术在2013年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术组合线圈感应耦合高密度等离子体源属于等离子体工艺设备，可用于等离子体材料工艺，如低气压下的金刚膜生长，化学积沉等特别是用于半导体器件的刻蚀工艺设备。目前应用的感应离子源基本上可以分为两类，即平面线圈型和圆柱线圈型。这两种现有的感应离子源各有其缺点。由于在等离子体刻蚀等工艺中，对加工的均匀性有相当的要求，通常要求小于5%，平面线圈型的感应离子源存在着感应效率偏低的问题，而圆柱线圈型的感应离子源存在着均匀性差的问题，这是因为靠近线圈区域的等离子体密度比较高，而远离线圈区域的等离子体密度比较低，这样用以上两种感应离子源做出的半导体器件的成品率也就降低了。本专利技术的目的在于，克服上述缺点，提供两种等离子体源，一种为感应次极线圈为拱型形状，另一种感应次极线圈为圆柱形，这样感应效率和等离子体参数都有了保证，而且均匀性也有了提高。本专利技术的内容为，组合型线圈即有平面部分又有柱面部分(包括拱型线圈)，所说线圈的感应效率应与线圈与腔体相互接壤的表面积成正比，也就是增加其相互作用的表面积即可使感应效率得以提高，理论上意味着回路的电感与电容增加使感应的效率提高。以球面型线圈为例，由于球本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包括金属外壳座（４）、进口气孔（５）、出口气孔（８）和安装在金属外壳座（４）内底上的芯片座（７），以及与感应次极线圈（２）相连接的感应初线圈（９），还有与感应初极线圈（２）相连接的电源（１０）的组合线圈感应耦合高密度等离子体源，其特征在于，将绝缘材料壳层（３）做成拱型的形状，相对应也将法拉弟壳层（１）做成拱型形状，感应次极线圈（２）螺旋状均匀分布在拱型的法拉弟壳层（１）上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种包括金属外壳座(4)、进口气孔(5)、出口气孔(8)和安装在金属外壳座(4)内底上的芯片座(7)，以及与感应次极线圈(2)相连接的感应初线圈(9)，还有与感应初极线圈(2)相连接的电源(10)的组合线圈感应耦合高密度等离子体源，其特征在于，将绝缘材料壳层(3)做成拱型的形状，相对应也将法拉弟壳层(1)做成拱型形状，感应次极线圈(2)螺旋状均匀分布在拱型的法...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴汉明，
申请(专利权)人：中国科学院力学研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]