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本发明是属于等离子体工艺设备，特别是用于半导体器件刻蚀工艺设备，它是由法拉弟壳层（１）、感应次极线圈（２）、绝缘材料壳层（３）、外壳座（４０）、进出气孔（５）、（８）、芯片座（７）以及感应初极线圈（９）和电源（１０）组成，本发明的特点在于，...
该专利属于中国科学院力学研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院力学研究所授权不得商用。

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