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利用氟化气体混合物进行等离子体蚀刻硅的一个方法．在蚀刻室里，利用ＣＨＦ－［３］和ＳＦ－［６］混合物形成等离子体对硅进行蚀刻．通过改变ＣＨＦ－［３］／ＳＦ－［６］混合物中ＣＨＦ－［３］的百分比可以控制蚀刻的定向度．该方法对被蚀刻的硅表面无不利...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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