高速硅光敏三极管制造技术

本发明专利技术一种改进的半导体硅光敏器件．，它利用ＰＮ结对光生少数载流子的侧向收集作用，把光敏三极管的集电区设计成网状结构，使接受人射光的光敏面与集电极结面分开，从而达到了保持光敏面不变而又减小了集电结电容的目的．若把发射区设计成细条结构以及选用电阻率恰当、层厚较薄的硅外延片作衬底材料，则此硅光敏三极管的响应时间可降低到０．５微秒以下．（*该技术在2005年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于一种改进的半导体光敏器件。它具有较高的响应速度。现有的硅光敏三极管(双极型)，虽然具有较高的灵敏度，但其响应速度很慢，都在一个微秒以上(Optoelectronics，D.A.T.A.Book，Electronic Information Series，Vol.29，Book.20，P.97，August 1984，Edition 18)。响应速度缓慢的原因是结区电容太大。结电容的大小取决于结区的面积。现有光敏三极管的PN结具有纵向结(平行于光敏面)的结构，集电结区的面积就等于光敏面的面积。为了保证接受足够的光通量，不能任意减小光敏面，因而无法用减少结面积使结电容减少的方法来提高硅光敏三极管的响应时间。本专利技术利用PN结能够侧向收集光生少数载流子的作用，把接受入射光的光敏面与集电极结面分开，使它们之间的PN结具有横向结的结构，从而在保持光敏面积不变的情况下可以缩小结区面积，减小结电容。这样做成的硅光敏三极管。其灵敏度基本上保持不变，而响应时间则可以降低到0.8微秒以下，从而增加了硅光敏三极管的应用范围。当把发射区设计成细线条状结构，集电结面设计成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有一定灵敏度的高速硅光敏三极管，其特征在于接受入射光的光敏面（１）与集电极结面（２）分开，其ＰＮ结具有横向结的结构。

【技术特征摘要】
1.一种具有一定灵敏度的高速硅光敏三极管，其特征在于接受入射光的光敏面(1)与集电极结面(2)分开，其PN结具有横向结的结构。2.一种如权利要求1所述的高速硅光敏三极管，其特征在于a、光敏面(1)与...

【专利技术属性】
技术研发人员：何民才，陈炳若，
申请(专利权)人：武汉大学，
类型：发明
国别省市：42[中国|湖北]