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本发明一种改进的半导体硅光敏器件．，它利用ＰＮ结对光生少数载流子的侧向收集作用，把光敏三极管的集电区设计成网状结构，使接受人射光的光敏面与集电极结面分开，从而达到了保持光敏面不变而又减小了集电结电容的目的．若把发射区设计成细条结构以及选用电...
该专利属于武汉大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉大学授权不得商用。

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