【技术实现步骤摘要】
本专利技术总的涉及微电子电路小片以及封装这样的器件,更具体的,本专利技术涉及导线结合结构和电连接到微电子电路小片的方法。
技术介绍
微电子电路小片、半导体晶片等等通常容纳在称为封装件或者封装的保护覆盖物中。形成在封装件上的管脚通过结合导线电连接到形成在电路小片或者芯片的基底或者间层电介质中的相应的焊盘。然后,使用封装件的管脚将微电子电路小片连接到安装在电路板上的插座中,或者在一些设计中,封装件的管脚可以直接连接到电路板或者其它基底上。形成在电路小片的间层电介质中的焊盘通常由铜形成,且结合导线通常由铝或者金形成。当暴露到诸如空气之类的氧化环境中时,铜和铝都会在暴露的表面上形成一薄氧化物层。铜易于连续氧化,铝不会。在铝和铜连接之间的氧化层会增加由铜焊盘和铝结合导线形成的导电通路的电阻。通过将铝结合导线直接连接到铜焊盘形成的电接触的强度随着时间的流逝也会机械地变弱和变坏。另外,当暴露到诸如那些用于测试微电子电路小片、电路板等等之类的高温中,或者在那些可能经历高温和氧化环境的专门的应用中时,铝和铜可以相互反应。暴露到诸如达到大约200℃摄氏度或者更高之类的高温中会引起在铝结合导线和铜焊盘之间形成的连接不稳定,导致结合的断裂和断开,或者导致随着时间的流逝更容易变坏的结合。高温还可以引起增加的金属氧化和增加铜与铝的结合或者连接之间的电阻。虽然在大多数应用中不期望经历这样的高温,但是微电子电路小片和电路在这样的温度下测试,以确保这些器件和它们的连接随着时间的流逝和在所有正常环境条件下的可靠性和稳定性。在图1中显示了一种已知的导线结合结构100。铜结合焊盘102形成在 ...
【技术保护点】
一种导线结合结构,其包括:基底;形成在该基底的表面上的铜焊盘;与该铜焊盘接触的导电层;以及结合到该导电层的结合导线,其中,该导电层包括一种材料,以在氧化环境和具有达到至少大约350℃的温度的环境的至少一种环境 中在结合导线和铜焊盘之间提供稳定的接触。
【技术特征摘要】
US 2001-10-18 10/032,6231.一种导线结合结构,其包括基底;形成在该基底的表面上的铜焊盘;与该铜焊盘接触的导电层;以及结合到该导电层的结合导线,其中,该导电层包括一种材料,以在氧化环境和具有达到至少大约350℃的温度的环境的至少一种环境中在结合导线和铜焊盘之间提供稳定的接触。2.如权利要求1的导线结合结构,其特征在于该导电层包括单层钛。3.如权利要求1的导线结合结构,其特征在于该导电层具有在大约几百纳米和几个微米之间的厚度。4.如权利要求1的导线结合结构,其特征在于该结合导线包括铝。5.如权利要求1的导线结合结构,其特征在于该导电层包括钛,且该结合导线包括铝,其中该钛导电层和该铝结合导线在选定的温度下退火持续预定的时间周期。6.如权利要求1的导线结合结构,还包括形成在基底上的至少一层钝化材料,且包括形成在其中的开口,该导电层通过该开口接触铜焊盘。7.如权利要求1的导线结合结构,还包括形成在基底的表面上的第一层氮化硅;以及形成在该第一层上的第二层聚酰亚胺,其中,开口形成在第一层氮化硅和第二层聚酰亚胺中,该导电层通过该开口接触铜焊盘。8.如权利要求1的导线结合结构,其特征在于该基底是微电子电路小片的中间电介质层。9.一种导线结合结构,其包括基底;形成在该基底的表面上的铜焊盘;形成在该基底上且覆盖该铜焊盘的至少一层钝化材料;形成在该至少一层钝化材料上且通过形成在该至少一层钝化材料中的开口与该铜焊盘接触的单层导电材料;以及结合到该单层导电层的结合导线,其中,该结合导线与铜焊盘的材料不同,且该单层导电材料提供提供在结合导线和铜焊盘之间的附着。10.如权利要求9的导线结合结构,其特征在于该单层导电材料包括钛。11.如权利要求9的导线结合结构,其特征在于该结合导线包括铝。12.如权利要求9的导线结合结构,其特征在于该单层导电材料包括钛,且该结合导线包括铝,其中该单层导电材料和该结合导线在选定的温度下退火持续预定的时间周期。13.如权利要求9的导线结合结构,其特征在于该至少一层钝化材料包括第一层氮化硅;以及形成在该第一层上的第二层聚酰亚胺。14.一种微电子电路小片,其包括基底;多个形成在该基底上的铜结合焊盘;形成在该基底上且覆盖该多个铜结合焊盘的至少一层钝化材料;多个电触点,每个电触点由单层导电层形成,多个电触点的每一个通过形成在至少一层钝化材料中的开口连接到多个铜结合焊盘的相应的一个;以及多个结合导线,每个结合到多个电触点中的相应的一个。15.如权利要求14的微电子电路小片,其特征在于多个...
【专利技术属性】
技术研发人员:D丹尼尔森,P帕卢达,R格莱克斯纳,R奈克,
申请(专利权)人:英特尔公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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