将表膜框架贴附到调制盘制造技术

表膜薄膜被安装在外框架和内框架之间。在不使用常规粘合剂的情况下，将至少一个框架贴附到调制盘上。表膜和调制盘可用于光刻系统中。表膜允许辐射通过该表膜达到调制盘并可以防止颗粒通过该表膜。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
背景一种微芯片制造过程可以在晶片上的一个或多个沉积层上形成感光膜或者光阻材料。光刻系统可以通过透射光学装置透射光或者由反射光学装置反射光到调制盘(reticle)或者形成图案的掩模。来自调制盘的光将形成图案的图像转移到光阻材料上。将暴露给光的光阻材料的部分除去。不受剩余的光阻材料保护的晶片部分可以被蚀刻以形成晶体管器件。微芯片制造过程会需要在晶片水平上实施的几个光刻过程。从调制盘复制在不同水平上通过光刻过程被印刷到晶片上的图案。一个调制盘可用于可重复地印刷几千个晶片。调制盘可以在其寿命期间经受处理。由于环境和处理，可以用表膜(pellicle)保护调制盘不受沉积到表膜化的调制盘上的微粒污染。附图概述附图说明图1是光刻系统的实例。图2A和2B分别是用于图1的光刻系统中的调制盘、表膜和表膜框架的顶视图和侧视图。图3是示出在图1的光刻系统中表膜和调制盘暴露给辐射后图2A的调制盘上的缺陷。图4A和4B分别是根据实施例的表膜、外表膜框架以及内表膜框架的顶视图和剖视侧视图。图5A和5B分别是具有任选螺丝的图4A的表膜、外表膜框架以及内表膜框架的顶视图和剖视侧视图。图6A和6B示出热处理之前和热处理之后图4A的表膜和外框架。图7示出图4A的表膜和表膜框架、预切割聚合物层和调制盘。图8A-8C是被安装并经受温度变化的表膜、表膜框架、粘合层以及调制盘的侧视图。图9示出调制盘的温度变化以及相对应的面内(in-plane)位移或变形。图10是聚四氟乙烯(PTFE)的差分扫描差示扫描量热图，该PTFE用于图4A的表膜。图11示出将表膜贴附到图4A-4B的框架上以及将至少一个框架贴附到图7的调制盘上的技术。 具体实施例方式图1示出光刻系统100(也称作光刻工具、光刻曝光系统、投影打印机、扫描仪或步进器)。光刻系统100可以包括激光器或辐射源102、具有图案(也称作掩模)的反射调制盘107以及多个反射缩影光学装置108。调制盘107可以由玻璃或铬制成。激光器102可以产生辐射，该辐射被反射离开调制盘107以便在目标110上形成图案形成图像。图2A和2B分别是图1的调制盘107、表膜200和表膜框架202的顶视图和侧视图，它们可用于图1的光刻系统100中。表膜200可以是薄的透明膜片，它允许来自激光器102的辐射穿过并到达调制盘107。表膜200和框架202可以被永久地贴附到调制盘107上。表膜200可以保持在离开调制盘表膜的固定距离处。在光刻过程期间，表膜200上多数颗粒的图像会在目标(晶片)表面上焦点没有对准，因此将不产生目标110上的缺陷。从而，可以保存调制盘107的原始品质。一旦表膜200和框架202被适当贴附，调制盘107的表面可以持续免受将来的颗粒污染。调制盘107上沉积的颗粒或污染会降低通过光刻系统100处理的目标110的产量。表膜200和框架202旨在保护(例如，封闭)调制盘107不会受到由于处理调制盘107引起的颗粒落在调制盘上。表膜200可增加光刻系统100的晶片产量。可以采用有机粘合剂将表膜200应用、拉伸和贴附到框架202上。粘合剂通常可以包括低分子量化合物，例如聚合物，包括添加剂或溶剂，诸如全氟化胺溶剂。粘合剂也可用于将表膜框架202贴附到调制盘107上。压敏垫圈可用作调制盘到框架的粘合剂。当在图1的光刻系统100中表膜200暴露给辐射(例如，散射光或激光曝光)时，粘合剂和溶剂会除气或蒸发。粘合剂或溶剂除气会产生一种或多种类型的残余有机蒸汽，其可以包括诸如全氟化三丙烷的化合物。被除气的有机蒸汽会通过降低表膜透明度而损害表膜200，使得表膜变薄并加速表膜的光降解作用。在有机蒸汽浓度增加时，引起表膜200中透射损耗所需的能量的量会降低。因此，被除气的有机蒸汽会减少表膜的寿命。表膜200的变薄会引起调制盘107上的缺陷或颗粒污染。图3示出在图1的光刻系统100中表膜200和调制盘107暴露给辐射(例如，几个焦耳)后图2A的调制盘107上产生的缺陷300。可以通过248-nm、193-nm、157-nm或其它波长辐射下表膜粘合剂的除气和颗粒污染引起缺陷300。如果表膜200被移除且调制盘107被清理，缺陷300会进一步使得调制盘表面退化。本申请涉及将表膜安装到外框架和内框架上以及将至少一个框架贴附到调制盘上而不使用常规粘合剂。以下描述的安装技术可以减少除气引起的缺陷并可以避免清理过程。图4A和4B分别是根据实施例的表膜402、外表膜框架404和内表膜框架406的顶视图和剖视侧视图。例如，表膜402可以对诸如157nm、193nm、248nm或其它波长的预定曝光波长光透明。表膜402可以是薄聚合物膜片，例如小于或等于10微米厚，诸如6微米厚或者1微米厚。表膜402可以是通过旋涂、压挤、铸造或某些其它方法形成的薄膜。表膜402可以是任何热塑性聚合物(诸如氟代聚合物，烃聚合物，诸如纤维素，或者含硅聚合物，诸如多晶硅)或者以上聚合物的共聚物，它们可以满足所需光透明性和辐射耐久性规格。光透明性规格的一个实例可以是在157nm、193nm、248nm或任何其它波长的曝光波长下超过90％的透射。光耐久性的规格实例可以是在157nm、193nm、248nm或任何其它波长的曝光波长下在几千焦耳/cm2辐射等效量后超过90％的透射。作为实例，表膜402可以是由日本Asahi Glass Company提供的“Cytop”(无定形环化全氟聚合物或者聚(全氟(3-丁烯基乙烯醚))，或者DuPont Photomask，Inc.提供的“特氟隆AF”，一种包含间二氧杂环戊烯环和线型氟烃链的无定形环化全氟聚合物，或者满足光学和耐久性要求的其它聚合物。这些聚合物可用于图4A-4B的表膜。为了提供本申请的某些方面的概念证明，使用一片6微米厚的热塑性聚合物聚四氟乙烯(PTFE)膜，诸如从St.Gobain of Garden Grove，California获得的DF100 C cast film(铸塑膜)。PTFE是由-CF2-CF2-重复单体单元组成的聚合物。图4A-4B中的双重框架404、406可由金属制成，诸如铝或不胀钢(包含铁(Fe)，镍(Ni)和钴(Co)的金属合金)。外表膜框架404可以由与内框架406的材料相同或不同的材料制成。框架404、406可以具有各种取决于应用的形式。作为实例，框架404、406可以具有148×122×6.3mm或者148×105×5.0mm的尺寸。其它可能的长×宽尺寸可以是144mm×120。其它可能的表膜尺寸可以至少部分基于来自光刻步进器设备制造商的值。表膜到框架的机械贴附在实施例中，表膜402可以被安全地机械贴附或夹于外框架404和内框架406之间而不使用粘合剂，如图4B所示。例如，外框架和内框架404、406可以被调整尺寸和形状以便通过咬住动作或锁定动作连接在一起。内框架406的上表面407压向外框架404的内表面408，而将表膜402保持在这些表面407、408之间。通过摩擦保持表膜402。这形成了表膜402到框架404、406的机械贴附，这可以避免使用粘合剂并可以减少除气的机会。图5A和5B示出可选实施例，它们分别示出具有螺丝502的图4A的表膜402、外表膜框架404以及内表膜框本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，其特征在于，包括：将聚合物层置于调制盘和表膜框架之间；以及将聚合物层加热到预定温度以便将调制盘贴附到表膜框架上。

【技术特征摘要】
US 2003-8-26 10/649,3541.一种方法，其特征在于，包括将聚合物层置于调制盘和表膜框架之间；以及将聚合物层加热到预定温度以便将调制盘贴附到表膜框架上。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，聚合物层具有约60到150摄氏度之间的熔点。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述加热步骤在45到150摄氏度之间加热聚合物层。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括在所述加热步骤期间将压力施加到调制盘和表膜框架上。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述聚合物层包括热塑性塑料。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括在调制盘和表膜框架之间形成密封。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括切割聚合物层以匹配表膜框架的下表膜区域。8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述加热步骤是局部的作用到聚合物层上以便将表膜框架结合到调制盘上。9.一种装置，其特征在于，包括聚合物层，它被调整形状以匹配表膜框架的下表...

【专利技术属性】
技术研发人员：F埃斯巴齐，P齐莫曼，A特雷古布，FC罗，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]