【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及背面金属化和微电子器件晶片的划片。特别地，本专利技术涉及在金属化和划片之前，形成从微电子器件晶片的后表面延伸到其中的沟槽。
技术介绍
在微电子器件的生产中，集成电路形成在半导体晶片内和其上，所述晶片通常主要由硅构成，但是也可以使用诸如砷化镓和磷化铟的其它材料。如图8所示，单个微电子器件晶片200可以包含多个基本上相同的集成电路区域202，该电路区域通常基本上为矩形并按行和列来布置。相互垂直的两组线或“划片道”(scribe street)204在半导体晶片200的几乎整个表面上、在各个分散的集成电路区域202之间彼此垂直地延伸，其中每组划片道204相互平行。在集成电路区域202经过了初步的功能测试(晶片挑选)之后，微电子器件晶片200被划片(被切开)，使得起集成电路202作用的每个区域变成一个能够用于形成被封装的微电子器件的微电子管芯。一种示例性的微电子晶片划片处理使用镶金刚石的圆形划片机，该划片机沿着位于各个行与列之间的划片道204行进。当然，划片道204的大小必须允许晶片切割刀片在相邻的集成电路区域202之间通过而不对该电路区域中的电路造成损...
【技术保护点】
一种微电子器件，包括：具有有效表面、后表面以及至少一个侧面的微电子管芯；所述至少一个微电子管芯侧面包括至少一个沟槽侧壁、至少一个凸缘和至少一个沟道侧壁；以及设置在所述微电子管芯后表面和所述至少一个沟槽侧壁上的金属化层 。
【技术特征摘要】
US 2001-11-30 10/000,2291.一种微电子器件，包括具有有效表面、后表面以及至少一个侧面的微电子管芯；所述至少一个微电子管芯侧面包括至少一个沟槽侧壁、至少一个凸缘和至少一个沟道侧壁；以及设置在所述微电子管芯后表面和所述至少一个沟槽侧壁上的金属化层。2.如权利要求1的微电子器件，其中所述至少一个沟槽侧壁基本上平行于所述至少一个沟道侧壁。3.如权利要求2的微电子器件，其中所述至少一个凸缘基本上垂直于所述至少一个沟槽侧壁和至少一个沟道侧壁中的至少一个。4.如权利要求2的微电子器件，其中所述至少一个凸缘基本上与所述至少一个沟槽侧壁和至少一个沟道侧壁中的至少一个成角形。5.如权利要求2的微电子器件，其中所述至少一个凸缘基本上与所述至少一个沟槽侧壁和至少一个沟道侧壁中的至少一个成弧形。6.如权利要求1的微电子器件，其中所述金属化层是选自金、银、钛、铬、钒、钨和镍的至少一种金属。7.一种微电子器件组件，包括具有有效表面、后表面以及至少一个侧面的微电子管芯；所述至少一个微电子管芯侧面包括至少一个沟槽侧壁、至少一个凸缘和至少一个沟道侧壁；设置在所述微电子管芯后表面和所述至少一个沟槽侧壁上的金属化层；以及通过热界面材料被连接到所述微电子管芯后表面的散热装置。8.如权利要求7的微电子器件组件，其中所述至少一个沟槽侧壁基本上平行于所述至少一个沟道侧壁。9.如权利要求8的微电子器件组件，其中所述至少一个凸缘基本上垂直于所述至少一个沟槽侧壁和至少一个沟道侧壁中的至少一个。10.如权利要求8的微电子器件组件，其中所述至少一个凸缘基本上与所述至少一个沟槽侧壁和至少一个沟道侧壁中的至少一个成角形。11.如权利要求8的微电子器件组件，其中所述至少一个凸缘基本上与所述至少一个沟槽侧壁和至少一个沟道侧壁中的至少一个成弧形。12.如权利要求7的微电子器件组件，其中所述金属化层是选自金、银、钛、铬、钒、钨和镍的至少一种金属。13.如权利要求7的微电子器件组件，其中所述热界面材料选自铅、锡、铟、银、铜及它们的合金。14.如权利要求7的微电子器件组件，其中至少部分所述热界面材料的角焊缝从所述微电子管芯沟槽侧壁上的所述金属化层延伸到所述散热装置。15.一种对微电子器件晶片进行划片的方法，包括如下步骤提供包括半导体晶片的微电子器件晶片，所述半导体晶片具有后表面，所述微电子器件包括形成于其中并被至少一个划片道所分隔开的至少两个集成电路区域；形成至少一个与所述至少一个划片道相对，并从所述半导体晶片后表面延伸到所述半导体晶片中的沟槽，其中所述沟槽包括至少两个侧壁和底部；在所述半导体晶片后表面、所述至少两个沟槽侧壁和所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：拉金德拉迪亚斯，比朱钱达恩，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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