【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】可连接到微电子基板的相反表面的用于测试的转换器以及相关的系统和方法相关申请的交叉引用本申请要求2013年3月15日提交的美国专利申请号13/840,937,以及2012年4月9日提交的的美国临时申请号61/621,954的优先权,两者的全部内容通过引用方式被合并于此。在上述申请和/或任何其它通过引用方式被合并于此的材料与本公开内容冲突的方面而言,本公开内容进行控制。
本公开通常涉及可连接到微电子基板的相反表面的用于测试的转换器,以及相关的系统和方法。
技术介绍
微电子(例如,半导体)制造技术的进步已引起了,除了别的之外,在精密电子器件的成本方面的显著减少。其结果是,集成电路在现代环境中已变得无处不在。集成电路通常分批次制造。个别批次通常包含多个半导体晶片或其它基板,集成电路在其中或其上形成。形成集成电路需要各种半导体制造步骤,包括,例如,沉积、掩模、图案化、注入、蚀刻、平坦化,以及其它工序。每个晶片通常包括数百个稍后被分隔或分割并被封装使用的单个管芯。在管芯被分割前,测试完整的晶片以确定晶片上的哪些管芯能够按照预定的规格进行操作。在这种方式中,不能符合预期执行的集成电路将不能封装或被合并进入成品。典型地,在近似圆形的半导体基板或晶片上制造集成电路。此外,通常形成这种集成电路以使得设置在集成电路的最上层之上或靠近集成电路的最上层的导电区域都可以充当端子以用于到设置在集成电路较低层之中或之上的各种电子元件的连接。在测试过程中,这些导电区通常与探针卡接触。过去,一次能测试一个晶片上未分割的集成电路。为了降低成本和提高投资回报,每个晶片花费在测试过程中花费的时间应 ...
【技术保护点】
一种用于测试微电子基板的方法,所述方法包括;将第一转换器定位在第一区域中接近微电子基板,所述微电子基板具有第一主表面和背对所述第一主表面的第二主表面,所述微电子基板具有延伸穿过所述基板的导电的贯穿基板通孔,所述第一区域从所述微电子基板的所述第一主表面向外延伸,以及第二区域从所述第二主表面向外延伸;在所述第一区域相对于所述微电子基板可释放地固定所述第一转换器;当在所述第一区域相对于所述微电子基板固定所述第一转换器时,在所述第二区域相对于所述微电子基板可释放地固定第二转换器;当所述第一转换器被定位在所述第一区域中时,以所述第一转换器电接入所述微电子基板的第一贯穿基板通孔;以及当所述第一转换器和所述第二转换器相对于所述微电子基板被可释放地固定时,以所述第二转换器电接入所述微电子基板的所述第一贯穿基板通孔或第二贯穿基板通孔。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.04.09 US 61/621,954;2013.03.15 US 13/840,9371.一种用于测试微电子基板的方法,所述方法包括:将第一转换器定位在第一区域中接近微电子基板,所述微电子基板具有第一主表面和背对所述第一主表面的第二主表面,所述微电子基板具有延伸穿过所述基板的导电的贯穿基板通孔,所述第一区域从所述微电子基板的所述第一主表面向外延伸,以及第二区域从所述第二主表面向外延伸;在所述第一区域相对于所述微电子基板可释放地固定所述第一转换器:当在所述第一区域相对于所述微电子基板固定所述第一转换器时,在所述第二区域相对于所述微电子基板可释放地固定第二转换器;当所述第一转换器被定位在所述第一区域中时,以所述第一转换器电接入所述微电子基板的贯穿基板通孔;以及当所述第一转换器和所述第二转换器相对于所述微电子基板被可释放地固定时,以所述第二转换器电接入所述微电子基板的所述贯穿基板通孔,其中以所述第一转换器接入所述微电子基板和以所述第二转换器电接入所述微电子基板包括:使用所述第一转换器和所述第二转换器中的一个沿未被供电的管芯的通孔发射信号;以及使用所述第一转换器和所述第二转换器中的另一个发射所述信号到被供电的管芯。2.根据权利要求1所述的方法,其中以所述第一转换器电接入所述微电子基板以及以所述第二转换器电接入所述微电子基板包括以所述第一转换器和所述第二转换器同时电接入所述微电子基板。3.根据权利要求1所述的方法,其中以所述第一转换器接入所述微电子基板包括引导信号沿所述通孔到所述第二转换器,并且其中以所述第二转换器接入所述微电子基板包括接收所述信号。4.根据权利要求3所述的方法,其中以所述第二转换器接入所述微电子基板包括引导自所述第一转换器接收到的所述信号或其他信号到所述第一转换器。5.根据权利要求1所述的方法,其中以所述第一转换器电接入所述微电子基板和以所述第二转换器电接入所述微电子基板包括:在所述第二转换器接收来自所述第一转换器的第一信号;以及响应接收所述第一信号,引导所述第一信号或第二信号到所述微电子基板。6.根据权利要求1所述的方法,其中以所述第一转换器电接入所述微电子基板和以所述第二转换器电接入所述微电子基板包括:在所述第二转换器接收来自所述第一转换器的第一信号;以及响应接收所述第一信号,引导所述第一信号或第二信号到所述第一转换器。7.根据权利要求1所述的方法,其中所述通孔是第一贯穿基板通孔而其中以所述第一转换器电接入所述微电子基板和以所述第二转换器电接入所述微电子基板包括:沿所述第一贯穿基板通孔引导来自所述第一转换器的第一信号;在所述第二转换器接收来自所述第一转换器的第一信号;响应接收所述第一信号,沿第二贯穿基板通孔引导所述第一信号或第二信号到所述第一转换器或所述微电子基板,所述第二贯穿基板通孔不同于所述第一贯穿基板通孔。8.根据权利要求7所述的方法,其中当所述第一信号被导入时,所述第一贯穿基板通孔是被供电的管芯的一部分,而当所述第一信号或所述第二信号沿着所述第二贯穿基板通孔被导入时,所述第二贯穿基板通孔是未被供电的管芯的一部分。9.根据权利要求1所述的方法,进一步包括路由在所述第二转换器接收的来自第一转换器的信号到所述微电子基板、所述第一转换器和所述第二转换器以外的装置。10.根据权利要求1所述的方法,其中所述通孔是第一贯穿基板通孔,而所述第一贯穿基板通孔是第一管芯的一部分,并且其中所述方法进一步包括通过以下方式模拟堆叠管芯:路由来自所述第一转换器的信号通过所述第一贯穿基板通孔到所述第二转换器;使用所述第二转换器以路由来自所述第一贯穿基板通孔的所述信号到所述微电子基板的第二贯穿基板通孔;在所述第一转换器接收来自所述第二贯穿基板通孔的所述信号;以及使用第一转换器以路由来自所述第二贯穿基板通孔的所述信号到所述微电子基板的第三通孔,所述第三通孔是不同于所述第一管芯的第二管芯的一部分。11.根据权利要求1所述的方法,其中以所述第一转换器电接入所述微电子基板和以所述第二转换器电接入所述微电子基板包括:使用所述第一转换器和所述第二转换...
【专利技术属性】
技术研发人员:摩根·T·约翰逊,
申请(专利权)人:高级查询系统公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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