硅片表面金属离子测试装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种硅片表面金属离子测试装置，包括提取装置、旋转工作台和控制装置，所述提取装置包括真空泵、真空管和提取枪，所述提取枪包括通过管路连接的扫描液存放腔和工作室，所述扫描液存放腔位于所述工作室上方，所述真空泵通过真空管与所述扫描液存放腔相连，所述旋转工作台位于所述工作室下方，且所述旋转工作台与所述控制装置连接。硅片表面金属离子测试装置，实现了硅片的自动扫描的同时，实现了硅片边缘表面的扫描，使得硅片表面金属离子的提取更加方便，同时减少了人为操作引起的采样标本污损情况，大大提高了测试的准确性。

【技术实现步骤摘要】
硅片表面金属离子测试装置
本专利技术创造属于硅片表面金属离子测试
，尤其是涉及一种硅片表面金属离子测试装置。
技术介绍
目前，半导体制造业正逐渐向高运行速度、较小的器件尺寸方向发展。半导体器件的尺寸不断缩小，芯片中元件密度的不断增加，元件间距离变得越来越小，甚至小到纳米级。然而，在整个生产过程中引入元件间的痕量杂质元素可能使芯片的合格率降低。特定的污染问题可导致半导体器件不同的缺陷。作为加工器件的原材料，硅抛光片表面的金属离子将直接影响器件加工的合格率。对硅抛光片进行表面金属离子测试已被大多数生产商使用。 国内多使用手动VPD进行前处理且多为6英寸或以下尺寸的硅片，即操作人使用真空吸笔吸取硅片背面，将一滴扫描液滴在硅片正面，通过倾斜硅片使扫描液扫过整片硅片后用取液枪将扫描液吸入ICPMS或者TXRF进行测试，这样在测试过程中不可避免的引入杂质，影响测试效果，同时无法控制扫描的路径，难以保证扫描整个硅片表面，尤其是无法扫描硅片边缘，测试结果的可信度低。而且随着硅片直径越来越大，其手动VPD过程在环境、人员及操作过程中更有可能引入金属离子。 【专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅片表面金属离子测试装置，其特征在于：包括提取装置、旋转工作台和控制装置，所述提取装置包括真空泵、真空管和提取枪，所述提取枪包括通过管路连接的扫描液存放腔和工作室，所述扫描液存放腔位于所述工作室上方，所述真空泵通过真空管与所述扫描液存放腔相连，所述旋转工作台位于所述工作室下方，且所述旋转工作台与所述控制装置连接。

【技术特征摘要】
1.一种硅片表面金属离子测试装置，其特征在于:包括提取装置、旋转工作台和控制装置，所述提取装置包括真空泵、真空管和提取枪，所述提取枪包括通过管路连接的扫描液存放腔和工作室，所述扫描液存放腔位于所述工作室上方，所述真空泵通...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕莹，张晋英，张宇，刘琦，李翔，
申请(专利权)人：天津中环领先材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12