一种芯片失效中心点的定位方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体制造技术领域，尤其涉及一种芯片失效中心点的定位方法，通过将待测的芯片摆正在一平整桌面上，并标记方阵区域中心的附近位置之后将芯片放入近红外热点探测机台中获取第一芯片图像与第一印记图像同时调用测量工具量测对应的相关参数，之后将芯片放入聚焦离子束机台中同样获取第二芯片图像与第二印记图像并同时量测对应的相关参数，并根据参数方程计算出芯片失效中心点位置；因此本发明专利技术技术方案可以较快的定位到芯片失效中心点的位置并且非常快捷方便，大大节约了机台、时间和人力成本。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片失效中心点的定位方法
本专利技术涉及一种半导体制造
，尤其涉及一种芯片失效中心点的定位方法。
技术介绍
在现有的
中，一颗芯片的制作工艺往往包含几百步的工序，主要的工艺模块可以分为光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长和清洗等几大部分。随着集成电路工艺的发展及特征尺寸的不断缩小，芯片上电路的分布也越来越复杂，任何微小环节的失效都将导致整个芯片的失效，所以对工艺控制的要求就越来越严格。为了可以及时的发现芯片的失效点以及芯片的失效类型，在实际的生产过程中需要对设备工艺性能在测试芯片上进行日常的模拟监控以及时检测出芯片失效的具体类型并进一步的改善某一工艺模块。在半导体企业中，对于全部结构均为完全重复的方阵集合型芯片来说，通常需要将该芯片中心的方阵单元制备成透射电镜(TransmissionElectronMicroscopy，简称TEM)样品并进一步的查看芯片的失效类型，另外，重复的方阵集合型芯片中有成千上万的相同的重复单元，因此如何快速而准确的找到该芯片中心的方阵单元成为半导体领域的一个发展趋势。现有技术中采用的常规方法是将样品放入聚焦离子束(FocusedIonBeam，简本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片失效中心点的定位方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1、提供一待测的芯片，所述芯片中设有若干重复结构的方阵单元；步骤S2、标记所述芯片中心附近位置作为印记，所述印记覆盖所述芯片中心点；步骤S3、调用一探测机台探测所述芯片，获取所述第一芯片图像以及位于第一芯片图像中的第一印记图像；步骤S4、调用一测量工具量测所述第一芯片图像和第一印记图像；用所述测量工具对所述第一芯片图像进行处理，选取所述第一芯片图像的其中一侧边作为第一侧边，作出第一芯片图像的中心线作为第一中心线且所述第一中心线垂直于所述第一侧边，以及作出垂直于该第一侧边且相切于所述第一印记图像的第一虚线和第二虚线；获取所述第一侧边的...

【技术特征摘要】
1.一种芯片失效中心点的定位方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1、提供一待测的芯片，所述芯片中设有重复结构的方阵单元；步骤S2、标记所述芯片中心附近位置作为印记，所述印记覆盖所述芯片中心点；步骤S3、调用一探测机台探测所述芯片，获取第一芯片图像以及位于第一芯片图像中的第一印记图像；步骤S4、调用一测量工具量测所述第一芯片图像和第一印记图像；用所述测量工具对所述第一芯片图像进行处理，选取所述第一芯片图像的其中一侧边作为第一侧边，作出第一芯片图像的中心线作为第一中心线且所述第一中心线垂直于所述第一侧边，以及作出垂直于该第一侧边且相切于所述第一印记图像的第一虚线和第二虚线；获取所述第一侧边的长度L1，第一虚线与第二虚线的间距L2，以及所述第一虚线与垂直于所述第一侧边的另一侧边之间的间距L3，根据L1、L2和L3计算出第一虚线与所述第一中心线的间距a以及第二虚线与所述第一中心线的间距b；步骤S5、调用一聚焦离子束机台探测所述芯片，获取所述芯片放大后的第二芯片图像和以及位于第二芯片图像中的第二印记图像；继续用所述测量工具对所述第二芯片图像进行处理，选取第二芯片图像的其中一侧边作为第二侧边，做出垂直于该第二侧边的第二芯片图像的中心线，作为第二中心线，以及作出垂直于所述第二侧边且相切于...

【专利技术属性】
技术研发人员：高慧敏，张顺勇，汤光敏，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42