一种产品制作过程中硅片表面的检测方法及系统技术方案

本发明专利技术实施例公开了一种产品制作过程中硅片表面的检测方法及系统。该方法包括：获取用于制作产品的硅片的表面图像；根据所述表面图像确定所述硅片的表面类型；如果所述表面类型为无缺陷型，将所述硅片进行所述产品制作过程的下一步工序处理；如果所述表面类型为不可修复缺陷型，将所述硅片进行废弃处理；如果所述表面类型为可修复缺陷型，将所述硅片进行修复。本发明专利技术实施例中，不是将不合格的硅片进行废弃处理，而是对不合格的硅片中不可修复的硅片进行废弃处理，对可修复的硅片进行回收修复处理，修复后的硅片还可以继续进行产品制作过程的下一步工序处理，从而使得产品的废弃率降低了。

【技术实现步骤摘要】
—种产品制作过程中硅片表面的检测方法及系统
本专利技术涉及硅片表面检测
，尤其涉及一种产品制作过程中硅片表面的检测方法及系统。
技术介绍
在太阳能电池等产品的制作工艺中，硅片的表面检测是非常重要的一环。因为硅片非常薄而且非常脆，在生产的过程中经常会出现崩边、缺角、裂痕等情况。在产品的制作工程中硅片表面也经常会出现液体残留、丝网断栅、成膜不均匀等缺陷。存在这些缺陷的硅片都是不合格的，硅片表面是否合格直接影响到产品制作过程中后面工序的制作。因此为防止不合格的硅片进入后续流程，需要对硅片的进行表面检测。现有技术中硅片表面的检测方法，是将检测合格的硅片进行产品制作过程中的下一个工序处理；将检测不合格的硅片进行废弃处理。这种硅片表面的检测方法的废弃率较高。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的是提供一种产品制作过程中硅片表面的检测方法及系统，用于解决产品制作过程中硅片表面的检测方法中存在的硅片废弃率比较高的问题。 本专利技术实施例的目的是通过以下技术方案实现的: 一种产品制作过程中硅片表面的检测方法，包括: 获取用于制作产品的娃片的表面图像； 根据所述表面图像确定所述硅片的表面类型； 如果所述表面类型为无缺陷型，将所述硅片进行所述产品制作过程的下一步工序处理； 如果所述表面类型为不可修复缺陷型，将所述硅片进行废弃处理； 如果所述表面类型为可修复缺陷型，将所述硅片进行修复。 较佳地，获取用于制作产品的硅片的表面图像，包括: 通过扫描获取用于制作产品的硅片的表面图像。 较佳地，获取用于制作产品的硅片的表面图像，根据所述表面图像确定所述硅片的表面类型，包括: 获取所述娃片的一个表面的表面图像； 根据所述一个表面的表面图像确定所述一个表面的表面类型； 如果所述一个表面的表面类型是不可修复缺陷型，确定所述硅片的表面类型为不可修复型； 如果所述一个表面的表面类型是可修复型或者无缺陷型，获取所述硅片的另一个表面的表面图像； 根据所述另一个表面的表面图像确定所述另一个表面的表面类型； 如果所述另一个表面的表面类型为不可修复缺陷型，确定所述硅片的表面类型为不可修复型； 如果两个表面的表面类型均为无缺陷型，确定所述硅片的表面类型为无缺陷型； 如果至少一个表面的表面类型为可修复缺陷型，确定所述硅片的表面类型为可修复型。 较佳地，获取所述硅片的一个表面的表面图像，包括: 使用第一图像采集装置获取所述硅片的一个表面的表面图像； 获取所述硅片的另一个表面的表面图像,包括: 使用与所述第一图像采集装置相对设置的第二图像采集装置获取所述硅片的另一个表面的表面图像。 较佳地，根据所述表面图像确定所述硅片的表面类型，包括: 如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面完整且无液体残留，确定所述硅片的表面类型为无缺陷型；如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面完整，但存在液体残留，确定所述硅片的表面类型为可修复型；如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面不完整，确定所述硅片的表面类型为不可修复型；或者， 如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面完整、成膜均匀且完整，确定所述硅片的表面类型为无缺陷型；如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面完整，但薄膜材料部分区域没有成膜或者成膜不均匀，确定所述硅片的表面类型为可修复型；如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面不完整，确定所述硅片的表面类型为不可修复型；或者， 如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面完整，且丝网断点数少于NI个点，确定所述硅片的表面类型为无缺陷型；如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面完整，丝网断点数在NI?N2之间，确定所述硅片的表面类型为可修复型；如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面不完整和/或丝网断点数大于N2，确定所述硅片的表面类型为不可修复型，N2大于NI，且均为整数。 —种产品制作过程中娃片表面的检测系统,包括: 图像采集子系统，用于获取用于制作产品的硅片的表面图像； 分类处理装置，用于根据所述表面图像确定所述硅片的表面类型；如果所述表面类型为无缺陷型，将所述硅片传送到所述产品制作过程的下一步工序的处理装置；如果所述表面类型为不可修复缺陷型，将所述硅片传送到废弃处理装置；如果所述表面类型为可修复缺陷型，将所述硅片传送到修复装置。 较佳地，所述图像采集子系统具体用于: 通过扫描获取用于制作产品的硅片的表面图像。 较佳地，所述图像采集子系统具体用于，获取所述硅片的一个表面的表面图像； 所述分类处理装置具体用于:根据该表面的表面图像确定该表面的表面类型；如果该表面的表面类型是不可修复缺陷型，确定所述硅片的表面类型为不可修复型； 如果该表面的表面类型是可修复缺陷型或者无缺陷型，所述图像采集子系统具体用于:获取所述硅片的另一个表面的表面图像； 所述分类处理装置具体用于:根据该另一个表面的表面图像确定该另一个表面的表面类型；如果该另一个表面的表面类型为不可修复缺陷型，确定所述硅片的表面类型为不可修复型；如果两个表面的表面类型均为无缺陷型，确定所述硅片的表面类型为无缺陷型；如果至少一个表面的表面类型为可修复缺陷型，确定所述硅片的表面类型为可修复型。 较佳地，所述图像采集子系统包括第一图像采集装置和第二图像采集装置: 所述第一图像采集装置用于，获取所述硅片的一个表面的表面图像； 所述第二图像采集装置与所述第一图像采集装置相对设置，所述第二图像采集装置用于，获取所述硅片的另一个表面的表面图像。 较佳地，根据所述表面图像确定所述硅片的表面类型时，所述分类处理装置具体用于: 如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面完整且无液体残留，确定所述硅片的表面类型为无缺陷型；如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面完整，但存在液体残留，确定所述硅片的表面类型为可修复型；如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面不完整，确定所述硅片的表面类型为不可修复型；或者， 如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面完整、成膜均匀且完整，确定所述硅片的表面类型为无缺陷型；如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面完整，但薄膜材料部分区域没有成膜或者成膜不均匀，确定所述硅片的表面类型为可修复型；如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面不完整，确定所述硅片的表面类型为不可修复型；或者， 如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面完整，且丝网断点数少于NI个点，确定所述硅片的表面类型为无缺陷型；如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面完整，丝网断点数在NI?N2之间，确定所述硅片的表面类型为可修复型；如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面不完整和/或丝网断点数大于N2，确定所述硅片的表面类型为不可修复型，NI大于N2，且均为整数。 本专利技术实施例的有益效果如下: 本专利技术实施例中，不是将不合格的硅片进行废弃处理，而是对不合格的硅片中不可修复的硅片进行废弃处理，对可修复的硅片进行回收修复处理，修复后的硅片还可以继续进行产品制作过程的下一步工序处理，从而使得产品的废弃率降低了。进一步的，通过扫描获取娃片的表面图像。扫描的过程处于一个封闭的环境，可以防止环境杂散光的影响，从而使得检测时消除了反光、干涉等因素的影响。并且可以在产品制作过程的任意本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种产品制作过程中硅片表面的检测方法，其特征在于，包括：获取用于制作产品的硅片的表面图像；根据所述表面图像确定所述硅片的表面类型；如果所述表面类型为无缺陷型，将所述硅片进行所述产品制作过程的下一步工序处理；如果所述表面类型为不可修复缺陷型，将所述硅片进行废弃处理；如果所述表面类型为可修复缺陷型，将所述硅片进行修复。

【技术特征摘要】
1.一种产品制作过程中硅片表面的检测方法，其特征在于，包括: 获取用于制作产品的硅片的表面图像； 根据所述表面图像确定所述硅片的表面类型； 如果所述表面类型为无缺陷型，将所述硅片进行所述产品制作过程的下一步工序处理； 如果所述表面类型为不可修复缺陷型，将所述硅片进行废弃处理； 如果所述表面类型为可修复缺陷型，将所述硅片进行修复。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，获取用于制作产品的硅片的表面图像，包括: 通过扫描获取用于制作产品的硅片的表面图像。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，获取用于制作产品的硅片的表面图像，根据所述表面图像确定所述硅片的表面类型，包括: 获取所述硅片的一个表面的表面图像； 根据所述一个表面的表面图像确定所述一个表面的表面类型； 如果所述一个表面的表面类型是不可修复缺陷型，确定所述硅片的表面类型为不可修复型； 如果所述一个表面的表面类型是可修复型或者无缺陷型，获取所述硅片的另一个表面的表面图像； 根据所述另一个表面的表面图像确定所述另一个表面的表面类型； 如果所述另一个表面的表面类型为不可修复缺陷型，确定所述硅片的表面类型为不可修复型； 如果两个表面的表面类型均为无缺陷型，确定所述硅片的表面类型为无缺陷型； 如果至少一个表面的表面类型为可修复缺陷型，确定所述硅片的表面类型为可修复型。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，获取所述硅片的一个表面的表面图像，包括: 使用第一图像采集装置获取所述硅片的一个表面的表面图像； 获取所述硅片的另一个表面的表面图像，包括: 使用与所述第一图像采集装置相对设置的第二图像采集装置获取所述硅片的另一个表面的表面图像。5.根据权利要求1?4任一项所述的方法，其特征在于，根据所述表面图像确定所述硅片的表面类型，包括: 如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面完整且无液体残留，确定所述硅片的表面类型为无缺陷型；如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面完整，但存在液体残留，确定所述硅片的表面类型为可修复型；如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面不完整，确定所述硅片的表面类型为不可修复型；或者， 如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面完整、成膜均匀且完整，确定所述硅片的表面类型为无缺陷型；如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面完整，但薄膜材料部分区域没有成膜或者成膜不均匀，确定所述硅片的表面类型为可修复型；如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面不完整，确定所述硅片的表面类型为不可修复型；或者， 如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面完整，且丝网断点数少于N1个点，确定所述硅片的表面类型为无缺陷型；如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面完整，丝网断点数在N1?N2之间，确定所述硅片的表面类型为可修复型；如果根据所述表面图像确定所述硅片的表面不完整和/或丝网断点数大于N2，确定所述硅片的表面类型为不可修复型，N2大于N1，且均为整数。6.—种产品制作过程中娃...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷士斌，张林，田小让，何延如，赵冠超，杨荣，孟原，郭铁，
申请(专利权)人：新奥光伏能源有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13