The invention discloses a silicon heterojunction solar cell and its hydrogenated amorphous silicon I film surface treatment method of hydrogenated amorphous silicon I film surface plasma treatment by hydrogen and argon or hydrogen helium mixture, either through argon or helium plasma by physical method of hydrogenated amorphous silicon I film with surface cleaning good, also can increase the quantity of hydrogen plasma, thereby enhancing the passivation and cleaning effect of hydrogenated amorphous silicon film on the surface of I; at the same time, the process of argon or helium plasma bombardment will produce slight damage of hydrogenated amorphous silicon I coating on the surface, not only to hydrogen plasma passivation of hydrogenated amorphous silicon I the film surface, can also repair the damage. Hydrogen argon mixing or hydrogen helium mixed plasma synergistic effect can play a better role in passivation and cleaning on the surface of hydrogenated amorphous silicon I, thereby improving battery performance.
【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池及其氢化非晶硅i膜层表面处理方法本专利技术申请是申请日为2015年11月26日、申请号为201510842967.9、专利技术名称为"一种太阳能电池及其氢化非晶硅i膜层表面处理方法"的专利技术申请的分案申请。
本专利技术涉及太阳能电池生产
,特别是涉及硅异质结太阳能电池及其氢化非晶硅i膜层表面处理方法。
技术介绍
硅异质结太阳能电池是一种利用晶体硅基板和非晶硅薄膜工艺制成的混合型电池,具有转换效率高、工艺流程简单、温度系数低等优势,受到人们的广泛关注。现有硅异质结太阳能电池的生产工艺包括:清洗、制绒、对氢化非晶硅i(ia-Si:H)膜层和氢化非晶硅p(pa-Si:H)膜层以及氢化非晶硅n(na-Si:H)膜层进行沉积、对透明导电氧化物薄膜进行沉积、栅极电极丝网印刷、退火等。等离子体处理技术是硅异质结太阳能电池的重要制备工艺之一,常用于氢化非晶硅i(ia-Si:H)膜层表面的处理,可以减少表面未饱和的硅悬挂键等缺陷态,降低界面的复合,提高界面的钝化效果,提升电池的性能。等离子体处理可分为物理处理和化学处理两种。物理处理的反应机理是利用等离子体中的粒子作纯物理的轰击,把材料表面的原子或附着材料表面的原子打掉,常用的气体为氩气、氦气等不活泼气体。化学处理的反应机理是利用等离子体中的高活反应粒子与材料表面发生化学反应作用,从而实现分子水平的沾污去除目的,常用的气体有氢气、氧气、四氟化碳、三氟化氮等气体。现有的硅异质结太阳能电池主要采用氢气对沉积的氢化非晶硅i膜层进行等离子体处理,该处理方法是一种以化学反应为主的处理工艺,其中氢等离子体可饱和氢化 ...
【技术保护点】
一种硅异质结太阳能电池的氢化非晶硅i膜层表面处理方法,其特征在于:S1、沉积氢化非晶硅i膜层;S2、在沉积腔室中采用混合气体对所述氢化非晶硅i膜层表面进行等离子体处理,所述混合气体为氢气和氩气混合或者氢气和氦气混合;其中,执行步骤S2前,在沉积腔室中采用氢气对所述氢化非晶硅i膜层表面进行等离子体处理。
【技术特征摘要】
1.一种硅异质结太阳能电池的氢化非晶硅i膜层表面处理方法,其特征在于:S1、沉积氢化非晶硅i膜层;S2、在沉积腔室中采用混合气体对所述氢化非晶硅i膜层表面进行等离子体处理,所述混合气体为氢气和氩气混合或者氢气和氦气混合;其中,执行步骤S2前,在沉积腔室中采用氢气对所述氢化非晶硅i膜层表面进行等离子体处理。2.如权利要求1所述的处理方法,其特征在于:采用所述氢气对所述氢化非晶硅i膜层表面进行等离子体处理,处理时间为1至200秒。3.如权利要求2所述的处理方法,其特征在于:采用所述氢气对所述氢化非晶硅i膜层表面进行等离子体处理,处理时间为10至150秒。4.如权利要求1至3任一所述的处理方法,其特征在于:采用氢气和氩气的混合气体对所述氢化非晶硅i膜层表面进行等离子体处理,氢气和氩气流量体积比为1:0.01至1:10...
【专利技术属性】
技术研发人员:谷士斌,何延如,张林,张娟,徐湛,杨荣,李立伟,孟原,郭铁,
申请(专利权)人:新奥光伏能源有限公司,
类型:发明
国别省市:河北,13
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